公开(公告)号：KR1019950010142A

公开(公告)日：1995-04-26

申请号：KR1019930018144

申请日：1993-09-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 유지범 ,  박찬용 ,  조호성

IPC: H01L31/107

Abstract: 본 발명은 에벌렌치 포토다이오드와 같은 높은 전압하에서 사용되는 소자에 있어 전기장의 집중현상에 의한 조기항복을 방지하기 위한 가드링 제조방법에 관한 것으로, 그 공정은 n
- 형 InP 증폭층(5)위에 가드링 부분을 소정의 형태로 식각하고, 이 식각된 부분에 액상에피택시법이나 에피성장시스템을 이용하여 소정의 낮은 농도로 P
- 형 InP층(7)을 형성하고 이 n
- 형 InP층(7) 보다도 상대적으로 높은 농도로 P
- 형 InP층(8)을 형성하여 제조공정이 간단하고, 상기 액상에피택시법을 이용하므로 소자제작 공정을 간단하게 하여 소자제작의 재현성 및 용이성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100378596B1

公开(公告)日：2003-03-31

申请号：KR1020000046392

申请日：2000-08-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  조호성 ,  이철욱 ,  편광의

IPC: G02F1/00

CPC classification number: G02F1/21 ,  G02F2001/212

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to keep an interference optical path regular and to simplify the manufacturing process by forming the vertically layered structure with two optical waveguide arms in a modulator arm area. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator consists of an input optical waveguide area(2), a modulator arm area(3) and an output optical waveguide area(4). The input/output optical waveguide areas receive input/output optical waveguide layers(5,6) used as cores respectively. The areas are divided into upper clad layers and upper clad layers centering on the inserted optical waveguide layers. The input/output optical waveguide layers have thickness getting smaller in the forward direction of light in the input optical waveguide area and getting larger in the forward direction in the output optical waveguide area. In the modulator arm, upper/lower optical waveguide layers(7,9) are layered vertically with a p-type metal contact layer(8) having a low band gap energy in the middle. Thereby, the interference optical path is kept regular.

Abstract translation: 目的：提供半导体光学调制器以保持干涉光路规则并通过在调制器臂区域中形成具有两个光学波导臂的垂直分层结构来简化制造过程。 构成：半导体光调制器由输入光波导区域（2），调制器​​臂区域（3）和输出光波导区域（4）组成。 输入/输出光波导区域分别接收用作核心的输入/输出光波导层（5,6）。 这些区域被分成以插入的光波导层为中心的上包层和上包层。 输入输出光波导层的厚度在输入光波导区域中的光的正向方向上变小，并且在输出光波导区域中在正向上变大。 在调制器臂中，上部/下部光波导层（7,9）与中间具有低带隙能量的p型金属接触层（8）垂直层叠。 由此，干涉光路保持规则。

公开(公告)号：KR1020020013986A

公开(公告)日：2002-02-25

申请号：KR1020000046392

申请日：2000-08-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  조호성 ,  이철욱 ,  편광의

IPC: G02F1/00

CPC classification number: G02F1/21 ,  G02F2001/212

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to keep an interference optical path regular and to simplify the manufacturing process by forming the vertically layered structure with two optical waveguide arms in a modulator arm area. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator consists of an input optical waveguide area(2), a modulator arm area(3) and an output optical waveguide area(4). The input/output optical waveguide areas receive input/output optical waveguide layers(5,6) used as cores respectively. The areas are divided into upper clad layers and upper clad layers centering on the inserted optical waveguide layers. The input/output optical waveguide layers have thickness getting smaller in the forward direction of light in the input optical waveguide area and getting larger in the forward direction in the output optical waveguide area. In the modulator arm, upper/lower optical waveguide layers(7,9) are layered vertically with a p-type metal contact layer(8) having a low band gap energy in the middle. Thereby, the interference optical path is kept regular.

Abstract translation: 目的：提供半导体光调制器以通过在调制器臂区域中形成具有两个光波导臂的垂直分层结构来保持干涉光路规则并简化制造过程。 构成：半导体光调制器由输入光波导区域（2），调制器​​臂区域（3）和输出光波导区域（4）组成。 输入/输出光波导区域分别接收用作核心的输入/输出光波导层（5,6）。 这些区域以插入的光波导层为中心分为上覆层和上覆层。 输入/输出光波导层的厚度在输入光波导区域中的光的正向方向上变小，并且在输出光波导区域中在向前方向上变大。 在调制器臂中，上/下光波导层（7,9）在中间具有低带隙能的p型金属接触层（8）垂直分层。 由此，干涉光路保持规则。

公开(公告)号：KR100277719B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980054710

申请日：1998-12-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 발진 파장 선택성 반도체 레이저소자에 관한 것으로, 본 발명은 공진기 길이방향으로 개별 p-전극과 활성층으로 구성된 4개의 영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 광도파로에 연속회절격자가 형성된 구조의 제1반사영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 주기성 회절격자가 형성된 구조의 제2반사영역과, 상기 4개의 영역 중 하나를 구성하며 상기 제1 및 제2반사영역 사이에 형성되는 광이득 영역과, 상기 4개의 영역 중 나머지 하나를 구성하며 상기 제1 및 제2반사영역 사이에 형성되는 위상 보정 영역을 구비하여, 발진 파장 선택성 LD는 하나의 광소자 칩에서 임의의 WDM 광파장을 출력할 수 있어 상기 기존 광원을 대체하고, 기존의 다수의 LD와 광결합기로 구성된 광원이 가지는 고가격, 구성의 복잡성을 해소한다.

