입방정 구조의 와이비에이투씨유쓰리오엑스 박막 제조 방법
    41.
    发明公开
    입방정 구조의 와이비에이투씨유쓰리오엑스 박막 제조 방법 失效
    立方结构的WaiBiE Ito Co.,Ltd. YuTei Oax薄膜制造方法

    公开(公告)号:KR1019990024514A

    公开(公告)日:1999-04-06

    申请号:KR1019970045654

    申请日:1997-09-03

    Inventor: 성건용 서정대

    Abstract: 본 발명은 입방정 구조의 YBa
    2 Cu
    3 O
    x 박막 제조 방법에 관한 것으로, 특히 펄스레이저 증착법을 이용하여 고증착 속도로 입방정 구조의 YBa
    2 Cu
    3 O
    x 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
    YBa
    2 Cu
    3 O
    x 박막은 산화물 기판 상에 스퍼터링법, 펄스레이저 증착법, 진공 증발 증착법 등을 이용하여 저증착 속도로 제조된다. 이 때 기판의 온도 및 유입되는 산소의 압력에 따라 YBa
    2 Cu
    3 O
    x 박막의 결정 구조 및 배향성이 결정된다.
    본 발명에서는 펄스레이저 증착법을 이용하여 초전도 물질의 박막 성장에 씨앗층과 조셉슨 접합소자의 장벽층 역할을 할 수 있는 입방정 구조의 YBa
    2 Cu
    3 O
    x 박막을 고증착속도로 제조하는 방법을 제시한다.

    쌍결정 입계접합 초전도 전계효과 소자 및 그 제조 방법
    42.
    发明公开
    쌍결정 입계접합 초전도 전계효과 소자 및 그 제조 방법 失效
    双晶晶界结合的超导场效应器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019980033935A

    公开(公告)日:1998-08-05

    申请号:KR1019960051780

    申请日:1996-11-04

    Inventor: 서정대 성건용

    Abstract: 본 발명은 쌍결정 입계접합 초전도 전계효과 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, PrBa
    2 Cu
    3 O
    7-x 조성의 비초전도 박막, 소스와 드레인, 입계채널을 구성하는 YBa
    2 Cu
    3 O
    7-x 조성의 초전도 박막, SrTiO
    3 조성의 비정질 절연박막 게이트 및 Au 전극 패드가 SrTiO
    3 조성의 쌍결정 기판 상부에 순차적으로 형성된 구조를 갖는 쌍결정 입계접합 초전도 전계효과 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

    평면형 고온초전도 5극 - 저역통과 필터(5 GHz용)의 제조방법
    43.
    发明授权
    평면형 고온초전도 5극 - 저역통과 필터(5 GHz용)의 제조방법 失效
    五极低频超导体制造方法

    公开(公告)号:KR100125327B1

    公开(公告)日:1997-12-10

    申请号:KR1019930026301

    申请日:1993-12-03

    Abstract: A fabrication method of planar superconductor five poles low pass filter is provided to improve accuracy of patterns and SN(signal-to-noise) ratio in the range of microwave band. The method comprises the steps of: forming a superconductor film(1) on LaAlO3 substrate(2) using PLD(pulse laser deposition) method; spin-coating a photoresist film on the superconductor film(1) and hard baking; milling the photoresist film and the superconductor film(1) using ECR(electron cyclotron resonance); removing an Ag-paste formed in rear of the substrate(2) and polishing; and forming an input/output terminals(3) in the rear surface of the substrate. Thereby, it is possible to improve accuracy of circuit pattern.

