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公开(公告)号：KR1020130112548A
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020120035014
申请日：2012-04-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/305
Abstract: PURPOSE: A spot size converter and a manufacturing method thereof are provided to improve the yield of manufactured elements, thereby improving the productivity. CONSTITUTION: A spot size converter comprises a first waveguide (31) and a second waveguide (51). The substrate contains indium phosphide (InP) or gallium arsenide (GaAs). The first waveguide comprises a core layer (30). The core layer is tapered in a first direction in one side of the substrate and extends in a predetermined width in the other side. The second waveguide comprises a waveguide layer (50). The second waveguide covers the first waveguide in one side of the substrate, extends while being tapered in a second direction opposite to the first direction, and has the waveguide layer with the same width as the core layer in the other side of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供点尺寸转换器及其制造方法以提高制造元件的产量，从而提高生产率。 构成：点尺寸转换器包括第一波导（31）和第二波导（51）。 衬底包含磷化铟（InP）或砷化镓（GaAs）。 第一波导包括芯层（30）。 芯层在基板的一侧沿第一方向逐渐变细，并在另一侧以预定的宽度延伸。 第二波导包括波导层（50）。 第二波导覆盖基板的一侧的第一波导，沿与第一方向相反的第二方向呈锥形延伸，并且在基板的另一侧具有与芯层相同的宽度的波导层。
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公开(公告)号：KR101221873B1
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：KR1020090026258
申请日：2009-03-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 다중 분포귀환 레이저 소자를 제공한다. 이 레이저 소자는 제1 분포귀환 영역, 변조 영역 및 제2 분포귀환 영역의 기판 상에 배치된 활성층, 제1 분포귀환 영역의 활성층과 커플된 제1 회절격자, 제2 분포귀환 영역의 활성층과 커플된 제2 회절격자를 포함한다. 또한, 이 레이저 소자는 제1 회절 격자에 열을 공급하는 제1 마이크로 히터, 및 제2 회절 격자에 열을 공급하는 제2 마이크로 히터를 포함한다. 제1 마이크로 히터 및 제2 마이크로 히터는 서로 독립적으로 제어된다.
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公开(公告)号：KR1020130003913A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：KR1020110065556
申请日：2011-07-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/124 , H01S5/1003 , H01S5/2077 , H01S2301/163
Abstract: PURPOSE: A distributed feedback laser diode and a manufacturing method thereof are provided to obtain a single mode characteristic by equipping a diffraction grid layer having asymmetry coupling coefficient. CONSTITUTION: A first area(111) has a first grating formed shaft. A second area(112) is formed to be adjacent to the first area. The second area has the second diffraction grid layer. An active layer is formed on first and second area frames. The first and second areas form respectively different coupling coefficients of the first and second diffraction grid layers. A distribution feedback laser diode moves a phase of diffraction grid in order to perform single longitudinal mode operation. [Reference numerals] (AA) Λ/4 phase shift diffraction grating; (BB) Diffraction grating; (CC) Active layer; (DD) Spacer
Abstract translation: 目的：提供分布式反馈激光二极管及其制造方法，通过装配具有不对称耦合系数的衍射栅格层来获得单模特性。 构成：第一区域（111）具有第一格栅形成的轴。 第二区域（112）形成为与第一区域相邻。 第二区域具有第二衍射栅格层。 在第一和第二区域框架上形成有源层。 第一和第二区域分别形成第一和第二衍射栅格层的不同耦合系数。 分布反馈激光二极管移动衍射网格的相位，以执行单纵模运行。 （标号）（AA）Λ/ 4相移衍射光栅; （BB）衍射光栅; （CC）活性层; （DD）间隔
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公开(公告)号：KR1020120035816A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：KR1020100100398
申请日：2010-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B2006/12128 , G02F2001/01741 , G02F2001/01758 , G02F2203/56 , H01S5/0085 , H01S5/02248
Abstract: PURPOSE: An optical comb generator is provided to stably generate an optical comb by being integrated on a single substrate. CONSTITUTION: An optical comb generator(100) comprises a substrate(110), a light source(120), and a Mach-Zehnder modulator(130). The Mach-Zehnder modulator comprises a first manual waveguide area(131), a modulation region(133), and a second manual waveguide area(135). The light source outputs light of a single mode. The first manual waveguide area divides the output of the light source into first light and second light. A modulation region includes a first modulator and a second modulator for respectively modulating the first light and the second light. The second manual waveguide area outputs an optical comb by combining output results of the first modulator and the second modulator.
