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公开(公告)号：CN100585784C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200610172904.8
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 池应准
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J29/02 , H01J29/481 , H01J2329/8625
Abstract: 本发明提供一种电子发射显示器，包括：彼此面对的第一和第二基板、该第一基板上的荧光层、以及在该第二基板上在单元像素区域的每个处从而与该荧光层对应的电子发射区域；间隔物，在该单元像素区域的一些之间从而维持该第一和第二基板之间的预定间隙。在与各间隔物相邻的每个单元像素区域中的该电子发射区域的数量大于在不与各间隔物相邻的每个单元像素区域中的该电子发射区域的数量，从而增强该电子发射区域的亮度和发光均匀性，且防止该间隔物附近的不正常发光。
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公开(公告)号：CN100585772C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200480019647.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H05K3/0023 , H05K3/4069 , H05K3/4664 , H05K2203/0139 , H05K2203/0514
Abstract: 本发明涉及一种使用厚膜膏填塞电子器件中的孔的方法。孔可预先前存在于包括厚膜材料的基板中或在包覆基板的光致抗蚀剂层中被制造。本发明具体有用于电子场发射三极管阵列的制造，在其中孔具有细微尺寸(直径＜100μm)，以及可包含碳纳米管的电子发射器厚膜膏具有高价值。
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公开(公告)号：CN101622686A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006085.7
申请日：2008-02-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种通过含有具有最佳范围的粒径的导电性粒子而能够保持CNT与阴极电极的良好电接触的电子发射源用膏。本发明的电子发射源用膏，含有直径为1nm以上且不到10nm的碳纳米管和平均粒径为0.1～1μm的导电性粒子。
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公开(公告)号：CN100573777C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610060128.2
申请日：2006-03-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J7/18 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源，其包括至少一个电子发射体，该电子发射体包括导电基底和形成在导电基底上的电子发射层，该电子发射层至少覆盖于导电基底的顶部，其包含吸气剂微粒、导电金属微粒、纳米材料和玻璃，且该吸气剂微粒、导电金属微粒、纳米材料和玻璃混合形成所述电子发射层。本发明还涉及一种制造上述场发射电子源的方法。
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公开(公告)号：CN100561644C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200610067075.7
申请日：2006-03-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J31/127
Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件，包括基板；形成在基板上的阴电极；与阴电极交叉、并与阴电极绝缘的门电极；和电连接到阴电极的电子发射区。阴电极包括，具有内部开口部分的主电极，设置在开口部分中并以一距离与主电极分隔开的分离电极，和配置在主电极和分离电极之间的阻抗层。分离电极具有通孔。电子发射区接触分离电极，并设置在通孔中。分离电极具有第一高度，且电子发射区具有较之第一高度更小的第二高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100555529C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510101028.5
申请日：2005-11-04
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射元件，其包括一基体，至少一根碳纳米管线及一导电助剂。该碳纳米管线缠绕在该基体表面，并通过该导电助剂的作用固定缠绕在该基体表面。该种场发射元件其的碳纳米管线与基体之间结合牢固，在较大电场力作用下也不易被拔出或脱落。本发明还提供该种场发射元件的制备方法。
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公开(公告)号：CN100547713C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
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公开(公告)号：CN100505134C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480004839.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/022 , C01B32/20 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明涉及电子发射特性优异的电子发射材料。本发明特别涉及一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面存在碳之外的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴的取向性石墨。
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公开(公告)号：CN101425443A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710124243.6
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J29/862 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01J2329/86
Abstract: 本发明涉及一种场发射像素管，其包括一壳体以及置于壳体内的一阴极，一荧光粉层和一阳极。该阴极与阳极间隔设置，其中，该阴极包括一阴极支撑体与一阴极发射体，该阴极发射体一端与阴极支撑体电性连接；该阳极包括一端面，且所述荧光粉层设置在该阳极端面上。
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公开(公告)号：CN101399144A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810212974.0
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/316 , H01J9/025 , H01J29/467 , H01J63/02 , H01J2201/30453 , H01J2201/316 , H01J2203/0236 , H01J2329/0444 , H01J2329/0486 , H01J2329/4634
Abstract: 本发明提供了电子发射装置及其制造方法以及包括该装置的发光设备。该电子发射装置包括：第一电极，在基板上的第一方向上延伸，并且彼此分隔；第二电极，在基板上的第一电极之间交错，并且在与第一方向相反的第二方向上延伸。第一电子发射器和第二电子发射器分别在第一电极和第二电极的侧表面上。在第一电子发射器和第二电子发射器之间形成间隙。
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