균일한 육방정계 질화붕소를 대량으로 합성하는 제조방법
    41.
    发明公开
    균일한 육방정계 질화붕소를 대량으로 합성하는 제조방법 无效
    六角形硼酸盐的均匀性大量组成方法的开发

    公开(公告)号:KR1020100008125A

    公开(公告)日:2010-01-25

    申请号:KR1020080068539

    申请日:2008-07-15

    CPC classification number: C01B21/0645 C01P2004/61

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for synthesizing uniform hexagonal boron nitride in large quantity is provided to produce a massive quantity of the hexagonal boron nitride uniformly by removing impurities efficiently, and to simplify processes of components. CONSTITUTION: A manufacturing method for synthesizing uniform hexagonal boron nitride in large quantity includes the following steps: preparing a compound by adding a binder in a compound in which boric acid and carbon are mixed to the molar ratio of 1 : 3; molding the compound to a tube shape; and synthesizing the hexagonal boron nitride under nitrogen atmosphere for 3 hours or more. The manufacturing method further includes a step for molding starting materials to a granular shape having many pores.

    Abstract translation: 目的:提供大量合成均匀的六方氮化硼的制造方法,通过有效去除杂质而均匀地制造大量的六方氮化硼,并且简化了组分的工艺。 构成:大量合成均匀的六方氮化硼的制造方法包括以下步骤:通过在硼酸和碳以1:3的摩尔比混合的化合物中加入粘合剂来制备化合物; 将该化合物成型为管状; 并在氮气气氛下合成六方氮化硼3小时以上。 制造方法还包括将起始材料成型为具有许多孔的颗粒状的步骤。

    질화물 기판의 제조방법
    44.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101921477B1

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:KR1020160091746

    申请日:2016-07-20

    Abstract: 본발명은, 복수개의돌기부가형성된기판상부에상기돌기부의높이보다작은두께를이루도록나노파티클을코팅하는단계와, 상기나노파티클의코팅층위로노출되어있는돌기부의단부를씨드(seed)로하여질화물을성장시키는단계및 상기질화물의성장온도보다낮은온도로하강시켜성장된질화물과상기돌기부사이의격자상수및 열팽창계수차이에의해성장된질화물과상기돌기부의단부사이가자가분리되게하는단계를포함하는질화물기판의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 공정이매우간단하면서도재현성이매우높고, 고품질의질화물기판을얻을수가있으며, 질화물성장에사용된기판은나노파티클을선택적으로습식공정방법으로식각하여제거하고재사용할수 있어생산비용을절감할수 있다.

    광전극 재료 및 그 제조방법
    45.
    发明公开
    광전극 재료 및 그 제조방법 有权
    光电极材料及其制造方法相同

    公开(公告)号:KR20180009877A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:KR20160091740

    申请日:2016-07-20

    Abstract: 본발명은, 기판과, 상기기판상에구비된 GaN층과, 상기 GaN층의상부일부에구비된패턴화된그래핀층(patterned graphene layer)과, 상기패턴화된그래핀층이위치하지않는영역의상기 GaN층상부와상기패턴화된그래핀층상부에서성장되어형성된 (Ga,In)계질화물을포함하며, 상기패턴화된그래핀층상부에형성된 (Ga,In)계질화물과상기 GaN층상부에형성된 (Ga,In)계질화물은서로다른형태를갖는특징으로하는광전극재료및 그제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 습식공정방법으로전사된그래핀층이패턴화되어있으며, 패턴화된그래핀층에의해전자가상대전극으로이동하는통로역할을하게할 수있고, 상기패턴화된그래핀층을통해서전류과밀문제를해소할수 있으며, 3차원형태로성장된 (Ga,In)계질화물의표면적증가로광전류를향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种包括衬底,设置在衬底上的GaN层,设置在GaN层的上部的一部分上的图案化的石墨烯层和图案化的石墨烯层的GaN衬底 在GaN层的顶部和该图案化是基于生长在被钉扎顶部上形成(GA,在),并且包括氮化物,形成在该氮化物和GaN层顶部类型(GA,在)该图案化是被钉扎层形成在上 (Ga,In)氮化物彼此不同及其制造方法。 根据本发明,转移到湿处理方法中的是被钉扎层被图案化,由钉扎层的图案化是能够使通路用于电子移动到对置电极,通过销层所述图案是当前 可以解决过校正问题,并且可以通过增加以三维形式生长的(Ga,In)型氮化物的表面积来改善光电流。

