Abstract:
The present invention relates to a sealing device which seals both ends of a solid oxide fuel cell stack, the device comprising: a gas inlet in which fuel gas is injected; a gas buffer unit which disperses and supplies the fuel gas injected from the gas inlet to a plurality of gas supply pipes formed on the inside of the fuel cell stack; and a first sealing unit, a second sealing unit, and a third sealing unit which seal an end part of the fuel cell stack as a stepwise space expanded and connected to the gas buffer unit. By providing a space which seals the fuel cell stack in three stages, and buffers and disperses the fuel gas, the fuel gas is smoothly supplied to the inside of the fuel cell stack without leakage.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a transparent conductive thin film using an indium-zinc-tin oxide target with the reduced amount of indium is provided to synthesize high conductive oxide powder with nano size through an optimal clean process reducing indium amount in ITO, and to manufacture a high density target by well dispersing the synthesized powder. CONSTITUTION: A synthesis method of oxide with reduced amount of indium comprises the following step: oxide powder with reduced amount of indium having a bixbyite phase is synthesized by employing zinc and tin to 18.6-28.7% of indium with a clean process in which butanol and metal acetate are reacted. A dispersing agent for manufacturing a high density target from the oxide powder with reduced amount of indium is dodecylamine, ammonium polymethacrylate, or a mixture of dodecylamine and hydroxyl propyl cellulose, and polyethylene glycol. A manufacturing method of the high density target comprises the following steps: the oxide powder with reduced amount of indium is spraying dried and granulized; a target is molded by a first uniaxial molding and a second equivalent pressure molding; and a high density target is manufactured by plasticity and thermal process. In the high density target manufacturing step, the plasticity is performed at 1,350 deg. C under pressurized oxygen atmosphere, and the thermal process is performed at 1,150 deg. C under the atmosphere of 5% of hydrogen and 95% of argon. [Reference numerals] (a) Room temperature
Abstract:
PURPOSE: A composing method of indium reduction oxide nano powder is provided to reduce the amount of indium by manufacturing indium oxide including zinc and tin, compose nano powder through clean process without generation of waste water, and control agglomeration phenomenon of nano powder composed by using dispersing agent. CONSTITUTION: A composing method of indium reduction oxide nano powder comprises the following steps. (i) Indium hydroxide having zinc and tin is composed by injecting metal acetate into butanol. Indium oxide powder having zinc and tin as bixybyite single crystal phase is composed by calcining indium hydroxide having zinc and tin which are composed at 300°C. A manufacturing method of high intensity as well as high density target comprises the following steps. (a) A slurry is manufactured by mixing indium reduction oxide nano powder having zinc and tin with binder and release agent. (b) Target molding product is manufactured by spray-drying the slurry with granulation, and a first uni-axial molding and a second equivalence pressure molding. And (c) the molding product is plasticized for four hours in a pressurization oxygen atmosphere at 1350°C.
Abstract:
본 발명은 평판형, 원통형 및 평관형 등 다양한 형태의 고체산화물연료전지 셀-스택을 제작할 때 높은 기체 투과도 및 우수한 기계적 강도를 갖는 다공성 세라믹 지지체 위에 구성소재 전사지를 이용하여 연료극, 연료극 기능층, 전해질, 공기극 기능층, 공기극 및 연결재를 적층하는 방법을 이용한 다전지식 고체산화물 연료전지 셀-스택 제작방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 전사대지 위에 연료전지 구성소재 페이스트를 스크린 인쇄하여 구성소재 전사지를 제작하여 대면적 또는 복잡한 구조를 갖는 연료전지 구성소재 적층에 적용이 용이하다. 또한, 본 발명의 다전지식 고체산화물 연료전지 셀-스택의 경우 내부 연결이 간단하고, 짧은 전류 경로를 가지고 있어 고출력화 및 소형화가 가능한 다전지식 평관형 고체산화물 연료전지를 전사지를 이용 단소, 간단 제작 방법을 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 부탄올과 인듐아세테이트, 아연아세테이트 그리고 주석아세테이트를 반응시켜 인듐산화물에 아연산화물과 주석산화물이 18~ 28.7중량% 고용된 단일 결정상 빅스바이트로 이루어진 인듐산화물을 생성하는 청정공정으로 나노크기 분말을 합성하는 방법과 상기 뭉쳐져 있는 인듐 산화물 분말을 분산제를 이용 분산시킨 후 산소 가압하여 현재의 소결온도 1550℃ 또는 1500℃보다 낮은 1350℃에서 인듐 산화물 타겟을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 아연과 주석이 인듐에 고용된 인듐 산화물 타겟의 경우 청정공정으로 폐수의 배출이 없게 되었고, 또한 현재 상용 아이티오의 소성보다 150~200℃ 낮은 온도에서 소성이 가능하므로 에너지가 절감될 뿐만 아니라 상대밀도 99.7%의 고밀도 타겟을 제조할 수 있고, 비저항이 5x10 -4 Ωㆍ㎝으로 전기적 성능도 현 아이티오와 대등한 값을 얻을 수 있었다.