Abstract translation: 目的：提供光梳发生器，通过集成在单个基板上来稳定地产生光梳。 构成：光梳发生器（100）包括衬底（110），光源（120）和马赫 - 曾德调制器（130）。 马赫 - 策德尔调制器包括第一手动波导区域（131），调制区域（133）和第二手动波导区域（135）。 光源输出单模光。 第一手动波导区域将光源的输出分成第一光和第二光。 调制区域包括用于分别调制第一光和第二光的第一调制器和第二调制器。 第二手动波导区域通过组合第一调制器和第二调制器的输出结果来输出光梳。
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公开(公告)号：KR101127153B1
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：KR1020090036470
申请日：2009-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/067
Abstract: 본 발명은 이중 모드 광섬유 레이저 모듈을 제공한다. 이 이중 모드 광섬유 레이저 모듈은 광섬유 레이저, 광섬유 레이저에 제1 인젝션 락킹을 제공하는 제1 인젝션 락킹부, 및 광섬유 레이저에 제2 인젝션 락킹을 제공하는 제2 인젝션 락킹부를 포함하되, 제1 인젝션 락킹부의 제1 파장과 상기 제2 인젝션 락킹부의 제2 파장은 서로 다르고, 제1 인젝션 라킹부 및 제2 인젝션 락킹부는 광섬유 레이저에서 이중 모드를 발진시킨다.
테라헤르츠 파, 인젝션 락킹, 주파수 도메인, 주파수 가변-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100698015B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020050047353
申请日：2005-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 상기 기판상에 성장시키기 위해, 상기 제1 장벽층을 성장시키는 성장온도로 상기 제1 장벽층을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점의 일부 또는 전부와 접촉하여 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 및 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리-
公开(公告)号：KR100653652B1
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020040107030
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3403 , H01S5/34373
Abstract: 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링 장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다.
터널링 장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드-
公开(公告)号：KR100620912B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020030088260
申请日：2003-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/209 , H01S5/223 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S2301/18
Abstract: 본 발명은 BH(Buried Heterostructure) 레이저에서 능동 도파로 밖으로 흐르는 누설전류를 차단하기 위하여 상부 클래드의 폭을 작게하여 저항값을 증가시킨다. 전류차단층에 걸리는 전압이 감소되어 누설전류가 차단됨으로써 주입된 전류에 대한 광 출력의 비가 향상된다. 본 발명은 반도체층을 형성한 후 도파로 중심으로부터 일정한 폭만 남기고 식각하여 상부 클래드를 형성한다. 식각에 의해 전극과 전류차단층이 아주 얇은 폭의 반도체층으로 연결되는데, 이 연결 부위는 큰 전기적 저항값을 가지므로 전류차단층에 걸리는 전압을 감소시킨다. 따라서 전류차단층으로 흐르는 누설전류를 억제시킬 수 있다. 소자의 제작을 용이하게 하기 위하여 p형 반도체층을 성장시키기 전에 아주 얇은 식각정지층을 형성함으로써 선택적 식각 방법을 이용하여 p형 반도체층을 원하는 폭으로 식각할 수 있다.
BH, 레이저, 전류차단층, 메사 구조, 도파로, 누설전류-
公开(公告)号：KR1020060059780A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020050047353
申请日：2005-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3202 , H01L33/06 , H01S5/2009 , H01S2304/02
Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 성장시키는 성장 온도에서 상기 기판 상에 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점과 적어도 부분적으로 접촉하며 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리-
公开(公告)号：KR101818034B1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：KR1020140019806
申请日：2014-02-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 매립형이종접합레이저다이오드는기판상에형성된활성층을포함하는광 생성영역; 및상기광 생성영역을감싸면서그 상부에형성되고, 상기제1 트렌치들내에형성된전류차단층들을갖는광 가둠영역을포함하고, 상기기판상에는, 상기광 생성영역의양측에제1 깊이를갖는제1 트렌치들및 상기광 가둠영역의양측에제2 깊이를갖는제2 트렌치들이제공된다.
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