公开(公告)号：CN106531623B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201610806581.7

申请日：2016-09-06

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  服部奈绪

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明涉及一种加工衬底的方法。该衬底具有第一表面(2a)以及与该第一表面(2a)相对的第二表面(2b)，在所述第一表面上形成有至少一条分割线(22)。该方法包括：从所述第一表面(2a)的那侧向所述衬底(2)施加脉冲激光束(LB)，至少施加在沿着所述至少一条分割线(22)的多个位置，从而在所述衬底(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从所述第一表面(2a)朝所述第二表面(2b)延伸。每个孔区域(23)由改变区域(232)和在该改变区域(232)中向所述第一表面(2a)敞开的空间(231)组成。所述方法还包括沿已形成有所述多个孔区域(23)的所述至少一条分割线(22)去除衬底材料。

公开(公告)号：CN109537056A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811037236.7

申请日：2018-09-06

Applicant: 株式会社迪思科 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 森勇介 ,  吉村政志 ,  今出完 ,  今西正幸 ,  森数洋司 ,  田畑晋 ,  诸德寺匠

IPC: C30B29/40 ,  C30B19/02 ,  C30B25/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种容易将III-V族化合物晶体从基板分离(剥离)的III-V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法。本发明的III-V族化合物晶体的制造方法包括下述工序：晶种形成基板提供工序，提供在基板(11)上形成有III-V族化合物晶种(12a)的晶种形成基板；晶种一部分分离工序，将III-V族化合物晶种(12a)的与基板(11)接触的部分的一部分从基板(11)分离；以及晶体生长工序，在上述晶种一部分分离工序后，以III-V族化合物晶种(12a)作为核而使III族元素与V族元素反应，从而生成III-V族化合物晶体(12)并使其生长。

公开(公告)号：CN109411412A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810900302.2

申请日：2018-08-09

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司

IPC: H01L21/82

Abstract: 提供晶片的加工方法，能够在单晶硅晶片中形成适当的盾构隧道，能够通过盾构隧道形成与等离子蚀刻的复合加工将单晶硅晶片分割成各个器件。晶片的加工方法包含：保护部件配设工序，在晶片(2)的正面(2a)上配设保护部件；盾构隧道形成工序，从晶片(2)的背面(2b)对与分割预定线(4)对应的区域照射对于单晶硅具有透过性的波长的激光光线(LB)为连续地形成多个盾构隧道(56)，该盾构隧道(56)由从背面(2b)至正面(2a)的细孔(52)和围绕细孔(52)的非晶质(54)构成；以及分割工序，通过等离子蚀刻对盾构隧道(56)进行蚀刻而将晶片(2)分割成各个器件芯片，将盾构隧道形成工序中所使用的激光光线(LB)的波长设定为1950nm以上。

公开(公告)号：CN104037123B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201410074894.9

申请日：2014-03-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  武田昇

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够不产生碎片而在晶片上高效率地形成通孔。该晶片的加工方法，在晶片上形成通孔，该晶片的加工方法包括：纤丝形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在待形成通孔的区域的内部并向晶片照射该脉冲激光光线，形成非晶质的纤丝；和蚀刻步骤，使用对非晶质的纤丝进行蚀刻的蚀刻剂而对形成在晶片上的非晶质的纤丝进行蚀刻，从而在晶片上形成通孔。

公开(公告)号：CN107026073A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710057486.6

申请日：2017-01-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54453 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/0203 ,  H01L33/005

Abstract: 处理基板的方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，第一表面具有器件区域(20)，其中，器件区域(20)中形成有多个器件(21)。该方法包括以下步骤：在沿着第二表面(2b)的多个位置中从第二表面(2b)侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以便在基板(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从第二表面(2b)朝向第一表面(2a)延伸。每个孔区域(23)由改性区域(232)和改性区域(232)中向第二表面(2b)开放的空间(231)组成。该方法还包括以下步骤：研磨基板(2)的其中已经形成多个孔区域(23)的第二表面(2b)，以调节基板厚度。

公开(公告)号：CN103962728B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201410030436.5

