公开(公告)号：TW201522203A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103139693

申请日：2014-11-17

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 烏爾邦 安德列亞 ,  URBAN, ANDREA

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00857 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00849 ,  B81C99/0025 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132

Abstract: 一種製造微機械結構的方法，其中，在第一處理步驟中透過蝕刻法在基板中產生構造化表面，以及，在第二處理步驟中至少部分地將殘留物自該構造化表面移除，其特徵在於，在該第二處理步驟之過程中，針對該基板設置小於60Pa的環境壓力，以及設置大於150℃的基板溫度。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造微机械结构的方法，其中，在第一处理步骤中透过蚀刻法在基板中产生构造化表面，以及，在第二处理步骤中至少部分地将残留物自该构造化表面移除，其特征在于，在该第二处理步骤之过程中，针对该基板设置小于60Pa的环境压力，以及设置大于150℃的基板温度。

公开(公告)号：TW201402736A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102118277

申请日：2013-05-23

Applicant: 巴地斯顏料化工廠 ,  BASF SE

Inventor： 李玉宙 ,  LI, YUZHUO ,  諾勒 巴斯汀 馬汀 ,  NOLLER, BASTIAN MARTEN ,  吉洛特 克里斯多夫 ,  GILLOT, CHRISTOPHE ,  法蘭茲 黛安娜 ,  FRANZ, DIANA

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: 本發明係關於一種製造半導體裝置之方法，其包括在化學機械拋光組合物(Q1)的存在下對含至少一種III-V族材料之基板或層進行化學機械拋光，該組合物(Q1)包含：(A)無機顆粒、有機顆粒、或其混合物或複合物，(B)至少一種兩性非離子介面活性劑，其具有(b1)至少一個疏水性基團；及(b2)至少一個選自由聚氧伸烷基基團組成之群之親水性基團，該等聚氧伸烷基包含(b22)除氧伸乙基單體單元以外之氧伸烷基單體單元；及(M)水性介質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种制造半导体设备之方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)的存在下对含至少一种III-V族材料之基板或层进行化学机械抛光，该组合物(Q1)包含：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)至少一种两性非离子界面活性剂，其具有(b1)至少一个疏水性基团；及(b2)至少一个选自由聚氧伸烷基基团组成之群之亲水性基团，该等聚氧伸烷基包含(b22)除氧伸乙基单体单元以外之氧伸烷基单体单元；及(M)水性介质。