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公开(公告)号：KR1019970006607B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930027341
申请日：1993-12-11
Abstract: A method for fabricating an optical switch is described that provides a structure which can improve the operation speed of the optical switch. The method includes the steps of forming an n--InGaAs light guiding path layer 2 and n--InP layer 3, selectively removing the n--InP layer 3 and light guiding path layer 2, forming an n+-InGaAs light guiding path layer 4, an n--InP clad layer 5, n--InP blocking layer 6, n--InGaAs capping layer 7 and p--InGaAs capping layer 8 in sequence, selectively etching the parts which refect the light, diffusing Zn at the parts, selectively etching the p--InGaAs capping layer 8, n--InGaAs capping layer 7, n--InP blocking layer 6 and n--InP clad layer 5, depositing a SiNx insulating layer 9, and selectively etching the insulating layer 9, forming a p-type electrode 11 prior to deposition of an n-type electrode. Thereby, it is possible to improve the operation speed of the optical switch and thus increase the amount of data exchanged.
Abstract translation: 描述了一种用于制造光开关的方法，其提供了可以提高光开关的操作速度的结构。 该方法包括以下步骤：形成n-InGaAs导光路径层2和n-InP层3，选择性地去除n-InP层3和导光路径层2，形成n + -InGaAs光导路径层 如图4所示，n-InP包层5，n-InP阻挡层6，n-InGaAs覆盖层7和p-InGaAs覆盖层8依次，选择性地蚀刻反射光的部分，在 选择性蚀刻p-InGaAs覆盖层8，n-InGaAs覆盖层7，n-InP阻挡层6和n-InP覆盖层5，沉积SiNx绝缘层9，并且选择性地蚀刻绝缘层 如图9所示，在n型电极沉积之前形成p型电极11。 由此，能够提高光开关的动作速度，能够增加数据交换量。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019970008342B1
公开(公告)日：1997-05-23
申请号：KR1019930027620
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: A method of fabricating a high-speed optical switch according to ion implantation includes the steps of sequentially growing an n- InGaAsP optical waveguide layer 2 and n- InP layer 3' on an n+ InP substrate 1 using epitaxy, depositing SiNx 7' on the substrate, etching a portion of the SiNx layer, corresponding to the intersection of waveguide, ion-implanting an n-type dopant 8 into the n- InGaAsP optical waveguide layer 2 and carrying out heat treatment, to activate the implanted dopant, removing the SiNx layer 7' and n- InP layer 3' ion-implanted, sequentially growing an n- InP clad layer 3, p- InP layer 4, n- InGaAs layer 5 and current blocking layer of p- InGaAs layer 6, selectively etching the n- InGaAs layer 5 in the form of groove, diffusing Zn into the overall surface of the substrate and etching a predetermined portion of the aforementioned layers formed on the waveguide layer, other than the waveguide, depositing a SiNx insulating layer 7 on the overall surface of the substrate, forming a p-type electrode 10 through lift-off process and forming an n-type electrode 11.
Abstract translation: 根据离子注入制造高速光开关的方法包括以下步骤：使用外延在n + InP衬底1上顺序地生长n-InGaAsP光波导层2和nInP层3'，将SiNx 7'沉积在 衬底，蚀刻SiNx层的一部分，对应于波导的交点，将n型掺杂剂8离子注入n-InGaAsP光波导层2中并进行热处理，以激活注入的掺杂剂，去除SiNx 层7'和n- InP层3'，依次生长n-InP包层3，p-InP层4，n-InGaAs层5和pInGaAs层6的电流阻挡层，选择性地蚀刻n - 以沟槽形式的InGaAs层5，将Zn扩散到基板的整个表面中，并且蚀刻形成在除了波导之外的波导层上的上述层的预定部分，将SiN x绝缘层7沉积在 基数 te，通过剥离工艺形成p型电极10并形成n型电极11。
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公开(公告)号：KR1019950021810A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027341
申请日：1993-12-11
Abstract: 본 발명은 전류주입에 의한 내부 전반사형 광스위치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 광스위치의 반사영역부분의 코아층의 도핑을 높게하여 도파로의 손실을 줄이고 광스위치의 동작속도를 증가시키는 내부 전반사형 광스위치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 n
+ -lnP기판(1)상에 n
- -InGaAsP광도파로층(2), n
- -lnP층(3)을 1차 결정성장하고, 도파로의 교차로 부분이 형성되는 n
- -lnP층(3), n
- -InGaAsP층(2)을 선택식각하여 제거하고, 도핑레벨을 높인 전류차단층(4~7)과 P
- -InGaAs캡층(8)을 2차 결정성장하고, 도파로 교차부분에서 전류주입시켜 광의 반사를 일으킬 부분을 홈모양으로 선택식각하고, SiNx마스크로 상기 홈모양의 선택식각된 부분만을 Zn확산하거나 웨이퍼 전면은 Zn 확산시키고, 도파로를 제외한 부분의 충돌(8~5)을 선택식각하여 제거하고, SiNx절연막(9)을 전면에 중착하고 P형전극(11)부분의 SiNx절연막(9)을 식각하고 P형전극(11)을 중착한후 n형전극(12)을 중착하여 제조한다.
또한 상기 제방법에 대한 본 발명은 전류주입에 의한 내부 전반사형 광스위치의 속도를 고속화하여 광교환용량을 증가시킨다.-
公开(公告)号：KR1019950021010A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027620
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 저류주입에 의한 광도파로의 굴절율의 변화를 이용한 내부 전반사형 광스위치에 관한 것으로, 광스위치의 반사영역 부분의 코아층에 도핑을 높게하여 도파로의 손실을 증가시키지 않고 광스위치의 동작속도를 극대화 시키는 광스위치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 2회의 에피택시 결정성장과 n형의 이온주입, Zn확산 및 선택식각 등의 공정을 통하여 제조되는 부분 고도핑형 InGaAsP/InP 전류주입에 의한 내부 전반사형 광스위치이며 광스위치의 속도를 고속화하여 광교환 용량을 증가시킨다.
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公开(公告)号：KR100122392B1
公开(公告)日：1997-09-04
申请号：KR1019930027620
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/265
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