公开(公告)号：CN1747263A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510095824.2

申请日：2003-08-15

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 山本将央 ,  樱井淳

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

Abstract: 提供一种表面发射型半导体激光器，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。

公开(公告)号：CN1203598C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02802449.4

申请日：2002-06-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 冨谷茂隆 ,  日野智公

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  Y10S438/962

Abstract: 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。

公开(公告)号：CN1614836A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410092250.9

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江崎瑞仙 ,  西垣亨彦 ,  高冈圭儿

IPC: H01S5/183 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明通过在晶面指数为(100)面等的普通衬底上制作的表面发光型半导体激光元件中，在台面内部的Al高浓度层部分形成非对称的选择氧化结构，对有源层中心部分施加各向异性的应力，从而提高偏振控制性。

公开(公告)号：CN1179191C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN98813831.X

申请日：1998-12-28

Applicant: 核心科技公司

Inventor： P·塔耶巴蒂 ,  M·阿兹米 ,  王培栋 ,  D·瓦克肖里

IPC: G01B9/02 ,  G02B26/00 ,  H01S5/32 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01S5/18388 ,  G01J3/26 ,  G02B6/4203 ,  G02B26/001 ,  G02B26/0816 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12121 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0614 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/3201

Abstract: 提供了一种方法可以精确地控制横向和纵向尺寸来制作微机电调谐垂直腔面发射激光器和微机电调谐法布里-珀罗滤光器。应变的反射介质膜堆用于多量子阱结构以对量子阱进行电子学的能带加工。也利用反射介质膜层中的适当应变而在一个反射介质膜堆中产生适当的弯曲，从而在垂直腔面发射激光器或滤光器的平面反射介质膜堆和曲面反射介质膜堆间形成共焦腔。也提供了微机电调谐垂直腔面发射激光器和滤光器结构，它包含一悬膜结构，这是由介质/金属膜或金属薄膜制成的，在其周围被金属支柱固定时，悬膜结构支持着腔调谐反射介质膜堆。空腔的精确长度和横向尺寸是使用微机械的聚酰亚胺或铝盘作牺牲层的微模铸法来实现的。而且，控制静电场使腔调谐反射介质膜堆平移来实现调谐。

公开(公告)号：CN1095231C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN97193298.0

申请日：1997-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 足立秀人 ,  木户口勳 ,  熊渕康仁

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3218 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层，并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者，一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层；并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。

公开(公告)号：CN1156909A

公开(公告)日：1997-08-13

申请号：CN96120525.3

申请日：1996-11-06

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 中村修二 ,  长滨慎一 ,  岩佐成人

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/042 ,  H01S3/025 ,  H01S3/19

CPC classification number: H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3206 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3413 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。

公开(公告)号：CN103222072B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180056609.5

申请日：2011-10-21

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： P.施托斯 ,  A.贝雷斯

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00

Abstract: 说明了一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，其中提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面。将压缩松弛的缓冲层堆叠（3）施加在所述生长衬底（2）上。将半导体层堆叠（1）变质地外延生长在缓冲层堆叠（3）上。半导体层堆叠（1）具有被设置为生成辐射的活性层。还说明了一种借助于这样的方法制造的半导体芯片（10）。

公开(公告)号：CN103026561B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201180026342.5

申请日：2011-05-26

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： R·巴特 ,  D·兹佐夫

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3406 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供了一种GaN基边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底10、有源区20、N侧波导层30、P侧波导层40、N型包覆层50和P型包覆层60。GaN衬底的特征是穿透位错密度约为1×106/cm2。N侧波导层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值。此外，对于在弛豫的N侧波导层30上的生长，所计算的有源区20的累计应变-厚度积小于其应变弛豫临界值。结果，N型包覆层50与N侧波导层30之间的N侧界面70包含一组N侧错配位错75，而P型包覆层60与P侧波导层40之间的P侧界面80包含一组P侧错配位错85。

公开(公告)号：CN104734011A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410767410.9

申请日：2014-12-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 竹中敏 ,  仓知祐司

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

CPC classification number: H01S5/183 ,  G04F5/145 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0623 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18352 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明涉及面发光激光器以及原子振荡器，提供能够实现偏振光方向的稳定的面发光激光器。本发明所涉及的面发光激光器(100)包括基板(10)、设置在基板(10)上方的层叠体(2)、至少一部分设置在层叠体(2)上方的电极(82)、以及与电极(82)电连接并被进行引线接合的焊盘(84)，层叠体(2)包括设置在基板(10)上方的第1镜层(20)、设置在第1镜层(20)上方的活性层(30)、和设置在活性层(30)上方的第2镜层(40)，在俯视时，具有第1变形赋予部(2a)、第2变形赋予部(2b)、以及设置在第1变形赋予部(2a)与第2变形赋予部(2b)之间并使由活性层(30)产生的光谐振的谐振部(2c)，在俯视时，焊盘(84)被设置在与第1变形赋予部(2a)以及第2变形赋予部(2b)中的至少一方不重叠的位置上。

公开(公告)号：CN103215648A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310119866.X

申请日：2007-02-06

Applicant: 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 ,  首尔半导体株式会社

Inventor： 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 ,  诺姆·佩托维奇·索西沁 ,  瓦列里·佩托维奇·苏切科夫 ,  尼古拉·瓦伦蒂诺维奇·施切巴科夫 ,  弗拉季米尔·瓦拉迪米诺维奇·艾伦科夫 ,  塞尔盖·亚历克桑德诺维奇·萨克哈若夫 ,  弗拉季米尔·亚历克桑德诺维奇·戈比列夫

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/50 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明是基于氮化镓生长半导体异质结构的方法。提供了一种基于III族氮化物元素的化合物和合金生长用于发光二极管的外延异质结构的方法，所述方法包括在硅酸镓镧基底上利用气相沉积生长由式子AlxGa1-xN表示的一层或多层异质结构层的步骤，其中，0≤x≤1，其中，硅酸镓镧基底用Ce和Pr进行掺杂。