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公开(公告)号：CN102227006B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010576708.3
申请日：2010-12-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/3065 , F21S8/00
Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件，提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法，因为不仅在n型的半导体核心（7）的前端面（7A），也在侧面（7B）形成p型的半导体层（10），所以能够增大pn结的面积，能够增大发光面积，能够提高发光效率。此外，因为使用触媒金属（6）形成n型的半导体核心（7），所以能够加快n型的半导体核心（7）的生长速度。因此，能够增长半导体核心（7），能够进一步增大与n型的半导体核心（7）的长度成比例关系的发光面积。
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公开(公告)号：CN102963260A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210309706.7
申请日：2012-08-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: B60L8/00
CPC classification number: B60L1/003 , B60L1/06 , B60L1/16 , B60L3/0046 , B60L3/04 , B60L8/003 , B60L11/1859 , B60L11/1868 , B60L15/007 , B60L2200/26 , B60L2210/10 , B60L2240/34 , B60L2240/36 , B60L2240/547 , B60L2240/549 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7011 , Y02T10/7066 , Y02T10/7083 , Y02T10/7216 , Y02T90/16
Abstract: 本发明涉及一种车辆驱动装置、车辆充电系统以及汽车。其中，车辆驱动装置(1a)中，第1电池管理部(104)根据来自外部的指示信号，将与第1电池(103)的充放电控制相关的信号输出到外部。
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公开(公告)号：CN102792467A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012593.8
申请日：2011-01-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在同一绝缘性基板（200）的安装面上配置了100个以上的平均每个的发光面积为2500πμm2以下的多个棒状构造发光元件（210）。由此，通过一边抑制发光时的温度上升一边使发光分散，从而提供亮度的偏差少且长寿命、高效率的发光装置。
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公开(公告)号：CN102782892A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180013628.X
申请日：2011-02-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62 , G02F1/13357 , H01L33/20
CPC classification number: G02F1/133603 , F21K9/00 , G02F1/133605 , G02F2001/133612 , G02F2001/133614 , G02F2001/133628 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 在绝缘性基板（720）的直线区域（S）形成金属布线（731），并且与金属布线（731）空开规定的间隔大致平行地形成金属布线（732）。在棒状结构发光元件（710A~710D）的n型半导体核心（701）连接金属布线（731），在p型的半导体层（702）连接金属布线（732）。通过将绝缘性基板（720）分割成多个分割基板，从而形成多个在分割基板上配置有多个棒状结构发光元件（710）的发光装置。在多个发光元件中，将在基板分割工序中即使被切断也不影响所希望的发光量的棒状结构发光元件（710）配置在绝缘性基板（720）的切断区域中，即使由于切断而破损的棒状结构发光元件（710）不发光，也通过没有被切断的其他多个棒状结构发光元件（710）进行发光。
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公开(公告)号：CN102227006A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201010576708.3
申请日：2010-12-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/3065 , F21S8/00
Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件，提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法，因为不仅在n型的半导体核心（7）的前端面（7A），也在侧面（7B）形成p型的半导体层（10），所以能够增大pn结的面积，能够增大发光面积，能够提高发光效率。此外，因为使用触媒金属（6）形成n型的半导体核心（7），所以能够加快n型的半导体核心（7）的生长速度。因此，能够增长半导体核心（7），能够进一步增大与n型的半导体核心（7）的长度成比例关系的发光面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102042540A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010511004.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/00 , F21V19/00 , F21V23/06 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0806 , H05B33/0803 , H05B33/0821
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据该发光装置，在棒状发光元件(505)的N型第二区域(507)的两侧配置有P型第一区域(506)和P型第三区域(508)。因而，即使棒状发光元件(505)的第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接互换，相对于第一、第三电极(501、503)的二极管极性也不互换，所以可正常发光。因此，在制造工序中，第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接也可以相反，不需要用于识别棒状发光元件(505)的方向性的标记或形状，能够简化制造工序，进而能够抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN101388396A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810169775.6
申请日：2002-11-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26
CPC classification number: H01L29/66833 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/84 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/118 , H01L27/1203 , H01L29/792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储器件，它具有形成在半导体层中的第一导电类型区、形成在半导体层中且与第一导电类型区相接触的第二导电类型区、排列在半导体层上横跨第一和第二导电类型区的边界的存储功能元件、以及提供在第一导电类型区上且经由绝缘膜而与存储功能元件相接触的电极，以及一种包含此半导体存储器件的电子装置。借助于构成基本上一种器件的可选择的存储单元，本发明完全适应按比例缩小和高密度集成。
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公开(公告)号：CN100431156C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200410043220.9
申请日：2004-05-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L27/115 , H01L27/1203 , H01L29/42332 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储装置包括非易失性存储器部分和易失性存储器部分，其中非易失性存储器部分包括非易失性存储元件，该非易失性存储元件具有：通过栅绝缘膜在半导体层上形成的栅电极，在栅电极下放置的沟道区，在沟道区的两侧上形成并具有与沟道区相反的传导类型的扩散区，以及在栅电极的两侧上形成并具有用于保持电荷的功能的存储功能单元。
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公开(公告)号：CN100350442C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410043227.0
申请日：2004-05-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/20 , G11C14/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66833 , G09G3/20 , H01L21/28282 , H01L29/792
Abstract: 一种显示驱动器包括：显示驱动部分，用于接收图像数据并输出驱动信号给显示面板；非易失性存储器部分，用于存储控制显示驱动部分的输出的控制信息；以及控制部分，用于在所述控制信息的基础上控制显示驱动部分的输出，其中非易失性存储器部分具有非易失性存储元件，并且该非易失性存储元件包括：通过栅绝缘膜在半导体层上形成的栅电极，在栅电极下放置的沟道区，在沟道区的两侧上形成并具有与沟道区相反的传导类型的扩散区，以及在栅电极的两侧上形成并具有用于保持电荷的功能的存储功能单元。
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公开(公告)号：CN1319172C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410044756.2
申请日：2004-05-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/112 , H01L21/8239 , H01L21/8246 , H01L21/00 , G06K19/07
CPC classification number: H01L27/11568 , G11C16/0491 , H01L21/28282 , H01L21/28291 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L27/115 , H01L29/42332 , H01L29/6656 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体存储装置，包括场效应晶体管，其在半导体基片1上具有栅绝缘膜2、栅电极3、一对源极/漏极扩散区13a、13b。包括覆盖膜21，其由以覆盖栅电极3的上面及侧面的状态，在基片1上形成的具有存储电荷的功能的绝缘体构成。包括层间绝缘膜23，其在覆盖膜21上相接形成。包括接触部件25、25，其在各源极/漏极扩散区13a、13b上分别在上下方向贯通层间绝缘膜23与覆盖膜21，并与该源极/漏极扩散区13a、13b电连接。覆盖膜21及层间绝缘膜23由可选择性蚀刻的材料来构成。这样，可消除过删除及由此引起的读出不良的问题，可提高可靠性。
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