    질화물 기판 제조 방법
    46.
    发明授权
    질화물 기판 제조 방법 有权
    制造氮化物衬底的方法

    公开(公告)号:KR101767128B1

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:KR1020150164239

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 본발명은질화물기판의일면을연마하는단계와, 질화물기판의일면을웨트에칭하는습식공정단계와, 질화물기판을열처리하는단계를포함하는질화물기판제조방법을제시한다.

    Abstract translation: 本发明公开了一种氮化物衬底制造方法,包括以下步骤:抛光氮化物衬底的一个表面;润湿氮化物衬底的一个表面的湿处理步骤;以及对氮化物衬底进行热处理。

    Li2O―Al2O3―SiO2계 투명 결정화 유리 및 그 제조 방법
    47.
    发明公开
    Li2O―Al2O3―SiO2계 투명 결정화 유리 및 그 제조 방법 有权
    基于Li2O-Al2O3-SiO2的透明结晶玻璃及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170077480A

    公开(公告)日:2017-07-06

    申请号:KR1020150187399

    申请日:2015-12-28

    Abstract: 본발명은 LiO-AlO-SiO계투명결정화유리및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는유리조성으로서 LiO, AlO, SiO를기본조성으로갖는 LAS계유리에있어서, 상기 LAS계유리에는 TiO및 ZrO가더 첨가되고, 베타상의스포듀민이주결정상을이루며, 상기베타상의스포듀민의결정크기는가시광영역의파장의하한값의크기를초과하지않는것을특징으로하는 LiO-AlO-SiO계투명결정화유리를제공한다. 이상과같은본 발명에따르면, 리튬알루미노실리케이트계유리를이용하여열 시차분석을통해핵생성온도별최적결정성장온도를설정하여결정성장의성장을억제하여투명도가매우높은 LiO-AlO-SiO계투명결정화유리를제조할수 있는작용효과가기대된다.

    Abstract translation: 更具体地,本发明涉及具有基本组成为LiO,AlO和SiO作为玻璃组成的LAS基玻璃,其中LAS基玻璃包含TiO 2和ZrO 2 和它想出加入,构成轮辐露闵主要结晶相于β,于β晶粒尺寸辐条露水种子提供-基于LIO的AlO的SiO透明结晶化玻璃,其特征在于不超过可见光区域波长的下限尺寸 的。 根据本发明,通过使用铝硅酸锂玻璃,根据通过热视差分析的成核温度设定最佳晶体生长温度,以抑制晶体生长的生长,并且LiO-AlO-SiO系统 预计可以产生能够产生透明结晶玻璃的作用和效果。

    프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어방법
    48.
    发明公开
    프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨 제어방법 无效
    独立式氮化镓衬底的弯曲控制方法

    公开(公告)号:KR1020170033987A

    公开(公告)日:2017-03-28

    申请号:KR1020150132020

    申请日:2015-09-18

    Abstract: 본발명은질화갈륨기판의휨 방향에따라습식공정중에하나인에칭또는열처리를달리수행하여프리스탠딩질화갈륨기판의휨 현상을제어하는방법에관한것이다. 본발명은기판의휨 방향, 응력분포에따라습식공정중에하나인에칭또는열처리를달리하여프리스탠딩 GaN 기판의휨 현상을제어할수 있다. 본발명의방법에의해휨이제거된프리스탠딩 GaN 기판은낮은전위결함밀도와자기발열현상을보여주므로소자의전기적기계적특성을개선시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种通过在湿法工艺期间根据氮化镓衬底的弯曲方向执行一次蚀刻或热处理来控制独立氮化镓衬底的翘曲的方法。 根据本发明,可以根据弯曲方向和基板的应力分布,通过湿法工艺期间的不同蚀刻或热处理来控制独立GaN衬底的弯曲现象。 通过本发明的方法去除偏转的独立GaN衬底表现出低位错缺陷密度和自发热现象,由此改善器件的电特性和机械特性。