公开(公告)号：KR100275520B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980026477

申请日：1998-07-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 방사각 조절 평면 매립형 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 반도체 레이저의 활성영역을 형성하기 위하여 에피 결정성장 후 방사각 조절영역의 광흡수 억제를 위한 식각 및 결정성장 없이 활성층 영역을 정의하기 위한 메사식각 공정에서 방사각 조절 광도파로를 제작함으로써 방사각 조절 광도파로를 통하여 작은 방사각을 얻어 광섬유와의 높은 광결합 효율을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100243686B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970022975

申请日：1997-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/227

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 제조 분야
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 부가 공정 없이 고출력을 얻을 수 있으며, 동시에 광섬유와 광결합 효율을 증가시키기 위하여 출력광의 크기를 증가시킬 수 있는 평면 매립형 반도체 레이저 장치를 제공하고자 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 전면으로부터 후면을 향하여 그 폭이 선형적으로 증가하는 제1 영역과, 상기 선형 영역의 끝단의 폭을 상기 후면까지 연장한 제2 영역을 포함하는 활성층을 제안 하였다.
4. 발명의 중요한 용도
광통신, 특히 광송신기에 이용됨.

公开(公告)号：KR100243659B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970015138

申请日：1997-04-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L31/12

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광소자 및 그 제조 방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
기존의 광소자는 발광 또는 수광의 단일 기능을 가지는 개별 소자로 제조됨으로써 한 개의 소자가 하나의 기능만을 수행할 뿐 동시에 여러 기능을 함께 수행하는 것이 불가능하여 단일 기능을 가지는 기존의 광소자 여러 개로 이루어지는 광통신 단말기는 구성이 복잡하고 가격이 높은 단점이 있다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
광 신호 송신, 수신 및 검출 기능을 수행하는 개별 레이저 다이오드, 포토다이오드 및 광출력 검출을 위한 모니터 포토다이오드 광소자가 하나의 소자 내에 구성되어 광통신 단말기를 이루는 복합 기능 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
광소자 및 그 제조 방법에 이용됨

公开(公告)号：KR1019990084770A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980016754

申请日：1998-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/12

Abstract: 본 발명은 광 가입자망용 광통신 단말기에 구비되어 발광 및 수광의 기능을 하나의 광소자에서 동시에 수행하는 수직형 광 집적소자에 관한 것이다. 화합물 반도체 기판(1) 상에 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖고, 1.3㎛ 파장의 광신호를 송신하하는 매립형 구조의 하부 활성층(하부 공진기)(3)과 이 위에 1.55㎛파장의 광신호를 수신하는 리지(ridge)형 구조의 상부 활성층(상부 공진기)(5)이 수직으로 적층된다. 그 공진기들 사이에 보조 광도파로(12)를 삽입하여서 하부 공진기의 레이저 광이 상부 공진기에서 흡수되는 것을 방지하면서 동시에, 하부 공진기로 입사한 1.55㎛파장의 광신호가 상부 공진기에 효율적으로 광결합되도록 한다. 또한, 음극인 하부 전극(10)과 상부 전극(9)이 기판 및 상부 공진기 위에 독립적으로 설치되고, 공통 양극전극(13)이 보조 광도파로(12) 위에 설치된 것이다. 이러한 본 발명은, 먼저 하부 공진기에서 1.3㎛ 파장의 레이저 발진이 일어나 광신호를 외부로 송신하며 동시에 외부에서 수직형 광소자로 입력되는 1.55㎛ 파장의 광신호는 하부 공진기에 입사한 후 1.55㎛ 파장의 광을 흡수하는 상부 공진기로 결합됨으로써 광신호 수신이 일어난다. 이와 같이 광신호 송신 및 수신 기능을 동시에 수행함으로써 광 가입자망에서 광통신 단말기를 구성하는 개별 LD 및 PD 광소자를 대체한다.

公开(公告)号：KR1019990046927A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970065098

申请日：1997-12-01

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 조호성 ,  김향균 ,  이동호 ,  이상수

IPC: G02B6/00

Abstract: 본 발명은 파장분할 다중 광전송 시스템에 사용되는 희토류 원소 첨가 광섬유 증폭기의 각 파장간의 이득을 최소화 시킬 수 있는 이득 등화된 다채널 광증폭기를 제공한다.
본 발명에 따른 이득 등화된 다채널 광증폭기는 희토류 원소 첨가 광섬유를 이용한 제 1단 광섬유 증폭부(5)와 반도체 광증폭 소자를 이용한 제 2단 광증폭부(6)로 구성된다. 상기와 같은 구성을 가지는 광증폭기는 이득 특성을 자유롭게 조절할 수 있고, 이득 대역폭을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990010151A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970032813

申请日：1997-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L31/153 ,  H01L27/14

Abstract: 본 발명은 단파장 발광, 장파장 수광 및 단파장 광출력의 감시 기능이 단일 칩(chip) 내에 복합된 다기능 광소자의 구조에 관한 것으로서, 반도체 레이저(LD)의 빛이 광검출기(PD) 영역으로 전파하는 것을 방지하기 위해 LD 공진기의 한쪽 거울면으로서의 효과를 가지는 회절격자를 LD 영역의 일부에 형성하고, 단파장 LD와 장파장 PD 사이에 LD의 광출력을 흡수하여 검출하면서 동시에 LD의 빛이 PD 쪽으로 전파하는 것을 차단하는 m-PD의 영역을 삽입한 것을 특징으로 하며, 복합 기능 광소자는 1.3㎛ 파장의 광 신호 송신, 1.55㎛ 파장의 광 신호 수신 및 1.3㎛ 파장의 광 신호 세기 검출 기능을 동시에 수행함으로써, 광소자 여러개를 사용할때의 광통신 단말기의 구성이 복잡해지고 가격이 높아지는 것을 해소하고, 광 가입자망에서 전화국의 단말기를 구성하는 개별 LD, PD 및 m-PD 광소자를 대체할 수 있는 효과를 가진다.