公开(公告)号：JP2017524126A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2017502648

申请日：2015-08-20

Applicant: シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド ,  シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド

Inventor： イロン ジン ,  イロン ジン

IPC: G01J1/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0197 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J5/024

Abstract: MEMS二層浮遊微小構造の製作方法であって、基板上に第一膜体と、基板と第一膜体を連結するアーム状梁と、を形成するステップと、第一膜体とアーム状梁上に犠牲層を形成するステップと、第一膜体上に位置する犠牲層をパターン化することにより、支持構造を形成するための凹部を形成し、該凹部の底部に第一膜体を露出させるステップと、犠牲層上に媒体層を堆積形成するステップと、媒体層をパターン化することにより、第二膜体と前記支持構造を形成し、該支持構造で第一膜体と第二膜体を連結するステップと、犠牲層を除去することによりMEMS二層浮遊微小構造を獲得するステップとを含む。

公开(公告)号：JP5449299B2

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：JP2011260617

申请日：2011-11-29

Applicant: ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア

Inventor： エル コーエン アダム

IPC: B81C1/00 ,  C25D1/00 ,  B21C37/00 ,  C23F1/00 ,  C25D20060101 ,  C25D1/10 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D19/00 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H05K3/24

CPC classification number: C25D5/10 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/12 ,  C25D5/22 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/241 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/239

Abstract: An electroplating method that includes: a) contacting a first substrate with a first article, which includes a substrate and a conformable mask disposed in a pattern on the substrate; b) electroplating a first metal from a source of metal ions onto the first substrate in a first pattern, the first pattern corresponding to the complement of the conformable mask pattern; and c) removing the first article from the first substrate, is disclosed. Electroplating articles and electroplating apparatus are also disclosed.

Abstract translation: 一种电镀方法，包括：a）使第一衬底与第一制品接触，所述第一制品包括衬底和以衬底形式设置的贴合掩模; b）以第一图案将来自金属离子源的第一金属电镀到所述第一基板上，所述第一图案对应于所述适形掩模图案的所述补体; 和c）从第一基板上去除第一制品。 还公开了电镀制品和电镀装置。

公开(公告)号：JP4650113B2

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：JP2005169529

申请日：2005-06-09

Applicant: 富士ゼロックス株式会社

Inventor： 高幸 山田 ,  和章 田畑

IPC: B32B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: C25D5/12 ,  B32B3/085 ,  B32B15/00 ,  B32B15/04 ,  B32B15/043 ,  B32B15/20 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/205 ,  B32B2307/202 ,  B32B2457/00 ,  B81C99/008 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0197 ,  C23C26/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C25D5/022 ,  C25D5/16 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T29/49172 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24983

公开(公告)号：WO2012013361A3

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/EP2011003855

申请日：2011-08-01

Applicant: SONY CORP ,  SONY DADC AUSTRIA AG ,  FUHRMANN GERDA ,  NELLES GABRIELE ,  ROSELLI SILVIA ,  KNORR NIKOLAUS ,  PARIS ALFRED ,  KAUFMANN MARIA ,  BAUER GEORG

Inventor： FUHRMANN GERDA ,  NELLES GABRIELE ,  ROSELLI SILVIA ,  KNORR NIKOLAUS ,  PARIS ALFRED ,  KAUFMANN MARIA ,  BAUER GEORG

IPC: C08J7/04 ,  B81C1/00 ,  C08J7/06 ,  C08J7/12

CPC classification number: B81B1/00 ,  B01L3/502707 ,  B01L2300/16 ,  B01L2300/161 ,  B05D1/62 ,  B81C1/00206 ,  B81C3/00 ,  B81C2201/0197 ,  C08J7/04 ,  C08J7/047 ,  C08J7/06 ,  C08J7/123 ,  C08J2383/04 ,  C08L83/04 ,  C23C16/045 ,  Y02P20/582 ,  Y10T156/10

Abstract: The present invention relates to a polymeric substrate having a glass-like surface, in particular an etched-glass-like surface and to a chip made of at least one such polymeric substrate. The present invention also relates to a method of providing a polymeric substrate with an etched-glass-like surface. Moreover, the present invention relates to a kit for manufacturing a chip using such polymeric substrate. Moreover, the present invention relates to the use of a polymeric substrate having a glass-like surface, in particular an etched-glass-like surface for manufacturing a chip.

