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公开(公告)号：JP5268937B2
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：JP2009541551
申请日：2007-12-12
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： エー． ミラー スティーヴン , ナタン シェクター レオニード , ツィマーマン シュテファン
CPC classification number: B23K31/02 , B23K2201/18 , B23K2201/34 , B23K2203/04 , B23K2203/05 , B23K2203/16 , B23K2203/166 , B32B38/08 , C23C24/04 , Y10T428/12076 , Y10T428/12347
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公开(公告)号：JP4980883B2
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：JP2007505153
申请日：2005-03-23
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： アール ジェプソン ピーター
CPC classification number: C22F1/18 , B21J1/025 , B21J5/00 , B21K21/02 , C21D8/0205 , C21D9/46 , Y10S72/70 , Y10T29/49826
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公开(公告)号：JP4728225B2
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：JP2006510047
申请日：2004-04-15
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： ギレ ゲーアハルト , デイリー ジェイムズ , ハート ジョーゼフ , レモン ブラッド , カマー プラバット
IPC: H01J9/14 , B21C23/01 , B21J5/00 , B22F3/16 , C22B34/34 , C22C1/02 , C22C32/00 , C22F1/18 , H01J35/08
CPC classification number: C22B34/34 , B21C23/001 , B21C23/01 , B21J1/025 , B21J5/00 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F2003/248 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/02 , C22C1/1094 , C22C27/04 , C22C32/0031 , C22F1/18 , C23C14/3414 , H01J2235/081 , H05H6/00 , B22F9/24 , B22F3/20 , B22F3/17
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公开(公告)号：JP2010516892A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2009546479
申请日：2008-01-15
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： ゼマン グレン , ロザック ゲイリー , エー ミラー スティーヴン , ビー． ウッド チャールズ , クマー プラブハット , リチャード ウー ロン−チェン
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/1017 , B22F2003/241 , B22F2003/247 , B22F2998/10 , C22C1/045 , B22F3/04 , B22F3/24
Abstract: 本発明は、圧延／焼結方法による、高密度の、耐熱性金属生成物の製造方法に関する。 本発明は、スパッタリングターゲットの製造方法、及びこのように製造されたスパッタリングターゲットにも関する。
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公开(公告)号：JP4294951B2
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：JP2002537471
申请日：2001-10-23
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： ビー トリップ テランス , エル コックス バーバラ
IPC: C22C29/16 , H01G9/052 , B22F1/00 , B22F5/00 , C22C1/04 , C22C1/05 , C22C27/02 , C22C32/00 , H01G9/00 , H01G9/14
CPC classification number: H01G9/0525 , C22C27/02 , C22C29/16 , C22C32/0068
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2009513823A
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：JP2008536705
申请日：2006-10-16
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： ロザック ゲイリー , エー． シールズ ジョン , ミラー スティーヴ , シー． ミルズ ノーマン , クマー プラブハット , イー． ゲイドス マーク , リチャード ウー ロン−チェン
IPC: C23C14/34 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/04 , C22C14/00 , C22C27/04 , C23C14/14 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/15 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/045 , B22F5/006 , B22F1/0003 , B22F3/02 , B22F3/1208 , B22F3/04
Abstract: モリブデンチタンスパッタターゲットが提供される。 一態様において、該ターゲットは実質的にβ（Ｔｉ、Ｍｏ）合金相を含まない。 もう一つの態様において、該ターゲットは実質的に単一の相β（Ｔｉ、Ｍｏ）合金からなる。 両方の態様において、スパッタリング中の粒子放出が減少される。 ターゲットを製造する方法、大面積スパッタターゲットを作製するためにターゲットをいっしょに結合する方法、および該ターゲットによって作製された膜も提供される。
