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公开(公告)号：TW201608729A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104113661
申请日：2015-04-29
Applicant: 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 莎栩思 伊繆爾M , SACHS, EMANUEL M. , 強克席克 拉爾夫 , JONCZYK, RALF , 羅倫茲 亞當L , LORENZ, ADAM L. , 華萊士 理查德L , WALLACE, RICHARD L. , 胡德森 喬治D 斯蒂芬 , HUDELSON, GEORGE D. STEPHEN
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: C30B11/02 , C30B29/06 , H01L29/0657 , H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本發明提供的在控制位置處有薄區域以及較厚區域的半導體晶圓可以用於光伏特中。該內部可以小於180微米或更薄，薄至50微米，其具有一位在180微米至250微米處的較厚部分。薄晶圓有較高的效率。一較厚的周圍提供搬運強度。較厚的條狀部、平台部、以及島狀部係用於金屬層耦合。晶圓可以直接從一熔融物來製作，其上排列著一具有不同熱抽出傾向之多個區域的模板用以對應於多個相對厚度的多個位置。間隙氧含量少於6x1017個原子/cc，較佳的係，少於2x1017個原子/cc，總氧含量少於8.75x1017個原子/cc，較佳的係，少於5.25x1017個原子/cc。較厚的區域形成具有相對較高熱抽出傾向的相鄰模板區域；較薄的區域形成具有較小抽出傾向的相鄰區域。較厚的模板區域有較高的抽出傾向。在該模板上的功能材料同樣有不同的抽出傾向。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供的在控制位置处有薄区域以及较厚区域的半导体晶圆可以用于光伏特中。该内部可以小于180微米或更薄，薄至50微米，其具有一位在180微米至250微米处的较厚部分。薄晶圆有较高的效率。一较厚的周围提供搬运强度。较厚的条状部、平台部、以及岛状部系用于金属层耦合。晶圆可以直接从一熔融物来制作，其上排列着一具有不同热抽出倾向之多个区域的模板用以对应于多个相对厚度的多个位置。间隙氧含量少于6x1017个原子/cc，较佳的系，少于2x1017个原子/cc，总氧含量少于8.75x1017个原子/cc，较佳的系，少于5.25x1017个原子/cc。较厚的区域形成具有相对较高热抽出倾向的相邻模板区域；较薄的区域形成具有较小抽出倾向的相邻区域。较厚的模板区域有较高的抽出倾向。在该模板上的功能材料同样有不同的抽出倾向。
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公开(公告)号：TWI520365B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW098130039
申请日：2009-09-07
Applicant: 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 賈柏 安德魯M , GABOR, ANDREW M. , 華勒斯 瑞查L , WALLACE, RICHARD L.
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
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公开(公告)号：TWI508846B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW098130041
申请日：2009-09-07
Applicant: 麻省理工學院 , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY , 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 玻利多 班傑明F , POLITO, BENJAMIN F. , 蓋茲 荷莉G , GATES, HOLLY G. , 莎栩思 伊繆爾M , SACHS, EMANUEL M.
IPC: B29C59/02
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公开(公告)号：TW201321088A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101137898
申请日：2012-10-12
Applicant: 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 戴能 古伊M , DANNER, GUY M. , 蓋特斯 荷利G , GATES, HOLLY G. , 塔拉索夫 梵迪密爾S , TARASOV, VLADIMIR S. , 凱恩 彼得E , KANE, PETER E. , 馬登 彼得G , MADDEN, PETER G. , 莎栩思 伊繆爾M , SACHS, EMANUEL M.
CPC classification number: B05B5/001 , B05B5/005 , B05B5/087 , B05B7/0012 , B05B12/16 , B05B13/02 , B05D1/04 , B05D1/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/6776
Abstract: 本發明係關於一基材上之薄聚合物膜之形成。描述用於進行以下操作之裝置：將固體聚合物抗蝕劑變換成小粒子氣溶膠；以靜電方式使該等粒子帶電且將該等粒子沉積至基材上；及使該等粒子匯合成連續層。進一步描述用於進行以下操作之裝置：藉由以下操作將固體抗蝕劑變換成小粒子氣溶膠：加熱該抗蝕劑以形成諸如與噴霧相容之低黏度液體，及應用噴射或衝擊噴霧及氣溶膠粒子大小設定之技術以形成該氣溶膠。進一步描述一種方法，該方法使用離子化氣體將電荷授予該等氣溶膠粒子且使用充電器件之連續序列建立將帶電粒子流引導至該基材之電場。充電器件及相關聯裝置之該連續序列導致對該等氣溶膠粒子之高收集效率。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一基材上之薄聚合物膜之形成。描述用于进行以下操作之设备：将固体聚合物抗蚀剂变换成小粒子气溶胶；以静电方式使该等粒子带电且将该等粒子沉积至基材上；及使该等粒子汇合成连续层。进一步描述用于进行以下操作之设备：借由以下操作将固体抗蚀剂变换成小粒子气溶胶：加热该抗蚀剂以形成诸如与喷雾兼容之低黏度液体，及应用喷射或冲击喷雾及气溶胶粒子大小设置之技术以形成该气溶胶。进一步描述一种方法，该方法使用离子化气体将电荷授予该等气溶胶粒子且使用充电器件之连续串行创建将带电粒子流引导至该基材之电场。充电器件及相关联设备之该连续串行导致对该等气溶胶粒子之高收集效率。
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公开(公告)号：TWI669829B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104113661
申请日：2015-04-29
Applicant: 美商1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 莎栩思 伊繆爾M , SACHS, EMANUEL M. , 強克席克 拉爾夫 , JONCZYK, RALF , 羅倫茲 亞當L , LORENZ, ADAM L. , 華萊士 理查德L , WALLACE, RICHARD L. , 胡德森 GD 斯蒂芬 , HUDELSON, G. D. STEPHEN
IPC: H01L31/0236
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI607809B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW101137898
申请日：2012-10-12
Applicant: 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 戴能 古伊M , DANNER, GUY M. , 蓋特斯 荷利G , GATES, HOLLY G. , 塔拉索夫 梵迪密爾S , TARASOV, VLADIMIR S. , 凱恩 彼得E , KANE, PETER E. , 馬登 彼得G , MADDEN, PETER G. , 莎栩思 伊繆爾M , SACHS, EMANUEL M.