    석탄폐석을 이용한 AR-글라스 섬유 제조방법 및 이를 통해 제조된 AR-글라스 섬유
    49.
    发明公开
    석탄폐석을 이용한 AR-글라스 섬유 제조방법 및 이를 통해 제조된 AR-글라스 섬유 有权
    使用煤焦油制造AR玻璃纤维的制造方法和制造AR玻璃纤维

    公开(公告)号:KR1020160088544A

    公开(公告)日:2016-07-26

    申请号:KR1020150007734

    申请日:2015-01-16

    CPC classification number: C03B37/01 C03C13/00

    Abstract: 본발명은석탄폐석을이용한 AR-글라스섬유의제조방법및 이를통해제조된 AR-글라스섬유에관한것으로, 1)AR 유리조성을갖는유리섬유의원료를교반하여혼합하는단계; 2) AR 유리조성의혼합원료를고온용융시켜용융유리를형성하는단계; 및 3) AR 유리조성의용융유리를섬유화장치를이용해 AR-글라스를섬유화시키는단계;를포함하며, 카본함량이비교적적은실리카-알루미나질의사암계석탄폐석을사용하여폐석의투입량을변화시켜이를통해제조된각각의 AR(Alkali Resistant) 유리조성의벌크유리와섬유유리를제조할수 있게함으로써콘크리트보강재등으로사용할수 있게하는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用废渣制造耐碱(AR) - 玻璃纤维的方法和通过该方法制造的AR玻璃纤维,其中该方法包括以下步骤:1)搅拌和混合原料 具有AR玻璃组合物的玻璃纤维; 2)在高温下熔化AR玻璃组合物的混合原料,形成熔融玻璃; 和3)使用纤维化装置从AR玻璃组合物的熔融玻璃中使AR玻璃纤维化。 使用具有相对较低碳含量的二氧化硅 - 氧化铝的基于砂岩的废煤来改变废石的输入,从而分别制造AR玻璃组合物的块状玻璃和玻璃纤维,玻璃的种类可以用作 混凝土加强构件。

    결정화 글라스-세라믹스 치과 재료의 제조방법
    50.
    发明公开
    결정화 글라스-세라믹스 치과 재료의 제조방법 有权
    生产结晶玻璃陶瓷牙科成分的方法

    公开(公告)号:KR1020150137573A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:KR1020140065652

    申请日:2014-05-30

    Abstract: 본발명은심미성이뛰어나고기계적특성이우수한치과용결정화글라스-세라믹스의제조방법을제공하기위한것이다. 본발명에따른치과용글라스-세라믹스의제조는고순도의글라스제조를위해백금도가니를이용하며기포없는고 청징글라스제조를위해백금스터러를이용하는제조공정을가지며, 특히통상적으로실시하는글라스의성형후 서냉, 상온까지냉각, 결정화를열처리를위한승온및 결정화열처리의복잡한공정을글라스의성형후 서냉및 결정화열처리를상온까지냉각없이연속적으로실시하는생산성이높고물성의편차가적은글라스-세라믹스제조가가능한연속식열처리제조공정을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种具有优异的美观性和优异的机械性能的牙科结晶玻璃陶瓷的制造方法。 根据本发明,牙科玻璃陶瓷的制造具有使用铂搅拌器制造无气泡的高精炼玻璃的制造方法,同时使用用于制造高纯度玻璃的铂坩埚。 特别地,连续式热处理制造方法能够以高生产率和小的材料特性偏差制造玻璃陶瓷,与玻璃成型后相比,连续进行缓慢冷却和结晶热处理直到达到室温而不冷却,与 通常执行和复杂的高温和结晶热处理工艺,用于缓慢冷却,冷却直到达到室温的热处理,以及模制玻璃后的结晶。

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