Abstract translation: 本发明涉及具有玻璃样表面，特别是蚀刻玻璃样表面的聚合物基材和涉及由至少一种这样的聚合物基材制成的切片。 本发明还涉及为聚合物基材提供蚀刻玻璃状表面的方法。 此外，本发明涉及一种使用这种聚合物基材制造芯片的套件。 此外，本发明涉及具有玻璃状表面的聚合物基材，特别是用于制造芯片的蚀刻玻璃状表面的用途。

公开(公告)号：WO2007075998A3

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：PCT/US2006048989

申请日：2006-12-19

Applicant: FORMFACTOR INC ,  MATHIEU GAETAN L ,  FANG TRELIANT ,  HOBBS ERIC D

Inventor： MATHIEU GAETAN L ,  FANG TRELIANT ,  HOBBS ERIC D

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B33Y10/00 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0184 ,  B81C2201/0197 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1844 ,  C25D1/003 ,  C25D1/12 ,  C25D5/02 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/1275 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: Systems and methods for depositing a plurality of droplets in a three-dimensional array are disclosed. The array can comprise a first type of droplets disposed to form a support structure and a second type of droplets forming a conductive seed layer on the support structure. A structure material can be electrodeposited onto the seed layer to create a three-dimensional structure.

Abstract translation: 公开了用于在三维阵列中沉积多个液滴的系统和方法。 阵列可以包括设置成形成支撑结构的第一类型的液滴和在支撑结构上形成导电种子层的第二类型的液滴。 可以将结构材料电沉积到种子层上以产生三维结构。

公开(公告)号：WO2007075998A2

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/US2006/048989

申请日：2006-12-19

Applicant: FORMFACTOR, INC. ,  MATHIEU, Gaetan, L. ,  FANG, Treliant ,  HOBBS, Eric D.

Inventor： MATHIEU, Gaetan, L. ,  FANG, Treliant ,  HOBBS, Eric D.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B33Y10/00 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0184 ,  B81C2201/0197 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1844 ,  C25D1/003 ,  C25D1/12 ,  C25D5/02 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/1275 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: Systems and methods for depositing a plurality of droplets in a three-dimensional array are disclosed. The array can comprise a first type of droplets disposed to form a support structure and a second type of droplets forming a conductive seed layer on the support structure. A structure material can be electrodeposited onto the seed layer to create a three-dimensional structure.

Abstract translation: 公开了用于在三维阵列中沉积多个液滴的系统和方法。 阵列可以包括设置成形成支撑结构的第一类型的液滴和在支撑结构上形成导电种子层的第二类型的液滴。 结构材料可以电沉积到种子层上以产生三维结构。

公开(公告)号：WO2005065430A2

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：PCT/US2005/000165

申请日：2005-01-03

Applicant: MICROFABRICA INC. ,  COHEN, Adam, L. ,  FRODIS, Uri ,  LOCKARD, Michael, S. ,  KUMAR, Ananda, H. ,  ZHANG, Gang ,  SMALLEY, Dennis, R.

Inventor： COHEN, Adam, L. ,  FRODIS, Uri ,  LOCKARD, Michael, S. ,  KUMAR, Ananda, H. ,  ZHANG, Gang ,  SMALLEY, Dennis, R.

IPC: B05D1/38 ,  C08K3/00 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/48 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC classification number: C25D5/48 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  Y10T156/1052

Abstract: Electrochemical fabrication methods for forming single and multilayer mesoscale and microscale structures are disclosed which include the use of diamond machining ( e.g. fly cutting or turning) to planarize layers. Some embodiments focus on systems of sacrificial and structural materials which are useful in Electrochemical fabrication and which can be diamond machined with minimal tool wear ( e.g. Ni-P and Cu, Au and Cu, Cu and Sn, Au and Cu, Au and Sn, and Au and Sn-Pb), where the first material or materials are the structural materials and the second is the sacrificial material). Some embodiments focus on methods for reducing tool wear when using diamond machining to planarize structures being electrochemically fabricated using difficult-to-machine materials ( e.g. by depositing difficult to machine material selectively and potentially with little excess plating thickness, and/or pre-machining depositions to within a small increment of desired surface level ( e.g. using lapping or a rough cutting operation) and then using diamond fly cutting to complete the process, and/or forming structures or portions of structures from thin walled regions of hard-to-machine materials as opposed to wide solid regions of structural material.

