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公开(公告)号:CN103304725A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201310139586.5
申请日:2013-02-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C08F220/14 , C08F220/22 , C09D133/12 , C09D133/16 , B82Y40/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B44C1/227 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , Y10T428/24802
Abstract: 自组装结构、其制备方法以及包括其的制品。本申请公开了一种聚合物组合物,其包括由式(1)所示单体或具有式(2)所示结构的单体与具有至少一个氟原子取代基和具有式(3)所示结构的单体反应得到的无规共聚物。
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公开(公告)号:CN102540704A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110462291.2
申请日:2011-09-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: G03F7/0388 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F212/08 , C08F220/18 , C08F297/026 , G03F7/0002 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/165 , G03F7/26
Abstract: 一种形成图案的方法,包括通过照射光敏层的一部分,使在包括光酸产生剂的光敏层中产生的酸扩散进入底层的邻近部分中,该底层包括含有酸可分解基团、连接基团和官能团的酸敏共聚物,其中该光敏层配置在底层的表面上,扩散包括加热该底层和光敏层,底层中的酸敏共聚物的酸敏基团与所扩散的酸反应,以在底层的表面上形成极性区域,该极性区域具有图案的形状;去除光敏层;在该底层的表面上形成自组装层,该自组装层包括嵌段共聚物,该嵌段聚合物包括第一嵌段和第二嵌段,其中该第一嵌段形成对齐该极性区域的第一微区,并且该第二嵌段形成了邻近该第一微区对齐的第二微区,并移除该第一或第二微区以暴露出该底层的下层部分。
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公开(公告)号:CN102428022A
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN201080021334.7
申请日:2010-04-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C1/00404 , B81C2201/0149 , H01L21/0337 , H01L21/31144
Abstract: 使用例如光刻法在基底上形成开口,该开口具有侧壁,其横截面由曲线轮廓的及凸面的区段构成。例如,该开口的横截面可由交迭的圆形区域构成。该侧壁在多个点邻接,在该邻接处限定突出部。包括嵌段共聚物的聚合物的层施加于该开口及该基底上,并让其自组装。在开口中形成分离、隔开的畴,将所述畴除去以形成孔,该孔可被转印至下方基底。这些畴及与它们所对应的孔的位置由侧壁及它们的相关突出部处定向于预定的位置。这些孔分开的距离可大于或小于该嵌段共聚物(及任何添加剂)在无任何侧壁下自组装时的这些孔分开的距离。
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公开(公告)号:CN102015524A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200980115861.1
申请日:2009-04-20
Applicant: 美光科技公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L29/0657 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/02118 , H01L21/0223 , H01L29/06 , Y10S438/947 , Y10S977/888 , Y10S977/895 , Y10S977/90 , Y10T428/24182 , Y10T428/24521 , Y10T428/2462 , Y10T428/249921
Abstract: 本发明提供利用自我组装嵌段共聚物制造呈成列阵列的亚光刻纳米级微结构的方法以及自所述方法形成的膜和装置。
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公开(公告)号:CN101971093A
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200980104066.2
申请日:2009-01-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B41N1/08 , B05D1/283 , B41N3/036 , B81C99/009 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , Y02C20/30 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供用于制造用于对衬底进行图案化的印模和系统的方法,和由所述方法产生的装置。
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公开(公告)号:CN100570814C
公开(公告)日:2009-12-16
申请号:CN200710008274.5
申请日:2007-01-26
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , Y10S430/146 , Y10T428/24479 , Y10T428/24488 , Y10T428/2457 , Y10T428/2462
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底表面上形成自组织图形的方法。首先,在衬底上施加嵌段共聚物层,所述层包括具有两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分的嵌段共聚物,所述衬底包括在其中具有沟槽的衬底表面。所述沟槽具体包括至少一个窄区域,其两侧连接两个宽区域,其中所述沟槽具有超过50%的宽度变化。接着,实施退火,以在所述嵌段共聚物层中的两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分之间实现相分离,由此形成由重复结构单元限定的周期性图形。具体地说,所述沟槽的窄区域处的周期性图形在预定方向上排列并且基本上无缺陷。本发明还描述了通过上述方法形成的嵌段共聚物膜和包括此嵌段共聚物膜的半导体结构。