申请日：2014-01-22

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  武田昇

IPC: B23K26/38

CPC classification number: H01L21/78 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其通过沿着被加工物的加工线照射2次脉冲激光光线而可将被加工物加工成能够沿着加工线断裂的状态。一种激光加工方法，用于对被加工物照射激光光线来实施激光加工，所述激光加工方法包括：细丝形成工序，其对被加工物照射对于被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，从被加工物的被照射脉冲激光光线的面向内部形成折射率比被加工物的折射率高的细丝作为光传送路；和激光加工工序，向细丝照射对实施了细丝形成工序的被加工物实施加工的脉冲激光光线，沿着该细丝传送该脉冲激光光线，由此来实施加工。

公开(公告)号：CN103378232B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310145344.7

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  饭塚健太吕

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种提离方法，其能够可靠地剥离外延基板。提供一种将光器件晶片的光器件层转移到移设基板的提离方法，其包括移设基板接合工序，将移设基板接合到光器件晶片的光器件层的表面；气体层形成工序，从光器件晶片的外延基板的背面侧向缓冲层照射脉冲激光光线，在外延基板和缓冲层的分界面形成气体层；气体层检测工序，检测出所形成的气体层中的、位于最外侧的气体层的区域；外延基板吸附工序，将吸引垫定位到外延基板中的通过所述气体层检测工序检测出的最外侧的气体层所在的区域，来吸附外延基板；以及光器件层移设工序，向从外延基板背离的方向移动吸附了外延基板的所述吸引垫来剥离外延基板，将光器件层移设到移设基板。

公开(公告)号：CN103962729B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410039747.8

申请日：2014-01-27

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 佐藤淳 ,  大庭龙吾 ,  小川雄辉 ,  北原信康 ,  森数洋司 ,  堀口义则

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  B23K26/38 ,  B23K37/04

Abstract: 本发明提供一种卡盘工作台，装备于加工装置且能可靠确认被加工物的分割槽。该卡盘工作台具备保持工作台和工作台基座，保持工作台包括：复合玻璃板，具有多孔质板和收纳板，多孔质板由允许空气从正面流动至背面的多孔质玻璃形成，收纳板具有收纳多孔质板的收纳凹部并具备向多孔质板传递抽吸力的抽吸孔；和环状支承座，具备复合玻璃板支承部和围绕复合玻璃板形成的环状支承部，复合玻璃板支承部支承复合玻璃板外周部并具备与抽吸孔连通的连通孔，工作台基座包括：环状固定部，用于固定环状支承座；发光体收纳部，形成于环状固定部内侧；以及发光体，配设于发光体收纳部，在工作台基座设置有向形成于环状支承座的连通孔传递抽吸力的抽吸力传递孔。

公开(公告)号：CN106531623A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610806581.7

申请日：2016-09-06

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  服部奈绪

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明涉及一种加工衬底的方法。该衬底具有第一表面(2a)以及与该第一表面(2a)相对的第二表面(2b)，在所述第一表面上形成有至少一条分割线(22)。该方法包括：从所述第一表面(2a)的那侧向所述衬底(2)施加脉冲激光束(LB)，至少施加在沿着所述至少一条分割线(22)的多个位置，从而在所述衬底(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从所述第一表面(2a)朝所述第二表面(2b)延伸。每个孔区域(23)由改变区域(232)和在该改变区域(232)中向所述第一表面(2a)敞开的空间(231)组成。所述方法还包括沿已形成有所述多个孔区域(23)的所述至少一条分割线(22)去除衬底材料。

公开(公告)号：CN106041327A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610187290.4

申请日：2016-03-29

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  武田昇 ,  平田和也

IPC: B23K26/53

Abstract: 提供激光加工装置，能够沿着设定于被加工物的分割预定线高效地实施适当的激光加工。激光加工装置的聚光器包含：聚光透镜，其对从激光光线振荡构件振荡出的激光光线进行会聚；以及球面像差伸长透镜，其将聚光透镜的球面像差伸长。通过从聚光器对保持在卡盘工作台上的被加工物照射脉冲激光光线，而从被加工物的上表面朝向下表面形成盾构隧道，该盾构隧道由细孔和对该孔进行盾构的非晶质构成。