    Abstract translation: 提供了平面超导体五极低通滤波器的制造方法,以提高微波频带范围内的图案精度和SN(信噪比)比。 该方法包括以下步骤:使用PLD(脉冲激光沉积)方法在LaAlO 3衬底(2)上形成超导膜(1); 在超导薄膜(1)上旋涂光致抗蚀剂薄膜并进行硬烘烤; 使用ECR(电子回旋共振)研磨光致抗蚀剂膜和超导膜(1); 去除形成在基板(2)后面的Ag糊料并进行抛光; 以及在所述基板的后表面中形成输入/输出端子(3)。 由此,能够提高电路图案的精度。

    비연속 회전 타깃을 이용한 펄스레이저 증착 YBa_2Cu_3O_7-x 고온초전도 박막의 표면입자 밀도 제어방법
    44.
    发明授权

    公开(公告)号:KR1019970006617B1

    公开(公告)日:1997-04-29

    申请号:KR1019930027343

    申请日:1993-12-11

    Abstract: There are provided a controlling method of a surface particle density for improving evenness of surface of YBa2Cu3O7-x thin film and a controlling method of pulse laser deposition YBa2Cu3O7-x high temperature thin film by using noncontinuous circulation target. The method is characterized in that continuous process which repeats the unit process making an incidence of pulse laser is performed in a uniform incidence with a still state after circulating a target in a certain angle without continuously circulating sintered body target(1).

    Abstract translation: 提供了一种用于改善YBa2Cu3O7-x薄膜表面的均匀度的表面颗粒密度的控制方法以及通过使用非连续循环目标的脉冲激光沉积YBa2Cu3O7-x高温薄膜的控制方法。 该方法的特征在于,在不连续循环烧结体靶(1)的情况下,在以一定角度循环靶之后,以均匀的入射状态,以静止状态进行重复进行脉冲激光入射的单位处理的连续处理。

    결정 입계 채널을 갖는 초전도 전계효과 소자와 그 제조방법
    45.
    发明公开
    결정 입계 채널을 갖는 초전도 전계효과 소자와 그 제조방법 失效
    具有晶粒边界沟道的超导场效应器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019960019820A

    公开(公告)日:1996-06-17

    申请号:KR1019940031493

    申请日:1994-11-28

    Inventor: 서정대 성건용

    Abstract: 본 발명은 결정 입계 채널을 갖는 초전도 전계 효과 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법은, 산화물 단결정 기판을 준비하는 공정과; 상기 산화물 단결정 기판의 주표면 위에 제1의 고온 초전도 박막을 증착하는 공정과; 상기 제1의 고온 초전도 박막을 패터닝하여 개구를 갖는 패턴된 초전도 박막을 형성하는 공정과; 그 위에 제1의 소정의 온도에서 밑틀층을 증착하는 공정과; 이 밑틀층을 선택적으로 에치 백하여 상기 밑틀층이 제거된 노출부와 상기 밑틀층이 증착된 성장부를 갖는 패턴된 밑틀층을 형성하는 공정과; 제2의 소정의 온도에서 제2의 고온 초전도 박막을 성장시켜 상기 노출부와 상기 밑틀층 사이에 그들의 배향 방위에 따라서 결정 입계를 형성하는 공정과; 상기 제2의 고온 초전도 박막 위에 절연층을 형성하여 상기 제2의 고온 초전도 박막이 대기 중에서의 특성으로 인해 열화되는 것을 방지하는 공정과; 상기 절연층을 선택적으로 에치 백하여 상기 개구 위에 형성된 증착부와 상기 패턴된 초전도 박막 위에 형성된 에치부들을 갖는 패턴된 절연층을 형성하는 공정과; 상기 패턴된 절연층 위에 게이트 절연층을 형성하는 공정 및; 그 위에는 금속 전극들을, 상기 에치부들 위에는 각각 소오스/드레인 전극들을, 그리고 상기 결정 입계 바로 위의 상기 게이트 절연층의 상기 증착부 위에는 게이트 전극을 코팅하는 공정으로 구성된다.
    이렇게 제조되는 본 발명의 초전도 FET에 있어서는, 결정 입계 위에 직접적으로 게이트 전극이 형성되기 때문에, 게이트 절연층을 통해 인가되는 전압에 의해 소오스 및 드레인 사이의 전류 흐름을 제어할 수 있게 된다.
    또한, 고가의 쌍결정 기판을 사용함이 없이 보다 저가의 산화물 단결정 기판에 채널로서 작용하는 결정 입계를 형성할 수 있기 때문에, 고온 초전도 FET를 경제적으로 제조할 수 있다.

