-
公开(公告)号:TW201522203A
公开(公告)日:2015-06-16
申请号:TW103139693
申请日:2014-11-17
Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
Inventor: 烏爾邦 安德列亞 , URBAN, ANDREA
CPC classification number: B81C1/00857 , B81C1/00388 , B81C1/00531 , B81C1/00849 , B81C99/0025 , B81C2201/0123 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132
Abstract: 一種製造微機械結構的方法,其中,在第一處理步驟中透過蝕刻法在基板中產生構造化表面,以及,在第二處理步驟中至少部分地將殘留物自該構造化表面移除,其特徵在於,在該第二處理步驟之過程中,針對該基板設置小於60Pa的環境壓力,以及設置大於150℃的基板溫度。
Abstract in simplified Chinese: 一种制造微机械结构的方法,其中,在第一处理步骤中透过蚀刻法在基板中产生构造化表面,以及,在第二处理步骤中至少部分地将残留物自该构造化表面移除,其特征在于,在该第二处理步骤之过程中,针对该基板设置小于60Pa的环境压力,以及设置大于150℃的基板温度。
-
42.在包括特定非離子介面活性劑之化學機械拋光組合物的存在下進行III-V族材料之化學機械拋光以製造半導體裝置之方法 审中-公开
Simplified title: 在包括特定非离子界面活性剂之化学机械抛光组合物的存在下进行III-V族材料之化学机械抛光以制造半导体设备之方法公开(公告)号:TW201402736A
公开(公告)日:2014-01-16
申请号:TW102118277
申请日:2013-05-23
Inventor: 李玉宙 , LI, YUZHUO , 諾勒 巴斯汀 馬汀 , NOLLER, BASTIAN MARTEN , 吉洛特 克里斯多夫 , GILLOT, CHRISTOPHE , 法蘭茲 黛安娜 , FRANZ, DIANA
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B81C2201/0121 , B81C2201/0123 , B81C2201/0126 , H01L21/02024 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/3212 , H01L21/461
Abstract: 本發明係關於一種製造半導體裝置之方法,其包括在化學機械拋光組合物(Q1)的存在下對含至少一種III-V族材料之基板或層進行化學機械拋光,該組合物(Q1)包含:(A)無機顆粒、有機顆粒、或其混合物或複合物,(B)至少一種兩性非離子介面活性劑,其具有(b1)至少一個疏水性基團;及(b2)至少一個選自由聚氧伸烷基基團組成之群之親水性基團,該等聚氧伸烷基包含(b22)除氧伸乙基單體單元以外之氧伸烷基單體單元;及(M)水性介質。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种制造半导体设备之方法,其包括在化学机械抛光组合物(Q1)的存在下对含至少一种III-V族材料之基板或层进行化学机械抛光,该组合物(Q1)包含:(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物,(B)至少一种两性非离子界面活性剂,其具有(b1)至少一个疏水性基团;及(b2)至少一个选自由聚氧伸烷基基团组成之群之亲水性基团,该等聚氧伸烷基包含(b22)除氧伸乙基单体单元以外之氧伸烷基单体单元;及(M)水性介质。
-