-
公开(公告)号：CN107058787B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201710311753.8
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以石墨微片为原材料制备石墨烯增强铝基复合材料的方法，涉及一种制备铝基复合材料的方法。本发明为了解决目前石墨烯增强铝基复合材料成本高、复合材料铸造件性能差以及石墨烯片层打开不充分的问题。制备方法：一、称料；二、石墨微片分散与预制块成型；三、铝金属真空渗；四、大塑性变形处理；五、成分均匀化处理。本发明以低成本石墨微片为原材料，首先制备石墨微片增强铝基复合材料，制备的少层石墨烯增强铝基复合材料的综合性能优异，弹性模量超过90GPa，抗拉强度超过400MPa，热导率超过230W/(m·K)。本发明适用于制备石墨烯增强铝基复合材料。
-
公开(公告)号：CN108358636A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810262476.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳基耗散防热复合材料的制备方法，它涉及一种耗散防热复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的碳/碳及其改性的复合材料制备工艺复杂，制备周期长，成本高的技术问题。本发明：一、将浸渗剂装入石墨坩埚中；二、加工碳基体材料；三、将坩埚放入气压浸渗炉中，将基体材料连接到气压浸渗炉中的提拉杆上；四、加热熔化浸渗剂；五、高压将浸渗剂压入到基体孔隙中。本发明所涉及碳基耐烧蚀耗散防热复合材料制备工艺简单、周期短、复合材料可实现近净成型，也可进行电加工和机械加工，制造成本低、耐烧蚀性能好。本发明应用于轻质耐烧蚀复合材料领域。
-
公开(公告)号：CN108330314A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810245173.8
申请日：2018-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种团簇型(SiCp/Al)/Al复合材料的制备方法；涉及一种复合材料的制备方法。目的是解决现有方法制备的SiCp/Al复合材料塑性韧性差、SiCp/Al复合材料制备成本高以及团簇型结构的SiCp/Al复合材料制备过程中复合材料的破碎效率低的问题。方法：一、复合材料废料清洗、烘干和分筛；二、复合材料粉末液氮球磨：三、预制体冷压制备：四、模具预热和铝金属熔融；五、液态铝浸渗；六、热挤压。有益效果：本发明制备的复合材料为团簇型复合材料，致密度高，拉强度以及塑性好，成本低，工艺难度低，易于实现材料的微观组织设计；本发明适用于制备团簇型(SiCp/Al)/Al复合材料。
-
公开(公告)号：CN104597564B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510023376.9
申请日：2015-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提供了一种类表面等离子体复合型狭缝波导及其应用，这种类表面等离子体复合型狭缝波导同时具有亚波长尺度的周期性微结构和波长尺度的周期性布拉格结构。因此这种多尺度复合型狭缝波导同时具有人工微结构超材料的特性及类似于光子晶体的导波及带隙性质。具体来讲复合波导的局域有效介质的性质可以通过亚波长尺度的微结构来调控；而波导整体可以支持类似于光子晶体能带的微波带隙和缺陷态模式。利用微波带隙及缺陷态模式分别可以实现带阻滤波和带通滤波的功能。本发明结合了类表面等离子体波导的色散关系和布洛赫理论给出了这种复合型波导在几何参数空间的“带隙图”。
-
公开(公告)号：CN107652601A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201711065757.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2329/04 , C08K3/34 , C08K7/00 , C08K2201/011
Abstract: 一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105091746B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510257473.4
申请日：2015-05-19
Applicant: 北京星航机电装备有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01B11/00
Abstract: 应用于航天器舱段地面对接的空间坐标系标定方法，属于空间靶标的高精度测量技术领域。为了解决现有航天器舱段地面对接时定位的方法精度低的问题。本发明利用激光跟踪仪靶球和T‑Probe进行测量，当进行水平对接时，设置靶球的位置，利用靶球的测量，分别建立移动段端面的标定坐标系和固定段端面的标定坐标系，进而确定固定段端面相对于移动段端面的相对位置关系；当进行垂直对接时，设置靶球和T‑Probe的位置，利用靶球和T‑Probe的测量，分别建立移动段端面的标定坐标系和固定段端面的标定坐标系，利用坐标系转换关系，从而确定固定段端面相对于移动段端面的相对位置关系。本发明用于航天器大型舱段的对接。
-
公开(公告)号：CN107058914A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710311750.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C47/00 , C22C49/06 , C22C49/14 , C22C101/14
Abstract: 一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法，它涉及一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法。本发明为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法按照以下步骤进行：一、制备非定向SiC纳米线增强铝基复合材料；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料预热；三、SiC纳米线低损伤定向排列处理。本发明提供了一种使SiC纳米线在铝基复合材料中低损伤定向排列的方法，工艺方法简单、易操作、复合材料性能优异，易于实现产业化生产及应用。
-
公开(公告)号：CN107009045A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710363564.5
申请日：2017-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法，它涉及一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法。本发明是要解决Sn‑58Bi钎料中硬脆性质的富Bi相所导致的合金延展性能降低，以及重熔服役和时效过程中，过厚的金属间化合物导致钎焊接头可靠性能变差的问题。方法：一、制备石墨烯/氧化铈复合增强体；二、增强体与钎料基体球磨混合；三、向增强体与钎料中加入助焊膏搅拌均匀；四、将上述混合物置于坩埚中于180℃下加热，取出倒入磨具冷却得到复合钎料块。本发明的复合钎料细化了焊点微观组织，大大提高了钎料的硬度，降低了钎料与基体界面的金属间化合物厚度，从而提高焊点的剪切强度。本发明用于制备Sn‑Bi系复合钎料。
-
公开(公告)号：CN106711484A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611168661.0
申请日：2016-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01M8/1088 , H01M8/1048 , H01M8/18
CPC classification number: Y02E60/528 , H01M8/1088 , H01M8/1048 , H01M8/188
Abstract: 本发明涉及一种用于全钒液流电池的质子交换膜的改性方法，涉及电池技术领域。其包括以下步骤：S1、Na‑A型沸石的制备：以硅酸钠和氢氧化铝分别作为制备Na‑A型沸石的硅源和铝源，采用水热合成法制备Na‑A型沸石；S2、NH4‑A型沸石的制备：对Na‑A型沸石进行离子交换处理，得到NH4‑A型沸石；S3、H‑A型沸石的制备：对NH4‑A型沸石采用水蒸气加热法制备H‑A型沸石；S4、SPEEK原料的制备：通过后磺化法制备SPEEK原料；S5、SPEEK复合膜的制备：将H‑A型沸石掺杂到SPEEK原料中，制备出SPEEK复合膜。本发明的改性方法简单可靠，可操作性强，采用该方法制备的SPEEK复合膜分布均匀，质子导电性、钒离子渗透率和选择性等性能更优异。
-
公开(公告)号：CN105846073A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610305167.8
申请日：2016-05-10
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提出了一种具有双单向性的光学纳米天线及其设计方法，所述光学纳米天线的基本单元是由金属?介电?金属三明治型结构组成的，在入射平面波的激发下，这种结构会激发出两种不同的表面等离子体共振模式：电偶极共振和磁偶极共振。通过多级分解的方法，本发明给出了达到前向散射和背向散射的广义Kerker条件（即电偶极和磁偶极强度相当）。此外，本发明还论证了这种纳米天线对电偶极源远场辐射特性的影响，对于阵列型金属?介电?金属纳米结构，偶极辐射源的激发位置对此天线是否具有双单向性起着至关重要的作用。本发明对于纳米光学器件的设计提供了一种理论基础和参考标准。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
390
records
(took 0.049 seconds)