Abstract:
본 발명은 본 발명은 고체산화물 연료전지(Solid Oxide Fuel Cell)용 연료극에 사용되는 니켈 옥사이드의 제조에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 용매열 합성법(solvothermal process)을 이용하여 메탈이온을 도핑한 니켈옥사이드(Ni 1-x M x O)를 제조하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 (A)질산니켈 수화물과 Al(NO 3 ) 3 , Co(NO 3 ) 3 및 Fe(NO 3 ) 3 의 수화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 메탈이온 소스를 에탄올 용매에 첨가하여 교반하는 단계; (B)교반이 완료된 용액을 오토클레이브에 넣고 210~250℃에서 20~30시간 동안 반응시키는 단계; (C)에탄올과 증류수를 이용하여 수세 후, 드라잉 오븐에서 건조하는 단계; 및 (D)800~1200℃에서 하소하는 단계를 포함하는 용매열 합성법을 이용한 메탈 도핑 니켈옥사이드 분말의 제조방법이 제공된다.
Abstract:
발명은 현재 아이티오 투명전도성 산화물에서 인듐을 18.6~28.7% 아연과 주석으로 대체한 인듐 저감 조성(In 1 .6 Zn 0 .2 Sn 0 .2 O 3 ~ In 1 .2 Zn 0 .4 Sn 0 .4 O 3 )으로 단일상의 인듐 산화물 타겟을 제조한 후 투명 전도막을 성막하여 유기전계발광소자나 유기태양전지용 박막으로 적용하는 것이다. 위 발명에 따라 유기전계발광소자나 유기태양전지용으로 현재 사용하고 있는아이티오 타겟을 대체할수 있는 인듐 저감 대체 타겟을 개발함에 따라 인듐 고갈에 대비하는 효과 외에도 인듐 저감으로 원재료 가격 절감, 아이티오 타겟 합성에서의 폐수발생 문제를 해결할 수 있었을 뿐만 아니라 현 아이티오보다 더 치밀화한 나노 크기 분말의 고밀도화 방법 제시 및 인듐저감으로 투명전도성 타겟의 가격을 30%이상 절감할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
The present invention relates to manufacturing method for nickel oxide used in an anode for a solid oxide fuel cell and, more specifically, to a technology for manufacturing nickel oxide (Ni1-xMxO) doped with metal ions by using a solvothermal process. The present invention provides the manufacturing method for metal-doped nickel oxide powders using the solvothermal process comprising: a step (A) of adding a metal ion source selected from the group consisting of a nickel nitrate hydrate and a hydrate of Al(NO_3)_3, Co(NO_3)_3 and Fe(NO_3)_3 in an ethanol solvent and mixing the ingredients; a step (B) of putting the solution in which mixing is completed in an autoclave and makes the ingredients react at 210-250°C for 20-30 hours; a step (C) of drying the ingredients in a drying oven after washing the ingredients with ethanol and distilled water; and a step (D) of calcining the ingredients at 800-1200°C.