公开(公告)号：TW201918579A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107124150

申请日：2018-07-12

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 凡 艾琳娜 ,  FARM, ELINA

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 本申請案揭示形成自組裝單層(self-assembled monolayer；SAM)，其藉由將基板暴露於SAM前驅物至少兩次且使基板中間冷卻來進行。

Abstract in simplified Chinese: 本申请案揭示形成自组装单层(self-assembled monolayer；SAM)，其借由将基板暴露于SAM前驱物至少两次且使基板中间冷却来进行。

公开(公告)号：TW201907490A

公开(公告)日：2019-02-16

申请号：TW107113267

申请日：2018-04-19

Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 柳太熙 ,  YOO, TAE HEE ,  閔允基 ,  MIN, YOON KI ,  劉龍珉 ,  YOO, YONG MIN

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L27/105

Abstract: 一種基底處理方法包含將各自包含絕緣層和犧牲層的多個堆疊結構堆疊在彼此上。方法還包含通過蝕刻堆疊結構來產生階梯結構以及在階梯結構的側表面上產生分離層。方法更包含去除犧牲層且在去除犧牲層的空間中產生導電字線結構。分離層提供在導電字線結構之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种基底处理方法包含将各自包含绝缘层和牺牲层的多个堆栈结构堆栈在彼此上。方法还包含通过蚀刻堆栈结构来产生阶梯结构以及在阶梯结构的侧表面上产生分离层。方法更包含去除牺牲层且在去除牺牲层的空间中产生导电字线结构。分离层提供在导电字线结构之间。

公开(公告)号：TW201835380A

公开(公告)日：2018-10-01

申请号：TW106143075

申请日：2017-12-08

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 布倫堡 湯姆 E. ,  BLOMBERG, TOM E. ,  朱馳宇 ,  ZHU, CHIYU ,  圖敏南 馬可 J. ,  TUOMINEN, MARKO J. ,  賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P. ,  夏瑪 瓦倫 ,  SHARMA, VARUN

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本發明揭示熱原子層蝕刻製程。在一些具體例中，該等方法包括至少一個蝕刻循環，其中使基板交替及依序地暴露至第一氣相鹵化物反應物及第二氣相鹵化物反應物。在一些具體例中，第一反應物可包括有機鹵化物化合物。在熱ALE循環期間，基板未與電漿反應物接觸。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示热原子层蚀刻制程。在一些具体例中，该等方法包括至少一个蚀刻循环，其中使基板交替及依序地暴露至第一气相卤化物反应物及第二气相卤化物反应物。在一些具体例中，第一反应物可包括有机卤化物化合物。在热ALE循环期间，基板未与等离子反应物接触。

公开(公告)号：TWI628716B

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW107106634

申请日：2014-12-18

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 梅特羅雷傑H. ,  MATERO,RAIJA H.

IPC: H01L21/3205

公开(公告)号：TW201816171A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106119537

申请日：2017-06-13

Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 鄭元基 ,  JEONG, WON KI ,  田星訓 ,  JUN, SUNG HOON ,  鄭東洛 ,  JUNG, DONG RAK

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/687

Abstract: 本發明提供一種基板處理設備，在所述基板處理設備中，在維護/修復操作期間根據維護/修復的目的或物件來對部件進行選擇性升降。所述基板處理設備包括：腔室；第一蓋體及第二蓋體，位於所述腔室上；升降裝置，連接到所述第一蓋體並被配置成對所述第一蓋體進行升降；以及連接區。當所述升降裝置與所述第二蓋體通過所述連接區連接到彼此，或者所述第一蓋體與所述第二蓋體通過所述連接區連接到彼此時，所述第一蓋體及所述第二蓋體通過所述升降裝置進行升降。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种基板处理设备，在所述基板处理设备中，在维护/修复操作期间根据维护/修复的目的或对象来对部件进行选择性升降。所述基板处理设备包括：腔室；第一盖体及第二盖体，位于所述腔室上；升降设备，连接到所述第一盖体并被配置成对所述第一盖体进行升降；以及连接区。当所述升降设备与所述第二盖体通过所述连接区连接到彼此，或者所述第一盖体与所述第二盖体通过所述连接区连接到彼此时，所述第一盖体及所述第二盖体通过所述升降设备进行升降。

公开(公告)号：TW201806081A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106115573

申请日：2017-05-11

Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 李忠滿 ,  LEE, CHOONG MAN ,  劉龍珉 ,  YOO, YONG MIN ,  金永宰 ,  KIM, YOUNG JAE ,  千承珠 ,  CHUN, SEUNG JU ,  金仙子 ,  KIM, SUN JA

