公开(公告)号：GB2494012A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：GB201209073

申请日：2011-05-10

Applicant: IBM

Inventor： CHANG JOSEPHINE ,  CHANG PAUL ,  NARAYANAN VIJAY ,  SLEIGHT JEFFREY

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/00

Abstract: A method of forming a self-aligned device is provided and includes depositing carbon nanotubes (CNTs) onto a crystalline dielectric substrate, isolating a portion of the crystalline dielectric substrate encompassing a location of the CNTs, forming gate dielectric and gate electrode gate stacks on the CNTs while maintaining a structural integrity thereof and forming epitaxial source and drain regions in contact with portions of the CNTs on the crystalline dielectric substrate that are exposed from the gate dielectric and gate electrode gate stacks.

公开(公告)号：DE112011101023T5

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE112011101023

申请日：2011-05-10

Applicant: IBM

Inventor： CHANG PAUL ,  NARAYANAN VIJAY ,  SLEIGHT JEFFREY ,  CHANG JOSEPHINE

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/00

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer selbstausgerichteten Einheit wird bereitgestellt und beinhaltet das Abscheiden von Kohlenstoff-Nanoröhren (CNTs) auf einem kristallinen dielektrischen Substrat, das Isolieren eines Teils des einen Lageort der CNTs umschließenden kristallinen dielektrischen Substrats, das Bilden von Gate-Dielektrikums- und Gate-Elektroden-Gate-Stapeln auf den CNTs unter Beihaltung von deren struktureller Integrität und das Bilden epitaktischer Source- und Drain-Zonen in Kontakt mit Teilen der CNTs auf dem kristallinen dielektrischen Substrat, die von den Gate-Dielektrikums- und Gate-Elektroden-Gate-Stapeln freiliegen.