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公开(公告)号：CN1747154B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200510102579.3
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/00 , H01L21/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898
Abstract: 晶片支持板由紫外线可透过的玻璃或树脂形成为大致圆板状，其外径比要支持的半导体晶片的外径大。在晶片支持板上，与在半导体晶片上形成的多个贯通孔相对应地形成有多个开口。这些开口的开口面积比贯通孔的开口面积更宽广，即，开口直径更大。
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公开(公告)号：CN100565355C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610138995.3
申请日：2002-03-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括：发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。
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公开(公告)号：CN1248309C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN03103665.1
申请日：2003-02-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/525 , H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种容易进行使熔丝配线断线的熔丝熔断，并且熔丝配线和其周边部的品质难以劣化的熔丝配线结构的半导体装置。Cu熔丝配线1，由熔丝用引出线5，以及设置在该引出线5更上方并与引出电气连接的熔丝主体部2构成，并被设置在Si基板3上。在如覆盖Cu熔丝配线1那样，层积设置作为绝缘膜的层间绝缘膜4以及Cu扩散防止膜7的同时，在熔丝主体部2的上方，形成为了容易进行熔丝熔断的凹部9。熔丝主体部2，被形成为比凹部的底部10的宽度以及长度还短，且长度在熔丝熔断用激光束的直径以上，并且被设置位于和底部10相对的区域的内侧。
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公开(公告)号：CN101150114A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710180904.7
申请日：2001-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C－H键和C－C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30％以上。
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公开(公告)号：CN100364045C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510078832.6
申请日：2005-05-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/76862 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1877457A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610094255.4
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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公开(公告)号：CN1276306C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03131416.3
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/066 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , G03F7/2026 , G03F7/70341 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , G21K5/10 , H01J2237/30438 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/949 , H01L2924/00
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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公开(公告)号：CN100481402C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510102531.2
申请日：2005-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/00 , H01L23/12 , H01L23/48 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明的半导体器件，具备：具有贯通孔的半导体基板；在上述贯通孔的内面上形成的第1绝缘树脂层；在上述半导体基板的表背面中的至少一方的面上形成的第2绝缘树脂层；以及在上述贯通孔内以至少把上述半导体基板的表背两面间连接起来的方式连续地形成，而且，已借助于上述第1绝缘树脂层与上述贯通孔的内面绝缘的第1导电体层。在第2绝缘树脂层上，可以具备已与贯通孔内的第1导电体层电连的第2导电体层(布线图形)。可以得到在贯通孔内形成、构成连接插塞等的导电体层的绝缘可靠性高，适合于多芯片封装体等的半导体器件。连接半导体基板的表背间的导电体层和绝缘层的形成性高，可以削减形成成本。
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公开(公告)号：CN100338731C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200410058329.X
申请日：2004-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括：在基板(101)上的Al膜(107)上形成水溶性的保护膜(109)的工序；照射加工光(110)，选择除去保护膜(109)和Al膜(107)的加工区域的工序，和借助于水溶解除去保护膜(109)的工序。
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公开(公告)号：CN1963994A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610162952.9
申请日：2004-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括如下的工序：在被加工膜上形成用有机树脂构成的有机膜的工序；减小上述有机膜的内部应力的工序；向上述有机膜照射加工光，选择除去上述加工区域的上述有机膜的工序；以上述有机膜为掩模，刻蚀上述被加工膜的工序。
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