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公开(公告)号:CN101335190A
公开(公告)日:2008-12-31
申请号:CN200810128529.6
申请日:2008-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: B81C1/00031 , B81B2203/0315 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , H01L21/31144 , H01L21/7682 , H01L2221/1047
Abstract: 公开了将自组装纳米结构图案化和形成多孔电介质的方法。一方面,该方法包括在下层上提供硬掩模;用光刻胶在该硬掩模上预限定待在图案化过程中进行保护的区域;在该硬掩模及该光刻胶上形成共聚物层;由该共聚物形成自组装纳米结构;以及蚀刻以将该自组装纳米结构图案化。
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公开(公告)号:CN100429142C
公开(公告)日:2008-10-29
申请号:CN200410013641.7
申请日:2004-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor: 王铀
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0149
Abstract: 面向纳米微加工嵌段共聚物模板自组装形态调控方法,它涉及一种在纳米微加工时所需要的模板图案的调控方法。目前能调控嵌段共聚物形态的处理方法具有调控能力有限、处理工艺比较复杂、所需时间很长的缺点。本发明的操作方法为:将嵌段共聚物溶解在二甲苯溶剂中配制成溶液,将溶液浇铸在基片表面自然挥发成膜,然后将基片放置于密闭容器内,再向密闭容器内滴加有机溶剂后密封,取出即为模板。本发明具有调控出来模板的形态多样性、调控过程高度可控、模板形态高度有序、调控不需复杂设备,工艺简单,成本低,效率高、能在基片上得到几百纳米尺度的各种图案等诸多优点,用本发明的方法还可以得到类似于圆锥齿轮形状的自组装模板图案。
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公开(公告)号:CN107075050B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201580059546.7
申请日:2015-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F293/00 , C08J5/18
CPC classification number: G03F7/165 , B05D1/005 , B05D3/007 , B81C1/00428 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C01P2002/70 , C07B2200/00 , C08F2/14 , C08F32/06 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F216/12 , C08F220/10 , C08F220/26 , C08F220/30 , C08F293/00 , C08F293/005 , C08F299/024 , C08F2220/301 , C08F2438/03 , C08G61/08 , C08G61/12 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/332 , C08G2261/3324 , C08G2261/40 , C08G2261/418 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J2353/00 , C08L53/00 , C08L53/005 , C08L53/02 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/162 , G03F7/2004 , G03F7/30 , H01L21/0273 , H01L21/31055 , H01L21/31056 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , C08F214/182
Abstract: 本申请涉及嵌段共聚物及其用途。本申请可提供表现出优异的自组装性并因此可以有效地用于多种应用的嵌段共聚物以及其用途。
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公开(公告)号:CN107075053B
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201580059758.5
申请日:2015-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/08 , C08F220/10 , C08L53/00 , C08J5/18 , G03F7/00
CPC classification number: C08L53/005 , B05D1/005 , B05D3/007 , B81C1/00428 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C01P2002/70 , C07B2200/00 , C08F2/14 , C08F32/06 , C08F212/08 , C08F216/12 , C08F220/10 , C08F220/26 , C08F220/30 , C08F293/00 , C08F293/005 , C08F297/00 , C08F299/00 , C08F299/024 , C08F2220/301 , C08F2438/03 , C08G61/08 , C08G61/12 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/332 , C08G2261/3324 , C08G2261/40 , C08G2261/418 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J2353/00 , C08L53/00 , C08L53/02 , C09D153/00 , G03F7/00 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/162 , G03F7/165 , G03F7/2004 , G03F7/30 , H01L21/0273 , H01L21/31055 , H01L21/31056 , H01L21/31058 , C08F214/182 , C08F261/06
Abstract: 本申请提供了嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物表现出优异的自组装特性或相分离特性,可具备多种所需功能而无限制,并且特别是可确保蚀刻选择性,使得所述嵌段共聚物可有效地适用于如图案形成这样的用途。
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