公开(公告)号：CN101004558A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710004302.6

申请日：2007-01-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  松永健太郎 ,  河村大辅

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03D3/08 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70341

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：液浸移动曝光工序，该液浸移动曝光工序在将要实施曝光处理的被曝光基板和进行所述曝光处理的曝光装置的投影光学系统之间隔着液体，并且一边使所述被曝光基板相对于所述投影光学系统相对移动，一边对在所述被曝光基板的表面上设定的多个曝光区域进行所述曝光处理；第一液浸移动工序，该第一液浸移动工序在所述各个曝光区域中相邻的所述各个曝光区域之间，在所述被曝光基板和所述投影光学系统之间隔着所述液体但不进行所述曝光处理，而使所述被曝光基板相对于所述投影光学系统相对移动；以及第二液浸移动工序，该第二液浸移动工序在比所述第一液浸移动工序的移动距离长的距离中，在所述被曝光基板和所述投影光学系统之间隔着所述液体但不进行所述曝光处理，使所述被曝光基板以比所述第一液浸移动工序的移动速度慢的速度相对于所述投影光学系统相对移动。

公开(公告)号：CN1920674A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610138995.3

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  池上浩 ,  早坂伸夫

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  B23K26/04

Abstract: 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括：发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。

公开(公告)号：CN1862386A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080276.0

申请日：2006-05-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  松永健太郎 ,  河村大辅 ,  大西廉伸

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/162

Abstract: 一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂薄膜上形成用于保护上述感光性树脂薄膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂薄膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂薄膜的部分区域进行选择性曝光之前，从上述保护膜除去对上述浸渍液具有亲和性部位的残留物质；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂薄膜构成的图案。

公开(公告)号：CN1854907A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610078614.7

申请日：2006-04-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  柴田刚 ,  庄浩太郎 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: F27B17/0025 ,  F27B5/04 ,  F27D3/0084 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明的一种实施方式基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给含有被包含在上述第1被处理基板的膜中的溶剂的气体。

公开(公告)号：CN1811603A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610006126.5

申请日：2002-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥理一郎 ,  早崎圭 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。

公开(公告)号：CN1266549C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN03102209.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  江间达彦 ,  高桥理一郎

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  B05B1/00

CPC classification number: G03F7/3021 ,  H01L21/31133 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种基板处理方法包括：向基板上提供处理液；从被设置在喷嘴上的第1喷出区域对基板连续喷出第1洗净液的同时，使上述喷嘴和上述基板相对地在一方向上移动；其中，上述第1喷出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边同等长度以上；上述喷嘴，从第1吹出区域对上述基板连续吹付第1气体，第1吹出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边的同等长度以上。

公开(公告)号：CN1690862A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510066018.2

申请日：2005-04-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河村大辅 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70616 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441

Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成于光掩模上的掩模图形的描绘图形的形成方法，以便针对形成抗蚀剂膜的局部的区域液膜，进行曝光的液浸曝光，提高所形成的抗蚀剂图形的精度。求出上述单位曝光区域的抗蚀剂膜和液膜的接触履历值的代表性的分布(步骤ST12)。将与第1图形数据相对应的图形划分为与上述接触履历值的代表性的分布相对应的多个区域(步骤ST19)。根据与上述接触履历值相对应的规则，对已划分的各区域中包括的图形进行处理(步骤ST20)。

公开(公告)号：CN1684227A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510071800.3

申请日：2005-04-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  盐原英志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  G01N15/00

CPC classification number: G01N15/02 ,  G01N2015/0053 ,  Y10T436/25 ,  Y10T436/2575

Abstract: 本发明提供的一种药液的评估方法，包括：通过测量方式求出关于液体中的粒子的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量；基于用上述测量方式求出的与每种上述粒子的大小相对应的粒子数量，用函数表现上述液体中的粒子的大小和与上述大小对应的粒子数量之间的关系；以及基于上述函数来评估在上述液体中的粒子中其大小在测量限度以下的粒子的影响。

公开(公告)号：CN1674228A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510056980.8

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/2043 ,  G03F7/40 ,  H01L21/30

Abstract: 在浸液曝光中，一种抑制抗蚀图形缺陷的抗蚀图形形成方法包括：将其上形成有抗蚀膜的衬底(10)和其上形成有图形的标线片(32)放置(ST205)到曝光装置上；在抗蚀膜上供给第一化学溶液，以在抗蚀膜上的局部区域中选择性地形成第一液体膜，并排出所述溶液，所述第一液体膜具有液流(72b、72d、72e)并形成于抗蚀膜和投影光学系统(33)之间；通过第一液体膜将标线片(32)的图形转移(ST206)到抗蚀膜以形成潜像；在抗蚀膜上供给(ST208)第二化学溶液，以清洁抗蚀膜；加热(ST210)抗蚀膜；以及显影(ST211)抗蚀膜，以从抗蚀膜形成抗蚀图形。

公开(公告)号：CN1217234C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01145768.6

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川野健二 ,  伊藤信一 ,  塩原英志 ,  河村大辅 ,  早崎圭

IPC: G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05C5/0254 ,  B05C11/08 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/70558 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: 具有光刻胶膜的被处理衬底的加热装置。该加热装置具有：具有内部空间的腔室、腔室内用于加热被处理衬底的加热板、及隔壁部件。加热板具有在腔室内支承被处理衬底的载置面。隔壁部件跟载置面对向地配置在腔室内。并且，隔壁部件将内部空间分隔成第1和第2空间，同时具有连通第1和第2空间的多个孔。加热板的载置面配置于第1空间内。第2空间配置有用于形成气体流的气体流形成机构，用该机构排出由光刻胶膜产生的蒸发物。