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

Abstract: 一種半導體製造方法，包含：沉積低介電常數介電層、在所述低介電常數介電層中形成溝槽、在所述溝槽中形成障壁層、在所述障壁層上填充金屬、使所述金屬平坦化和在經平坦化的所述金屬上形成罩蓋層，其中所述罩蓋層包含至少兩個層。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体制造方法，包含：沉积低介电常数介电层、在所述低介电常数介电层中形成沟槽、在所述沟槽中形成障壁层、在所述障壁层上填充金属、使所述金属平坦化和在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包含至少两个层。

公开(公告)号：TW201805473A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106116447

申请日：2017-05-18

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 馬奎德 大衛 ,  MARQUARDT, DAVID ,  伊德納克三世 安德列 麥可 ,  YEDNAK III, ANDREW MICHAEL ,  雪洛 艾立克 詹姆斯 ,  SHERO, ERIC JAMES ,  特后司特 赫伯特 ,  TERHORST, HERBERT

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556

Abstract: 本發明揭示了一種半導體裝置，該半導體裝置包括一用於均勻氣相沉積之岐管。該半導體裝置可包括一岐管，該岐管包括一孔道且具有一內壁。該內壁可至少部分地界定該孔道。該孔道之一第一軸向部分可沿著該岐管之一縱軸延伸。一供應通道可提供一氣體源與該孔道之間的流體連通。該供應通道可包括一界定穿過該岐管之該內壁的一至少部分環形之間隙的狹縫，以將一氣體自該氣體源遞送至該孔道。該至少部分環形之間隙可圍繞該縱軸。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示了一种半导体设备，该半导体设备包括一用于均匀气相沉积之岐管。该半导体设备可包括一岐管，该岐管包括一孔道且具有一内壁。该内壁可至少部分地界定该孔道。该孔道之一第一轴向部分可沿着该岐管之一纵轴延伸。一供应信道可提供一气体源与该孔道之间的流体连通。该供应信道可包括一界定穿过该岐管之该内壁的一至少部分环形之间隙的狭缝，以将一气体自该气体源递送至该孔道。该至少部分环形之间隙可围绕该纵轴。

公开(公告)号：TW201805469A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106106747

申请日：2017-03-02

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 伍德魯夫 雅各 赫夫曼 ,  WOODRUFF, JACOB HUFFMAN ,  吉文斯 麥克 尤金 ,  GIVENS, MICHAEL EUGENE ,  夏爾瑪 貝德 ,  SHARMA, BED ,  拉薩內尼 佩托 ,  RAISANEN, PETRI

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  B05D1/00 ,  H01L21/285

CPC classification number: B05D1/60 ,  B05D2203/30 ,  C23C16/04 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/285

Abstract: 本案提供用於在基板之第一H封端表面上相對於所述相同基板之第二、不同表面選擇性地沉積金屬矽化物材料之製程。在一些態樣中，提供形成用於在積體電路製造中之金屬矽化物接觸層的方法。

Abstract in simplified Chinese: 本案提供用于在基板之第一H封端表面上相对于所述相同基板之第二、不同表面选择性地沉积金属硅化物材料之制程。在一些态样中，提供形成用于在集成电路制造中之金属硅化物接触层的方法。

公开(公告)号：TW201740539A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106114905

申请日：2017-05-05

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 鈴木 俊哉 ,  SUZUKI, TOSHIYA ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J.

IPC: H01L27/01 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本發明提供用於在反應空間中在基板上沈積碳氧化矽（SiOC）薄膜的方法。所述方法可包括至少一個電漿增強型原子層沈積（PEALD）循環，所述電漿增強型原子層沈積（PEALD）循環包括使基板與不包含氮的矽前驅物及不包含氧的第二反應物交替地及依序地接觸。在某些實施例中，所述方法使得能夠沈積具有改善的耐酸系濕式蝕刻性的SiOC膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于在反应空间中在基板上沉积碳氧化硅（SiOC）薄膜的方法。所述方法可包括至少一个等离子增强型原子层沉积（PEALD）循环，所述等离子增强型原子层沉积（PEALD）循环包括使基板与不包含氮的硅前驱物及不包含氧的第二反应物交替地及依序地接触。在某些实施例中，所述方法使得能够沉积具有改善的耐酸系湿式蚀刻性的SiOC膜。

公开(公告)号：TWD186431S

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106302778

申请日：2017-05-24

Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Designer： 李主日 ,  LEE, JU IL ,  田星訓 ,  JUN, SUNG HOON ,  鄭東洛 ,  JUNG, DONG RAK ,  金承煜 ,  KIM, SEUNG WOOK