Abstract translation: 公开了用于形成单层和多层中尺度和微结构的电化学制造方法，其包括使用金刚石加工（例如飞切或车削）来平坦化层。 一些实施例集中于可用于电化学制造的牺牲和结构材料的系统，并且可以以最小的工具磨损（例如，Ni-P和Cu，Au和Cu，Cu和Sn，Au和Cu，Au和Sn， 和Au和Sn-Pb），其中第一材料或材料是结构材料，第二材料是牺牲材料）。 一些实施例着重于在使用金刚石加工以平面化使用难以加工的材料进行电化学制造的结构（例如，通过沉积难以机械材料选择性且潜在地具有少量多余电镀厚度和/或预加工沉积 到所需表面水平的小增量（例如使用研磨或粗切割操作），然后使用金刚石飞切切割来完成该工艺，和/或从硬质材料的薄壁区域形成结构或部分结构 而不是结构材料的宽固体区域。

公开(公告)号：WO2003071007A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：PCT/US2002/032943

申请日：2002-10-15

Applicant: MEMGEN CORPORATION

Inventor： COHEN, Adam, L. ,  ZHANG, Gang ,  LE, Qui, T.

IPC: C25D5/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  C25D17/02 ,  C25D21/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H05K3/241

Abstract: Various embodiments of the invention present techniques for forming structures (e.g. HARMS-type structures) via an electrochemical extrusion (ELEX TM ) process. Preferred embodiments perform the extrusion processes via depositions through anodeless conformable contact masks that are initially pressed against substrates that are then progressively pulled away or separated as the depositions thicken. A pattern of deposition may vary over the course of deposition by including more complex relative motion between the mask and the substrate elements. Such complex motion may include rotational components or translational motions having components that are not parallel to an axis of separation. More complex structures may be formed by combining the ELEX TM process with the selective deposition, blanket deposition, planarization, etching, and multi-layer operations of EFAB TM .

Abstract translation: 本发明的各种实施方案提供了通过电化学挤出（ELEX TM）方法形成结构（例如HARMS型结构）的技术。 优选的实施方案通过沉积通过无阳极适应的接触掩模进行挤出过程，其最初被压在基底上，然后随着沉积增厚逐渐拉开或分离。 沉积图案可以通过在掩模和衬底元件之间包括更复杂的相对运动而在沉积过程中变化。 这种复杂运动可以包括旋转分量或具有不与分离轴平行的分量的平移运动。 可以通过将ELEX TM工艺与EFAB TM的选择性沉积，覆盖沉积，平坦化，蚀刻和多层操作组合来形成更复杂的结构。

公开(公告)号：EP3228583A4

公开(公告)日：2018-07-25

申请号：EP15866031

申请日：2015-08-20

Applicant: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO LTD

Inventor： JING ERRONG

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01J5/02 ,  G01J5/08

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0197 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J5/024 ,  G01J5/0853

Abstract: A method for manufacturing a MEMS double-layer suspension microstructure comprises steps of: forming a first film body (310) on a substrate (100), and a cantilever beam (320) connected to the substrate (100) and the first film body (310); forming a sacrificial layer (400) on the first film body (310) and the cantilever beam (320); patterning the sacrificial layer (400) located on the first film body (310) to manufacture a recessed portion (410) used for forming a support structure (520), the bottom of the recessed portion (410) being exposed of the first film body (310); depositing a dielectric layer (500) on the sacrificial layer (400); patterning the dielectric layer (500) to manufacture a second film body (510) and the support structure (520), the support structure (520) being connected to the first film body (310) and the second film body (510); and removing the sacrificial layer (400) to obtain the MEMS double-layer suspension microstructure.

公开(公告)号：EP2259997B1

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：EP08848955.4

申请日：2008-11-12

Applicant: Nivarox-FAR S.A.

Inventor： FIACCABRINO, Jean-Charles ,  VERARDO, Marco ,  CONUS, Thierry ,  THIÉBAUD, Jean-Philippe ,  PETERS, Jean-Bernard

IPC: B81C99/00 ,  C25D1/00 ,  G04B13/00

CPC classification number: F16H55/06 ,  B81B2201/035 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/08 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  G04B13/02 ,  G04B13/022 ,  G04B19/042 ,  Y10T74/1987

Abstract: The invention relates to a method (1) for producing a silicon-metal composite micromechanical part, combining DRIE-type and LIGA-type processes. The invention also relates to a micromechanical part (51) comprising a layer containing a silicon part (53) and a metal part (41) in such a way as to form a composite-type micromechanical part (51). The invention can be used in the field of timekeeping movements.