公开(公告)号：CN101127288B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710129276.X

申请日：2007-04-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金柱英

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  C07F7/02 ,  C08L83/04 ,  C08K3/04 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及一种电子发射源、用于形成该电子发射源的组合物、形成该电子发射源的方法以及包括该电子发射源的电子发射装置。所述用于形成电子发射源的组合物包含：碳基材料、硅基材料和载体，其中所述硅基材料为以下式(1)、式(2)和式(3)表示的硅基材料中的至少一种：式(1)式(2)式(3)其中R1-R22各自独立为取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C1-C20烯基、卤素原子、羟基或巯基，m和n各自独立为0-1000的整数。在显影和活化过程中，与不包含硅基材料的用于形成电子发射源的组合物相比，所述组合物具有改善的与基板的粘附性和改善的抗剥离性能。

公开(公告)号：CN1953935B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580015469.1

申请日：2005-05-13

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： W·E·福特 ,  J·韦塞尔斯 ,  安田章夫 ,  J·巴杰

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01M4/583 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/28 ,  H01G11/36 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469 ,  H01M4/624 ,  H01M4/96 ,  Y02E60/13 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/904 ,  Y10S977/906 ,  Y10S977/919 ,  Y10S977/931 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31504

Abstract: 本发明涉及碳纳米管复合材料、它的生产方法和这种复合材料的应用。

公开(公告)号：CN102884605B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180017218.2

申请日：2011-04-04

Applicant: 光实验室瑞典股份公司

Inventor： 胡秋红

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。

公开(公告)号：CN101527238B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200910128900.3

申请日：2002-07-18

Applicant: (由空军部长代表的)美利坚合众国

Inventor： D·A·小施弗勒

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明涉及场发射冷阴极。具体的，本发明涉及一种在真空管中使用的场发射冷阴极(11)。碳丝绒材料(25)由垂直于基体材料嵌入的高纵横比的碳纤维组成。碳丝绒材料(25)的尖端和/或杆部上涂覆有低功函铯盐。碳丝绒材料(25)的基体材料被结合到阴极表面(27)。冷阴极(11)当施加电场时发射电子，即使在小于900℃的操作温度下。

公开(公告)号：CN101752157A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252315.4

申请日：2009-12-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木直文 ,  西田彰志

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3046 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。

公开(公告)号：CN100505134C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200480004839.7

申请日：2004-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田尾本昭 ,  尾崎丰一 ,  出口正洋 ,  柴田元司

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01J9/022 ,  C01B32/20 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明涉及电子发射特性优异的电子发射材料。本发明特别涉及一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面存在碳之外的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴的取向性石墨。

公开(公告)号：CN1953935A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015469.1

申请日：2005-05-13

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： W·E·福特 ,  J·韦塞尔斯 ,  安田章夫 ,  J·巴杰

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01M4/583 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/28 ,  H01G11/36 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469 ,  H01M4/624 ,  H01M4/96 ,  Y02E60/13 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/904 ,  Y10S977/906 ,  Y10S977/919 ,  Y10S977/931 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31504

Abstract: 本发明涉及碳纳米管复合材料、它的生产方法和这种复合材料的应用。

公开(公告)号：CN1670112A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510050918.8

申请日：2005-01-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 俞升濬 ,  金载明 ,  南仲佑 ,  李受京 ,  文钟云 ,  李玹姃

IPC: C09K3/00 ,  H01J1/02 ,  H01J1/14

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C08K3/04 ,  C08K3/041 ,  C08K3/045 ,  C08K2201/011 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469 ,  C08L33/12

Abstract: 本发明涉及用于形成电子发射装置中电子发射源的组合物，以及由其制备的电子发射源。该组合物包括有机粘合剂树脂、碳基材料、溶剂和硅烷基化合物。本发明还提供了用于形成电子发射源的光敏组合物，该组合物包括有机粘合剂树脂、碳基材料、溶剂、选自光敏单体、光敏齐聚体和光敏聚合物的光敏组分、光引发剂和通式R′－SiR3所示的硅烷基化合物，其中R选自烷氧基、烷基、氯、氟和溴，并且R′选自乙烯基、环氧基、甲基丙烯酰基、氨基、巯基和2－(3，4－环氧环己基)乙基。该组合物具有强粘合力，由此能够增加有效辐射面积，并提高电子发射装置的电子发射效率。

公开(公告)号：CN1156866C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN99803420.7

申请日：1999-02-27

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 查尔斯·E·亨特 ,  安德烈·G·恰科霍夫斯科伊

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明提供一种场致发射阴极(20)，包括由多孔碳泡沫材料形成的发射元件(22)。该发射元件具有限定许多发射边缘的发射表面(24)。

公开(公告)号：CN1505827A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN00820055.6

申请日：2000-10-04

Applicant: 尖端设备公司

Inventor： 唐纳德·E·帕特森 ,  基思·D·贾米森

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

Abstract: 一种电子场发射装置，是通过将基材放入反应器中，加热所述基材并向所述反应器中供入氢和一种浓度约为8－13％含碳气体的混合物，同时向所述基材附近的气体混合物施加能量，持续足够的时间，以生长第一层碳基材料至厚度大于约0.5微米，接着降低所述含碳气体的浓度并继续生长第二层碳基材料，所述第二层较第一层更厚。接着从所述第一层除去基材，并将一个电极涂敷到所述第二层之上。所述装置是独立支撑的，它可作为一种冷阴极用于多种电子装置之中，如阴极射线管、放大器和行波管。基材的表面在所述第一层生长之前可进行图案加工，从而在所述场发射装置上形成一种具有图案的表面。