    평면형 고온초전도 5극 - 저역통과 필터(5 GHz용)의 제조방법
    47.
    发明公开
    평면형 고온초전도 5극 - 저역통과 필터(5 GHz용)의 제조방법 失效
    平面高温超导5极低通滤波器(用于5 GHz)的制造方法

    公开(公告)号:KR1019950021825A

    公开(公告)日:1995-07-26

    申请号:KR1019930026301

    申请日:1993-12-03

    Abstract: 본 발명은 현재 사용되고 있는 소재와는 전혀 다른 고온 초전도체를 응용하여 정보 통신용 수동소자, 특히 마이크로파 영역에서의 성능이 매우 우수한 평면형 고온초전도 저역통과 필터의 제조방법에 관한 것이다.
    고온초전도 에피텍셜박막과 시뮬레이션으로 구한 최적의 회로패턴을 전사시킨 전자선 마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 혼합식각공정을 통해, YBa
    2 Cu
    3 O
    7-8 /LaAlO
    3 /Cr/Cu/Au구조의 마이크로파(5GHz)저역통과 필터를 제조한다.
    본 발명에 따라 제조된 소자의 저온 마이크로파 특성측정을 통해 고온초전도체의 마이크로파 응용가능성과, 저온(77K근방)에서는 기존의 금속박막형 마이크로파 수동소자보다 성능이 우수함을 확인하였다.
    고온초전도 박막의 제조에서부터 마이크로파 저역통과 필터를 구현하기까지는 복잡하고 다양한 공정들을 거치게 되지만 이러한 공정들을 통해 기판위에 형상화하는 회로패턴의 정밀도 및 예리도를 휠씬 높일 수 있게 된다.

    X-밴드(band)용 마이크로 스트립(microstrip) 고온초전도 공진기를 포함하는 고주파 하우징의 제작방법
    48.
    发明授权

    公开(公告)号:KR1019950001621B1

    公开(公告)日:1995-02-27

    申请号:KR1019910025369

    申请日:1991-12-30

    Abstract: The method for being applicable to manufacture the high temp. super conducting passive device or thin film type antenna includes the steps of: (a) designing the microwave housing with the high frequency design system; (b) patterning the resonator with optimal size by depositing the high. temp. super conducting thin film on the dielectric single crystal (MgO,LaAlO) in vacuum; and (c) inserting the resonator into the housing to form the high frequency jig.

    Abstract translation: 适用于制造高温的方法 超导无源器件或薄膜型天线包括以下步骤:(a)利用高频设计系统设计微波外壳; (b)通过沉积高分辨率来构图最佳尺寸的谐振器。 温度。 在真空中电介质单晶(MgO,LaAlO)上的超导薄膜; 和(c)将谐振器插入壳体中以形成高频夹具。

    엑시머 레이저 증착용 타겟 부착장치
    49.
    发明授权
    엑시머 레이저 증착용 타겟 부착장치 失效
    准分子激光沉积目标附着装置

    公开(公告)号:KR1019940011102B1

    公开(公告)日:1994-11-23

    申请号:KR1019910024265

    申请日:1991-12-24

    Abstract: The device for attaching a target for depositing an excimer laser includes: a cooler for maintaining the temperature of the target at a predetermined temperature; a rotator for shifting the positions of the four installed targets and rotating each target; and a cover installed on the overall surface of the target attaching device for preventing a contamination of a non-used target in case of deposition.

    Abstract translation: 用于附着用于沉积准分子激光器的靶的装置包括:用于将靶的温度保持在预定温度的冷却器; 旋转器,用于移动四个安装的目标的位置并旋转每个目标; 以及安装在目标附着装置的整个表面上的盖,用于防止在沉积的情况下污染未使用的目标物。

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