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公开(公告)号：KR1019980015365A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034662
申请日：1996-08-21
IPC: H01L27/14
Abstract: 본 발명은 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 두 도파로의 간격이 너무 밀집되어기 때문에 광섬유를 부착할 경우에 크로스 토크가 발생하는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 n-형 InP 기판(1)과 그 위에 적층된 n-형 InP 완충층(2), 그 위에 출력단 근처에서 수평방향으로 휘어지도록 공간적으로 제한된 형태로 적층된 InGaAsP 제1광도파로층(3), 그 위에 적층된 InP(4), 그 위에 적층되고 10∼20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 InGaAsP 회절격자층(5), 그 위에 적층된 InP(6), 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 InGaAsP 제2광도파로층(7), 그 위에 적층된 n-형 InP 클래드층(8), 그 위에 적층된 도핑하지 않은 InGaAsP 음 접촉층(9), 그 위에 도핑하지 않고 제2광도파로층보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 InP 표� �보호층(10)으로 구성된 웨이퍼 상에 제2광도파로 층보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드 또는 이산화 규소와 같은 유전물질(11), 그 창을 통해 제2도파로의 일부까지 깊게 형성된 p-형 불순물층(12), 그 위에 적층된 p-형 전극금속층(13) 및 기판아래에 제작된 n-형 전극금속층(14)로 구성되어, 두 광도파로 사이의 거리를 공간적으로 멀리 떨어지게 하여 채널 크로스 토크를 줄일 수가 있으며, 안정된 pn 접합을 형성할 수가 있어 여과하고자 하는 광파장을 바꾸고 싶을 때에 주입되는 전류를 작게함으로써 안정된 튜닝은 물론 역전압에 대한 튜닝도 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100122392B1
公开(公告)日：1997-09-04
申请号：KR1019930027620
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/265
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公开(公告)号：KR1019970054557A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950050531
申请日：1995-12-15
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 불순물이 고농도 도핑된 InP의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×10
15 ㎝
-3 로 결정 성장된 제1도 전형 InGaAs의 광흐부층과, 상기 광흡수층의 상부에 한층 또는 여러 층으로 구성되고 InP와 격자 정합되며 캐리어 농도가 1∼5×10
15 ㎝
-3 로 결정 성장된 제1도전형 InGaAsP의 그레이딩층과, 상기 그레이딩층의 상부에 두께×캐리어농도가 2.5∼3.5×10
12 ㎝
-2 로 조절되게 결정 성장된 제1도전형 InP의 전하층과, 상기 전하층의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×10
15 ㎝
-3 로 결정 성장된 제1도전형 InP의 증폭층과, 상기 증폭층의 소정 부분에 2차례의 확산에 의해 형성된 제2도전형이 고농도로 도핑된 InP의 제2가드링과, 상기 제2가드링의 사이에 1차례의 산에 의해 제2도전형 불순물이 상기 제2가드링의 확산 깊이 보다 얕은 확산 깊이를 갖도록 고농도로 도핑되어 형성된 InP의 제1가드링과, 상기 제1가드링의 사이에 접합되게 2차례의 확산에 의해 제2도전형의 불순물이 상기 제2가드링과 동일한 확산 깊이를 갖도록 고농도로 도핑되어 형성된 InP의 활성영역과, 상기 증폭층의 상부에 상기 활성 영역의 상부와 접촉되게 형성된 제2도전형 전극과, 상기 활성 영역 이외의 증폭층의 상부에 형성된 표면보호층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 상기 제2도전형 전극과 대응되게 형성된 무반사막과, 상기 반도체 기판 하부 표면의 무반사막이 형성되지 않은 부분에 제1도전형 전극을 포함한다.
