-
公开(公告)号:CN101110578A
公开(公告)日:2008-01-23
申请号:CN200710136088.X
申请日:2007-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01F21/12 , H01F41/045 , H05K1/147 , H05K1/165
Abstract: 本发明提供了一种可调电感(AI)滤波器、一种包括该滤波器的带式布线基底和一种包括该带式布线基底的显示面板组件。该可调电感(AI)滤波器包括:滤波器布线,包括均具有第一线宽度的第一端部和第二端部;至少一个修复图案,具有第二线宽度且设置在第一端部和第二端部之间;至少一个单元滤波器组,分别与至少一个修复图案并联连接。
-
公开(公告)号:CN111953908B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202010288453.4
申请日:2020-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N23/73 , H04N23/741 , H04N25/57
Abstract: 本申请提供了一种用于生成高动态范围图像的成像系统,所述成像系统包括图像传感器,所述图像传感器基于接收到的光获得第一图像数据;以及处理电路,所述处理电路被配置为基于与所获得的第一图像数据相对应的照度和动态范围在第一模式和第二模式之中确定所述图像传感器的操作模式。所述图像传感器包括第一子像素,所述第一子像素被配置为在所述第一模式下感测与目标颜色相对应的目标光,将在第一曝光时间期间所感测到的目标光转换为第一信号,并且在所述第二模式下将在比所述第一曝光时间长的第二曝光时间期间感测到的所述目标光转换为第二信号。
-
公开(公告)号:CN115966553A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202211240493.7
申请日:2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/535 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/12
Abstract: 提供了一种半导体封装,其包括:第一再分布基板;在第一再分布基板上的第一半导体芯片;在第一再分布基板和第一半导体芯片之间的第一凸块;在第一再分布基板上并且与第一半导体芯片间隔开的导电结构;在第一半导体芯片上的第二再分布基板;在第一半导体芯片和第二再分布基板之间的第二凸块;在第二再分布基板上的第二半导体芯片;在第一再分布基板和第二再分布基板之间并且在第一半导体芯片上的第一模层;以及在第二再分布基板和第二半导体芯片上并且与第一模层间隔开的第二模层。
-
公开(公告)号:CN113949875A
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202110802290.1
申请日:2021-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/184 , H04N19/182 , H04N19/186 , H04N5/341 , H04N5/225
Abstract: 提供了一种图像传感器模块、图像处理装置和图像压缩方法。图像压缩方法包括:接收图像数据中待压缩的目标像素组的像素值和要用于压缩目标像素组的参考像素的参考值;通过将偏移值应用到参考值中的每一个来生成虚拟参考映射;基于虚拟参考映射来压缩目标像素组的像素值;以及基于虚拟参考映射生成包括压缩结果和压缩信息的比特流。
-
公开(公告)号:CN113764363A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202110257151.5
申请日:2021-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18
Abstract: 一种半导体封装,包括:第一基板;在第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构,在第一芯片结构和第二芯片结构之间限定有间隙区域;以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第一基板的散热构件,该散热构件在该散热构件的内顶表面中包括第一沟槽,其中,第一沟槽与间隙区域竖直地重叠并且宽度大于间隙区域的宽度,并且其中第一沟槽至少与第一芯片结构的顶表面的一部分或第二芯片结构的顶表面的一部分竖直地重叠。
-
公开(公告)号:CN108737751B
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN201810157042.4
申请日:2018-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/359
Abstract: 被配置为处理图像信号的串扰的串扰处理模块包括校正元素生成单元、存储器和串扰校正检查单元。校正元素生成单元接收所述图像信号和输入信息,并且基于所述输入信息和相对于颜色分离所述图像信号获得的代表性图像信号,生成用于校正所述串扰的种子值和校正参数,其中,所述输入信息与至少所述图像信号的尺寸相关联。所述存储器存储种子值和校正参数。串扰校正检查单元,被配置为接收图像信号,接收所述种子值,以及从所述存储器接收校正串扰的所述校正参数,以及输出最终图像信号和指示基于多个参考值对串扰的校正是通过还是失败的通过/失败信息。
-
公开(公告)号:CN112992862A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202010772040.3
申请日:2020-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L25/18
Abstract: 提供了中介层和具有中介层的半导体封装件。所述中介层包括:基体层,具有第一表面和第二表面;重新分布结构,位于第一表面上;中介层保护层,位于第二表面上;垫布线层,位于中介层保护层上;中介层贯穿电极,穿过基体层和中介层保护层,并且将重新分布结构电连接到垫布线层;中介层连接端子,附着到垫布线层;以及布线保护层,包括第一部分、第二部分和第三部分,第一部分覆盖中介层保护层的与垫布线层相邻的部分,第二部分覆盖垫布线层的顶表面的部分,第三部分覆盖垫布线层的侧表面。第三部分设置在第一部分与第二部分之间。第一部分至第三部分具有彼此不同的厚度。
-
公开(公告)号:CN112820702A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN202010550378.4
申请日:2020-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/16 , H01L25/07
Abstract: 公开了一种具有加强结构的半导体封装件。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的内插件以及均位于所述内插件上的第一逻辑芯片、第二逻辑芯片、存储器堆叠和加强芯片。所述第一逻辑芯片和所述第二逻辑芯片彼此相邻。每个存储器堆叠与所述第一逻辑芯片和所述第二逻辑芯片中的相应的逻辑芯片相邻。每个存储器堆叠包括多个堆叠的存储器芯片。每个加强芯片设置在相应的存储器堆叠之间,以与所述第一逻辑芯片与所述第二逻辑芯片之间的边界区域对齐且交叠。
-
公开(公告)号:CN107708303B
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201710470178.6
申请日:2017-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05K1/18 , H01L25/065 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供了一种印刷电路板,该印刷电路板包括:衬底基板,其包括彼此间隔开的至少两个芯片附着区;多个上焊盘,它们布置在衬底基板的所述至少两个芯片附着区中;容腔,其与所述至少两个芯片附着区中的每一个的一部分重叠并且在衬底基板的上表面中凹进;以及至少一个间隔凹槽,其在衬底基板的上表面中凹进。所述至少一个间隔凹槽连接至容腔,并且在所述至少两个芯片附着区之间的区中延伸。
-
公开(公告)号:CN112086448A
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN202010431047.9
申请日:2020-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体封装件包括基板和设置在所述基板上的内插件。所述内插件包括面向所述基板的第一表面和背对所述基板的第二表面。第一逻辑半导体芯片设置在所述内插件的所述第一表面上,并且在与所述基板的上表面垂直的第一方向上与所述基板间隔开。第一存储器封装件设置在所述内插件的所述第二表面上。第二存储器封装件设置在所述内插件的所述第二表面上,并且在与所述基板的所述上表面平行的第二方向上与所述第一存储器封装件间隔开。第一传热单元设置在所述基板的面向所述第一逻辑半导体芯片的表面上。所述第一传热单元在所述第一方向上与所述第一逻辑半导体芯片间隔开。
-
-
-
-
-
-
-
-
-