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    表示装置の作製方法
    51.
    发明专利
    表示装置の作製方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020008862A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：JP2019144642

    申请日：2019-08-06

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  木村 肇 ,  三宅 博之 ,  小山 潤

    IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  G09F9/00

    Abstract: 【課題】新規な表示装置を提供する。 【解決手段】画素部102と、画素部の外側に配置された駆動回路部104と、画素部または駆動回路部のいずれか一方または双方に電気的に接続され、一対の電極を含む保護回路106と、を有し、画素部は、マトリクス状に配置された画素電極220cと、画素電極に電気的に接続されたトランジスタと、を有し、トランジスタは、窒素とシリコンを含む第1の絶縁層206,208と、酸素と窒素とシリコンを含む第2の絶縁層214,216,218と、を有し、保護回路が、一対の電極の間に第1の絶縁層を有する。 【選択図】図6

    半導体装置
    53.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019212927A

    公开(公告)日：2019-12-12

    申请号：JP2019161684

    申请日：2019-09-05

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 小山 潤 ,  三宅 博之

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8236 ,  H03K3/037 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】しきい値電圧の制御が難しく、ノーマリーオンとなる薄膜トランジスタを有する 駆動回路において、回路内の誤動作を低減し、より確度の高い動作を保証する駆動回路を 提供する。 【解決手段】第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有するインバータ回路と、第 3のトランジスタを有するスイッチと、を含むスタティックのシフトレジスタ回路を有し 、第1のトランジスタ乃至第3のトランジスタは、酸化物半導体でなる半導体層を有し、 且つディプレッション型のトランジスタであり、第3のトランジスタを駆動するクロック 信号の振幅電圧は、インバータ回路を駆動するための電源電圧より大きい駆動回路とする 。 【選択図】図1

    環境センサ
    55.
    发明专利
    環境センサ 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019197571A

    公开(公告)日：2019-11-14

    申请号：JP2019126960

    申请日：2019-07-08

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 小山 潤

    IPC: G08C17/00

    Abstract: 【課題】消費電力の低減された環境センサを提供する。 【解決手段】第1のセンサ116、第2のセンサ117、制御回路120、送信アンプ132、変調回路131、記憶装置141、アナログデジタル変換回路142、及びアンテナ101を有する半導体装置である。第2のセンサ117は、光センサであり、レーザ光を受光すると、トリガ信号を制御回路120に送信する機能を有する。制御回路120は、トリガ信号を受けると、第1のセンサ116、送信アンプ132、変調回路131、記憶装置141、及びアナログデジタル変換回路142に制御信号を送信する機能を有する。第1のセンサ116は、物理量又は化学量を計測するセンサであり、計測されたデータは、アナログデジタル変換回路142によって、デジタル変換され、記憶装置141に記憶され、変調回路131及び送信アンプ132を介して、アンテナ101から電磁波信号として送信される。 【選択図】図2

    液晶表示装置
    56.
    发明专利
    液晶表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019191599A

    公开(公告)日：2019-10-31

    申请号：JP2019109395

    申请日：2019-06-12

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 今藤 敏和 ,  小山 潤 ,  山崎 舜平

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  G02F1/1368

    Abstract: 【課題】液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減すること。 【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトラン ジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層は、電子供与体(ドナー)となる不純物( 水素又は水など)を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体層である。 これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流(オフ電流)を少なくすること ができる。そのため、各画素において容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を 保持することが可能になる。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容 量配線を削除することが可能になる。そのため、信号線と容量配線が立体交差する領域に おける寄生容量を削除することが可能になる。 【選択図】図1

    表示装置
    57.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019186564A

    公开(公告)日：2019-10-24

    申请号：JP2019124128

    申请日：2019-07-03

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

    IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体において高い移動度を達成し、信頼性の高い表 示装置を提供する。 【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を 形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って 第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化 物材料を用いて高移動度のトランジスタを形成し、それを用いて同一基板上にドライバ回 路を形成する。 【選択図】図6

    液晶表示装置
    59.
    发明专利
    液晶表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019174826A

    公开(公告)日：2019-10-10

    申请号：JP2019100237

    申请日：2019-05-29

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  村上 智史 ,  小山 潤 ,  田中 幸夫 ,  北角 英人 ,  大沼 英人

    IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

    Abstract: 【課題】動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。 【解決手段】第1のチャネル形成領域と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第1のソ ース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 【選択図】図26

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