따라서, 제1가드링 보다 제2가드링의 확산 깊이를 더 깊게하므로 활성영역의 모서리 부분의 전기장 세기가 상대적으로 낮아지게 되어 효과적인 가드링이 가능하며, 또한, 제2가드링의 깊이를 활성 영역의 깊이와 같이 조절할 수 있어 공정이 매우 쉽고 깊이 조절이 용이하며, 그리고, 제2가드링을 하나만 형성하므로 다이오드의 면적을 줄일 수 있고 따라서 다이오드의 커팬시컨스를 줄일 수 있으며, 증폭층 폭을 0.2∼0.3㎛로 할 수 있기 때문에 이득-대역폭의 곱을 100GHZ 이상으로 증가시킬 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019970052887A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052686
申请日：1995-12-20
IPC: H01L21/312
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼상에 깊이가 수 내지 수백 미크론에 이르는 깊은 홈이나 분지 형태의 패턴이 있을 경우에 스핀 코팅에 의한 균일한 포토레지스트의 도포가 어려운 문제점을 해소하는데 그 목적이 있는 것으로, 깊은 홈이나 분지를 형성하기 위한 식각패턴을 형성한 단계에서 식각패턴 위에 내부 식성 물질로 이루어진 다리 형태의 뚜껑을 먼저 형성시키고 다리 측면과 상판에 형성된 적은 틈새를 통하여 깊은 홈이나 분지를 에칭하여, 에칭 이후에 다리가 홈이나 분지를 덮고 있게 함으로써 깊은 홈이나 분지로 인한 포토레지스트의 도포 작업시 포토레지스트의 불균일한 도포와 가장자리에서의 벗겨짐 현상등을 제거하는 이점이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970048663A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950047438
申请日：1995-12-07
IPC: G02B6/42
Abstract: 본 발명은 광통신기구인 고속 광통신모듈 패키지 및 그 제작방법에 관한 것으로 실리콘 기판상의 V-홈을 이용한 수동정렬방법으로 광소자와 광섬유간에 광결합을 이룬 광결합모듈과 이를 구동하기 위한 신호를 처리하는 회로가 담긴 구동회로기판을 안전하게 실장하고, 특성 측정을 용이하게 하며, 구동회로 기판의 재질이나 두께가 광결합모듈의 규격에 제약받지 않도록 하고, 실장된 능동소자들의 냉각을 도모하는 밀봉이 가능한 패키지 장치를 제공함으로써 소자의 성능을 유지하면서도 소형의 고속 광통신 모듈의 제작을 가능하게 하기위한 것이다. 수동정렬법으로 제작된 광결합모듈의 실장에 광결합모듈받침대, 접속마운트, 광섬유고정대의 3개 부분으로 구성되어 있는 별도의 광결합모듈용 리셉터클을 사용하고, 이와 함께 광결합모듈을 구동하기 위한 회로기판을 실장하며 외부의 회로와 연결되는 연결핀을 구비하며 리셉터클을 결속할 수 있고 밀봉이 가능한 패키지를 사용하여, 이들 둘을 결속한 후 회로를 연결하고 패키지를 밀봉하도록 함을 특징으로 하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970048625A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950047876
申请日：1995-12-08
IPC: G02B1/00
Abstract: 본 발명의 실리콘 기판상의 V-홈을 이용하는 수동정렬방법으로 광소자와 광섬유간에 광결합을 이룬 광결합 모듈을 실장하기 위한 패키지 장치에 관한 것으로, 광섬유가 끼워져서 고정되며, 광소자와 광섬유가 결합된 광결합 모듈을 고정시키는 리셉터클; 상기 리셉터클을 구동회로 패키지에 고정시키는 플랜지; 및 상기 리셉터클과 광섬유에 끼워져서 광섬유가 휘어 파손되는 것을 방지하는 기능을 하는 광섬유 보호수단으로 구성되는 것을 특징으로 하여, 광결합모듈 구동회로 패키지를 이용하지 않고도 광결합모듈을 단독으로 실장할 수 있게 하며 피복이 벗겨져 노출된 광섬유를 외부의 접촉으로부터 격리하고 광섬유를 단단히 고정하며 소형의 광모듈제작을 가능하게 하고 광결합모듈의 특성 측정을 용이하게 할 뿐 아니라 두께에 제약받지 않는 다양한 종류의 구동회로 기판의 사용도 가능하게 하는 효과가 있다.
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49.发明公开
公开(公告)号：KR1019970031119A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042115
申请日：1995-11-18
IPC: H01S3/10
Abstract: 본 발명은 광통신용 반도체 레이저의 구동회로에 관한 것으로 특히, 상기 반도체 레이저에서 출력되는 광신호를 검출하는 광검출기에서 발생되는 광전류를 입력받아 소정치로 증폭출력하는 제 1 연산증폭기와; 제 1 연산증폭기에서 출력되는 신호를 분배하여 두군데로 출력하는 신호분배수단; 및 신호분배수단에 의해 분배되어 출력되는 전압신호과 바이어스 전류 기준전압과 변조전류 기준전압을 각각 입력받아 바이어스 및 변조전류 진폭을 조정하는 제2, 3 연산증폭기로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 광출력 안정화 회로를 제공하여 모니터 광검출기와 비교적 간단한 궤환회로에 의해 반도체 레이저의 평균 광출력과 소광비를 일정하게 유지시킨다.
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公开(公告)号：KR1019970004495B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930018267
申请日：1993-09-10
IPC: H01L29/86 , H01L29/8605
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: A semiconductor light-switch manufacturing method using band rate change to light waveguide by current infusion. In case of previouse light-switch having to Zn spreading inside of waveguide line, by making P electrode inside of Zn spreading area, in production limitation was given in decreasing waveguide width and minus contact area. The purpose of this invention is providing method of manufacturing semiconductor light-switch in order to design waveguide line width freely. The said method comprising the steps of : on the n type InP board using epitecthing method orderly growing n type waveguide line layer and n type InP, spreading Zn at front side, spreading P type electrode at reflecting sife depositing n typr electrode after etching each layer on the waveguide line layer.
Abstract translation: 一种半导体光开关制造方法，其通过电流注入对光波导进行带隙变化。 在Zn扩散到波导线内部的先行光开关的情况下，通过使P电极在Zn扩散区域内部，在波导宽度和负接触面积减小的情况下进行限制。 本发明的目的是提供制造半导体光开关的方法，以便自由地设计波导线宽度。 所述方法包括以下步骤：在n型InP板上，使用具有顺序生长的n型波导线层和n型InP的n型InP板，在正面扩展Zn，在蚀刻每层之后扩散P型电极以反射生长n型电极 在波导线层上。
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