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公开(公告)号：JP2008519437A
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：JP2007539213
申请日：2005-10-27
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： クマー プラブハット , エフ ブライト ヘンリー , リチャード ウー ロン−チェン
IPC: H01L23/373 , C22C5/06 , C22C9/06
CPC classification number: H01L23/3736 , H01L23/3733 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , Y10T428/12361 , Y10T428/12486 , Y10T428/12528 , Y10T428/12535 , Y10T428/12806 , Y10T428/12861 , Y10T428/12903 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 第１主要表面および第２主要表面および少なくとも部分的に第１主要表面から第２主要表面に延びる複数の開口を有する、元素周期表のＶＩＢ族の金属および／または異方性材料を含有するコアプレート、および前記開口の少なくとも一部により包囲される空間の少なくとも一部を充填する、元素周期表のＩＢ族の金属または他の高い熱伝導性材料、および場合により第１主要表面の少なくとも一部および第２主要表面の少なくとも一部の上に配置された、元素周期表のＩＢ族の金属または他の高い熱伝導性材料を有する層からなる半導体および集積回路部品用基板。
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公开(公告)号：JP2008504436A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：JP2007518157
申请日：2005-06-21
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： エム コンロン アナスタシア , ジェイ アルバレリ マイケル , エル ラーニン レオニード
CPC classification number: B22F1/0007 , B22F1/0088 , B22F1/0096 , B22F9/20 , B22F2998/00 , H01G9/0525 , B22F9/22 , B22F1/0011
Abstract: 本発明は、（１）（ａ）バルブメタル粒子を含有する第１のバルブメタル粉末成分および（ｂ）還元成分を、熱帯域を有する反応器中に供給し、（２）第１のバルブメタル粉末成分および還元成分を、同時に（ｉ）第１のバルブメタル粉末成分の粒子を凝集させ、（ｉｉ）酸素含量をバルブメタル粉末成分の粒子中で減少させ、それによって酸素が減少されたバルブメタル粒子を含有する第２のバルブメタル粉末成分を形成させるのに十分な非静的条件に晒し、この場合前記の還元成分は、マグネシウム還元成分、カルシウム還元成分、アルミニウム還元成分、リチウム還元成分、バリウム還元成分、ストロンチウム還元成分およびその組合せの群から選択されることを含む方法に関する。
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59.发明专利
公开(公告)号：JP2007500661A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：JP2006521084
申请日：2004-06-29
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： ヴェッティング ゲーアハルト , ミーンダーリング デヴィット , カマー プラッブハット , ウー リチャード , ニコルソン リチャード , エフ マクヒュー ローレンス
IPC: C01G39/02 , C23C14/08 , C23C14/34 , G02F1/1343 , H01B1/08 , H01J11/02 , H01J31/12 , H01L31/04 , H01L33/42 , H01L51/50 , H01L51/52 , H05B33/14 , H05B33/28
CPC classification number: C01G39/02 , B82Y30/00 , C01P2002/52 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/86 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , H01L33/42 , H01L51/5206
Abstract: 本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ
２ 粉末に関する。 加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。 ＭｏＯ
２ のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。 薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。 ＭｏＯ
２ およびＭｏＯ
２ を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。-
公开(公告)号：TW201842538A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107101807
申请日：2018-01-18
Applicant: 美商史達克公司 , H.C. STARCK INC.
Inventor： 潔莉莉 海莉亞 , JALILI, HELIA , 戴立 法蘭寇司-查爾斯 , DARY, FRANCOIS-CHARLES , 考克斯 芭芭拉 , COX, BARBARA
IPC: H01L21/02 , H01L21/44 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L29/49 , H01L29/786 , G06F3/041
Abstract: 在各種實施例中，諸如薄膜電晶體及/或觸控面板顯示器之電子裝置併入至少部分地藉由金屬合金基層之陽極氧化所形成之雙層。
Abstract in simplified Chinese: 在各种实施例中，诸如薄膜晶体管及/或触摸皮肤显示器之电子设备并入至少部分地借由金属合金基层之阳极氧化所形成之双层。
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