CPC classification number: B05B5/001 , B05B5/005 , B05B5/087 , B05B7/0012 , B05B12/16 , B05B13/02 , B05D1/04 , B05D1/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/6776
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公开(公告)号：TWI605107B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW101130579
申请日：2012-08-22
Applicant: 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 威斯特 布萊德利M , WEST, BRADLEY M. , 史騰 艾力克 , STERN, ERIC , 克利斯席萬 傑森 , CRISCIONE, JASON
IPC: C09K13/08 , C23F1/24 , H01L21/306
CPC classification number: H01L31/02366 , C09K13/08 , H01L31/02363 , Y02E10/50
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公开(公告)号：TW201718958A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105113418
申请日：2016-04-29
Applicant: 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 傑希克 洛夫 , JONCZYK, RALF , 瓦類思 理查L , WALLACE, RICHARD L. , 哈芬 大衛S , HARVEY, DAVID S.
CPC classification number: C30B35/007 , C30B11/08 , C30B15/10 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B35/002
Abstract: 本發明係關於一種熔融半導體之主要坩堝，其自所維持之供應坩堝再備足，使得在該供應坩堝內始終存在固體及液體半導體兩相。經添加以熔化該固體材料之熱導致該固體材料改變相至液體，但在該供應坩堝內不會導致該液體之溫度任何顯著升高。該溫度偏移宜較小，小於將導致所形成產物出問題的溫度偏移。該固體產物材料充當一種溫度緩衝劑，以維持該供應液體溫度自動且被動地在或極接近相轉移溫度。對於矽，偏移保持小於90℃且甚至小至50℃。該等方法用鍺亦適用。完全熔化該半導體之先前技術矽方法使偏移超出100℃。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种熔融半导体之主要坩埚，其自所维持之供应坩埚再备足，使得在该供应坩埚内始终存在固体及液体半导体两相。经添加以熔化该固体材料之热导致该固体材料改变相至液体，但在该供应坩埚内不会导致该液体之温度任何显着升高。该温度偏移宜较小，小于将导致所形成产物出问题的温度偏移。该固体产物材料充当一种温度缓冲剂，以维持该供应液体温度自动且被动地在或极接近相转移温度。对于硅，偏移保持小于90℃且甚至小至50℃。该等方法用锗亦适用。完全熔化该半导体之先前技术硅方法使偏移超出100℃。
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公开(公告)号：TWI531691B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW099106727
申请日：2010-03-09
Applicant: 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 莎栩思 伊繆爾M , SACHS, EMANUEL M. , 華勒斯 瑞查L , WALLACE, RICHARD L. , 翰索 艾瑞克T , HANTSOO, EERIK T. , 羅倫絲 亞當M , LORENZ, ADAM M. , 哈德森 喬治 大衛 史帝芬 , HUDELSON, GEORGE DAVID STEPHEN , 裘賽克 瑞芙 , JONCZYK, RALF
CPC classification number: B29C33/44 , C30B11/007 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B28/04 , C30B29/06
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公开(公告)号：TW201329208A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101130579
申请日：2012-08-22
Applicant: 1366科技公司 , 1366 TECHNOLOGIES INC.
Inventor： 威斯特 布萊德利M , WEST, BRADLEY M. , 史騰 艾力克 , STERN, ERIC , 克利斯席萬 傑森 , CRISCIONE, JASON
IPC: C09K13/08 , C23F1/24 , H01L21/306
CPC classification number: H01L31/02366 , C09K13/08 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 本發明揭示用於蝕刻多晶矽基板之酸蝕刻組成物，其可包括氫氟酸、氧化劑、酸稀釋劑及可溶性矽。該可溶性矽可為六氟矽酸或氟矽酸銨。用有機抗蝕劑圖案化之矽基板可與該等酸蝕刻組成物一起用於選擇性矽圖案化以便用於太陽能電池應用。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示用于蚀刻多晶硅基板之酸蚀刻组成物，其可包括氢氟酸、氧化剂、酸稀释剂及可溶性硅。该可溶性硅可为六氟硅酸或氟硅酸铵。用有机抗蚀剂图案化之硅基板可与该等酸蚀刻组成物一起用于选择性硅图案化以便用于太阳能电池应用。
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