公开(公告)号：CN103780061A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310369671.0

申请日：2013-08-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H03K17/063 ,  H02M2001/0054 ,  H03K17/567 ,  Y02B70/1483 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本申请公开了一种晶体管控制电路和电源装置，该晶体管控制电路包括：电极控制电路，被配置成向包括栅极和漏极之间的控制电极的晶体管中的该控制电极施加正电势。

公开(公告)号：CN103681663A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310367058.5

申请日：2013-08-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L27/06

CPC classification number: G05F1/46 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/24

Abstract: 公开了一种电源电路和电源装置。该电源电路包括：耗尽型晶体管，其包括场板；增强型晶体管，耗尽型晶体管的源极和漏极被耦接到该增强型晶体管；以及恒流源，其被耦接到耗尽型晶体管和增强型晶体管之间的连接节点。

公开(公告)号：CN103035701A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210269176.8

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种AlGaN/GaN HEMT包括：化合物半导体多层结构、与化合物半导体多层结构的表面接触的插入金属层、形成在插入金属层上的栅极绝缘膜和形成在插入金属层上方的栅极，其中栅极绝缘膜介于栅极与插入金属层之间。

公开(公告)号：CN103003929A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201080068051.8

申请日：2010-07-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明中设有与化合物半导体层（102）绝缘且与电极（101）和化合物半导体层（103）相接的电极（109）。化合物半导体层（103）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（104）的晶格常数，化合物半导体层（107）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（107）的晶格常数。另外，化合物半导体层（103）的传导带的能量高于化合物半导体层（104）的传导带的能量。

公开(公告)号：CN102646650A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210033879.0

申请日：2012-02-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本圭史郎 ,  今田忠纮 ,  今泉延弘 ,  渡部庆二

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29264 ,  H01L2224/29269 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体器件包括：支持基材、以及利用粘合材料与支持基材接合的半导体元件，所述粘合材料包括：与支持基材和半导体元件接触的多孔金属材料、以及填充于多孔金属材料的至少一部分孔中的钎料。

公开(公告)号：CN102487054A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110364823.9

申请日：2011-11-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  常信和清

IPC: H01L23/498 ,  H01L29/778 ,  H01L21/48 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底(1)；半导体层叠结构，设置在所述衬底上方，包括电子渡越层(6)和电子供应层(7)；栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，设置在所述半导体层叠结构上方；栅极焊盘(10)、源极焊盘(11)和漏极焊盘(12)，设置在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上方，且分别连接至所述栅电极、所述源电极和所述漏电极；以及导电层，设置在所述栅极焊盘、所述源极焊盘和所述漏极焊盘下方，其中，所述栅极焊盘和所述源极焊盘之间的距离小于所述栅极焊盘和所述漏极焊盘之间的距离。

公开(公告)号：CN102386213A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110223629.9

申请日：2011-08-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  今田忠纮 ,  今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件，包括：GaN电子传输层，设置在衬底上方；第一AlGaN电子供应层，设置在所述GaN电子传输层上方；AlN电子供应层，设置在所述第一AlGaN电子供应层上方；第二AlGaN电子供应层，设置在所述AlN电子供应层上方；栅极凹槽，设置在所述第二AlGaN电子供应层和所述AlN电子供应层中；以及栅极，设置在所述栅极凹槽上方。

公开(公告)号：CN101647106B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200780052178.9

申请日：2007-03-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  C09D183/00 ,  C09K3/18

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/26 ,  C08G77/28 ,  C08G77/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 根据本发明，能够得到漏电量少、且EM(电迁移)耐性和TDDB(经时介电击穿)耐性高的布线层，由此能够提供耗电量小、可靠性高的半导体装置的制造技术。本发明的表面疏水化膜是与绝缘膜接触的表面疏水化膜，其在接触时具有比绝缘膜更高的疏水性，并且其相反侧表面还与布线接触并包含选自由硫原子、磷原子和氮原子组成的组中的至少一种原子。

公开(公告)号：CN101960582A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880127868.0

申请日：2008-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  小林靖志

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高绝缘膜相互之间的粘附性，从而可提高半导体装置的多层布线形成工艺中的成品率和可靠性的布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种布线基板，其特征在于，包括由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于改第一绝缘膜上的粘附强化层以及形成于该粘附强化层上且由硅化合物构成的第二绝缘膜，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是通过由具有下述通式(1)所表示的结构的构成成分进行结合，在通式(1)中，X＝2Y，X表示1以上的整数。Si-CXHY-Si……通式(1)。

公开(公告)号：CN101047164A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710089088.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。