公开(公告)号：CN103928300A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410145672.1

申请日：2014-04-14

Applicant: 河南省科学院应用物理研究所有限公司

Inventor： 宋晓辉 ,  乔彦超 ,  赵兰普 ,  庄春生 ,  岳鹏飞 ,  张萍

IPC: H01L21/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L21/0201 ,  B81C3/001

Abstract: 本发明提供了一种基于多场耦合的键合方法，首先在衬底上制备一层金属薄膜作为基底，之后用电化学沉积的方法在金属基底表面制备纳米金属针锥结构作为键合层，最后在一定温度和压力条件下，将金属基底连接恒流脉冲电源，通电持续一段时间后断开电源，再恒温恒压保持一定时间，利用纳米界面间电流集聚和电迁移效应，产生局部焦耳热，促进原子间扩散，即可实现低温固态键合。本发明工艺简单，操作方便，较低的温度和压力增强了工艺可靠性，在三维封装、微系统制造等领域具有应用前景。

公开(公告)号：CN103681571A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310056269.7

申请日：2013-02-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 土井一英 ,  本间庄一 ,  渡边胜好 ,  西山拓 ,  生田武史 ,  奥村尚久

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/495 ,  G06K19/07732 ,  H01L21/0201 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供在使用引线框谋求低成本化的基础上使外部连接端子的露出性提高的半导体存储卡及其制造方法。实施方式的半导体存储卡（1）具备：引线框（2），其具备外部连接端子（3）、引线部（4）、芯片部件搭载部（5）和半导体芯片搭载部（6）；搭载于芯片部件搭载部（5）的芯片部件（7）；以及搭载于半导体芯片搭载部（6）的控制器芯片（8）及存储器芯片（9）。引线框（2）被树脂封装。封装树脂层（10）具有使外部连接端子（3）的表面及侧面的一部分露出并以包围外部连接端子（3）的周围的方式设置于第1面（10a）的凹部（15）。

公开(公告)号：CN101415864B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200680044355.4

申请日：2006-11-28

Applicant: 晶体公司

Inventor： R·T·邦多考弗 ,  K·摩根 ,  G·A·斯莱克 ,  L·J·斯库瓦特

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B33/02 ,  B28D5/00 ,  C23C16/34 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/30625 ,  Y10T428/21

Abstract: 减少AlN中的微孔(MV)密度可以缓解与晶体生长过程中的开裂、抛光过程中的蚀坑产生、AlN晶片中的光学透明度降低以及AlN和/或AlN镓外延生长过程中可能的生长凹坑形成相关的很多问题。这有利于实际的晶体生产策略和形成具有低缺陷密度的大的块状AlN晶体，所述低缺陷密度是例如低于104cm-3的位错密度和低于104cm-3的夹杂物密度和/或低于104cm-3的微孔密度。

公开(公告)号：CN102741977A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008182.1

申请日：2011-02-02

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0201 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

公开(公告)号：CN102054669A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010294187.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 西村茂树

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30608

Abstract: 提供处理半导体晶片的方法，所述方法的特征在于连续地实施以下步骤：(1)制备打磨的半导体硅晶片；(2)用表面活性剂清洗晶片的步骤；(3)用碱或酸清洗晶片的步骤；以及(4)用高纯度氢氧化钠蚀刻晶片的步骤。

公开(公告)号：CN108538740A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810159187.8

申请日：2018-02-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 平田和也 ,  山本凉兵 ,  高桥邦充

IPC: H01L21/66 ,  B23K26/03

CPC classification number: H01L22/12 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K31/125 ,  B23K2103/56 ,  C30B29/36 ,  C30B29/406 ,  C30B33/02 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/2686 ,  H01L22/24

Abstract: 提供半导体锭的检查方法、检查装置和激光加工装置。半导体锭的检查方法具有：分离起点形成步骤，将对于半导体锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距离上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度并且使聚光点与半导体锭相对地移动而对上表面照射激光束，形成由与上表面平行的改质层和从改质层伸长的裂纹构成的分离起点；照射步骤，从光源按照相对于上表面规定的入射角对半导体锭的上表面照射光；拍摄步骤，对利用在照射步骤中对半导体锭的上表面照射的光的反射光而形成的投影像进行拍摄而形成拍摄图像，在投影像中强调了受改质层和裂纹影响而产生在上表面的凹凸；和判定步骤，对所形成的拍摄图像和预先设定的条件进行比较而判定改质层和裂纹的状态。

公开(公告)号：CN108447769A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810088340.2

申请日：2018-01-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 平田和也 ,  山本凉兵

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/0201

Abstract: 提供晶片生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。本发明的晶片生成方法至少由下述工序构成：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；剥离开端形成工序，对于形成有剥离层(22)的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线(LB)，使裂纹(20)生长，形成剥离的开端(23)；以及晶片生成工序，将晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对晶锭(2)赋予具有与晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将晶锭(2)的一部分剥离而生成晶片(34)。

公开(公告)号：CN107785240A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710573155.8

申请日：2017-07-14

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 加藤茂 ,  佐保田勉 ,  山谷谦一 ,  升芳明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  C08G73/10

CPC classification number: H01L21/0201 ,  C08G73/10 ,  H01L21/3105

Abstract: 本实施方式的基板加热装置，包括：减压部，对涂布了溶液的基板的容纳空间的气氛进行减压；红外线加热器，能够通过红外线加热所述基板；所述红外线加热器呈在多个部位弯折的管状，并且包括：弯曲部，以向外侧凸出的方式弯折；盖部，配置为从外侧覆盖所述弯曲部的至少一部分。

公开(公告)号：CN107749392A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201710878970.5

申请日：2017-09-26

Applicant: 合肥新汇成微电子有限公司

Inventor： 李司元 ,  颜维成 ,  江富杰

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02043

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：(1)将半导体晶圆放置于具有反应气体的反应室中，反应气体与半导体晶圆表面上的氧化物进行反应形成反应产物，对半导体晶圆进行至少两次退火处理分解去除反应产物；(2)对半导体晶圆半导体层进行机械抛光，抛光工艺的抛光压力是20-35kpa，清洗抛光后的表面，进行旋转甩干和烘干处理；(3)用显影液进行表面处理的方式为对半导体晶圆进行喷涂显影液，其包括进行旋转喷涂-浸润-旋转喷涂-浸润的多次重复；(4)用去离子水对上述半导体晶圆进行至少两次清洗。

公开(公告)号：CN106847674A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710167847.2

申请日：2017-03-21

Applicant: 江苏吉星新材料有限公司

Inventor： 杨华 ,  陆昌程 ,  孙敦陆

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B32B43/00

CPC classification number: H01L21/0201 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石晶片加工用快速脱片装置，包括工作台和顶出机构，工作台上设有加热盘，顶出机构包括轴杆、杠杆和气缸，轴杆外设有轴承、第二挡板和导向套，轴承包括外圈、内圈和保持架，轴承顶部设有硅胶垫，导向套与工作台之间设有固定架，杠杆两端分别设有第一凹口和第二凹口，轴杆底部至于第一凹口内，且与杠杆铰接，升降轴端部置于第二凹口内，且与杠杆铰接，气缸连接有脚踏开关，杠杆两侧设有支撑架；本发明操作方便，可使蓝宝石晶片贴于平台加工后快速卸片，且保证产品质量。