Abstract:
본 발명은 입방정 구조의 YBa 2 Cu 3 O x 박막 제조 방법에 관한 것으로, 특히 펄스레이저 증착법을 이용하여 고증착 속도로 입방정 구조의 YBa 2 Cu 3 O x 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. YBa 2 Cu 3 O x 박막은 산화물 기판 상에 스퍼터링법, 펄스레이저 증착법, 진공 증발 증착법 등을 이용하여 저증착 속도로 제조된다. 이 때 기판의 온도 및 유입되는 산소의 압력에 따라 YBa 2 Cu 3 O x 박막의 결정 구조 및 배향성이 결정된다. 본 발명에서는 펄스레이저 증착법을 이용하여 초전도 물질의 박막 성장에 씨앗층과 조셉슨 접합소자의 장벽층 역할을 할 수 있는 입방정 구조의 YBa 2 Cu 3 O x 박막을 고증착속도로 제조하는 방법을 제시한다.
Abstract:
본 발명은 쌍결정 입계접합 초전도 전계효과 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, PrBa 2 Cu 3 O 7-x 조성의 비초전도 박막, 소스와 드레인, 입계채널을 구성하는 YBa 2 Cu 3 O 7-x 조성의 초전도 박막, SrTiO 3 조성의 비정질 절연박막 게이트 및 Au 전극 패드가 SrTiO 3 조성의 쌍결정 기판 상부에 순차적으로 형성된 구조를 갖는 쌍결정 입계접합 초전도 전계효과 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract:
A fabrication method of planar superconductor five poles low pass filter is provided to improve accuracy of patterns and SN(signal-to-noise) ratio in the range of microwave band. The method comprises the steps of: forming a superconductor film(1) on LaAlO3 substrate(2) using PLD(pulse laser deposition) method; spin-coating a photoresist film on the superconductor film(1) and hard baking; milling the photoresist film and the superconductor film(1) using ECR(electron cyclotron resonance); removing an Ag-paste formed in rear of the substrate(2) and polishing; and forming an input/output terminals(3) in the rear surface of the substrate. Thereby, it is possible to improve accuracy of circuit pattern.
Abstract:
There are provided a controlling method of a surface particle density for improving evenness of surface of YBa2Cu3O7-x thin film and a controlling method of pulse laser deposition YBa2Cu3O7-x high temperature thin film by using noncontinuous circulation target. The method is characterized in that continuous process which repeats the unit process making an incidence of pulse laser is performed in a uniform incidence with a still state after circulating a target in a certain angle without continuously circulating sintered body target(1).
Abstract:
본 발명은 결정 입계 채널을 갖는 초전도 전계 효과 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법은, 산화물 단결정 기판을 준비하는 공정과; 상기 산화물 단결정 기판의 주표면 위에 제1의 고온 초전도 박막을 증착하는 공정과; 상기 제1의 고온 초전도 박막을 패터닝하여 개구를 갖는 패턴된 초전도 박막을 형성하는 공정과; 그 위에 제1의 소정의 온도에서 밑틀층을 증착하는 공정과; 이 밑틀층을 선택적으로 에치 백하여 상기 밑틀층이 제거된 노출부와 상기 밑틀층이 증착된 성장부를 갖는 패턴된 밑틀층을 형성하는 공정과; 제2의 소정의 온도에서 제2의 고온 초전도 박막을 성장시켜 상기 노출부와 상기 밑틀층 사이에 그들의 배향 방위에 따라서 결정 입계를 형성하는 공정과; 상기 제2의 고온 초전도 박막 위에 절연층을 형성하여 상기 제2의 고온 초전도 박막이 대기 중에서의 특성으로 인해 열화되는 것을 방지하는 공정과; 상기 절연층을 선택적으로 에치 백하여 상기 개구 위에 형성된 증착부와 상기 패턴된 초전도 박막 위에 형성된 에치부들을 갖는 패턴된 절연층을 형성하는 공정과; 상기 패턴된 절연층 위에 게이트 절연층을 형성하는 공정 및; 그 위에는 금속 전극들을, 상기 에치부들 위에는 각각 소오스/드레인 전극들을, 그리고 상기 결정 입계 바로 위의 상기 게이트 절연층의 상기 증착부 위에는 게이트 전극을 코팅하는 공정으로 구성된다. 이렇게 제조되는 본 발명의 초전도 FET에 있어서는, 결정 입계 위에 직접적으로 게이트 전극이 형성되기 때문에, 게이트 절연층을 통해 인가되는 전압에 의해 소오스 및 드레인 사이의 전류 흐름을 제어할 수 있게 된다. 또한, 고가의 쌍결정 기판을 사용함이 없이 보다 저가의 산화물 단결정 기판에 채널로서 작용하는 결정 입계를 형성할 수 있기 때문에, 고온 초전도 FET를 경제적으로 제조할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 현재 사용되고 있는 소재와는 전혀 다른 고온 초전도체를 응용하여 정보 통신용 수동소자, 특히 마이크로파 영역에서의 성능이 매우 우수한 평면형 고온초전도 저역통과 필터의 제조방법에 관한 것이다. 고온초전도 에피텍셜박막과 시뮬레이션으로 구한 최적의 회로패턴을 전사시킨 전자선 마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 혼합식각공정을 통해, YBa 2 Cu 3 O 7-8 /LaAlO 3 /Cr/Cu/Au구조의 마이크로파(5GHz)저역통과 필터를 제조한다. 본 발명에 따라 제조된 소자의 저온 마이크로파 특성측정을 통해 고온초전도체의 마이크로파 응용가능성과, 저온(77K근방)에서는 기존의 금속박막형 마이크로파 수동소자보다 성능이 우수함을 확인하였다. 고온초전도 박막의 제조에서부터 마이크로파 저역통과 필터를 구현하기까지는 복잡하고 다양한 공정들을 거치게 되지만 이러한 공정들을 통해 기판위에 형상화하는 회로패턴의 정밀도 및 예리도를 휠씬 높일 수 있게 된다.
Abstract:
The method for being applicable to manufacture the high temp. super conducting passive device or thin film type antenna includes the steps of: (a) designing the microwave housing with the high frequency design system; (b) patterning the resonator with optimal size by depositing the high. temp. super conducting thin film on the dielectric single crystal (MgO,LaAlO) in vacuum; and (c) inserting the resonator into the housing to form the high frequency jig.
Abstract:
The device for attaching a target for depositing an excimer laser includes: a cooler for maintaining the temperature of the target at a predetermined temperature; a rotator for shifting the positions of the four installed targets and rotating each target; and a cover installed on the overall surface of the target attaching device for preventing a contamination of a non-used target in case of deposition.
Abstract:
본 발명은 수 GHz이상의 고주파대역에서 사용되는 이동통신 및 위성통신 시스템에서의 불필요한 잡음(nose)을 제거할 수 있고, 손실 특성들의 향상된 고온초전도 고주파 공진기의 제조방법에 관한것으로, 특히 임계온도(T c )이하에서는 전기 저항이 없어지는 고온초전도 박막을 이용하고 소장의 구조는 고리형(ring type)으로 함으로써 경박단소화와 저온 고주파 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 통신용 고주파 고리형 공진기(Ring resonator)의 제조방법에 관한것이다.