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公开(公告)号:CN107078026A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580059699.1
申请日:2015-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/027 , C08F299/00 , C08F297/00 , C08F212/14 , C08F212/08 , C08F216/12
Abstract: 本申请提供了制造图案化基底的方法。该方法可以应用于制造装置如电子器件或集成电路的过程,或者应用于其他用途例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头或有机发光二极管;并且该方法可用于在用来制造离散磁道介质如集成电路、位元图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的表面上构造图案。
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公开(公告)号:CN107075051A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580059573.4
申请日:2015-09-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F293/00 , C08F299/00 , C08F297/00 , C08F212/08 , C08F220/10 , G03F7/00 , C08J5/18 , C08L53/00
Abstract: 本申请提供了嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物表现出优异的自组装特性或相分离特性,可以没有限制地提供多种所需功能,并且特别是可以确保蚀刻选择性,使得所述嵌段共聚物可有效地用于诸如图案形成的用途。
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公开(公告)号:CN105934455A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201480074045.1
申请日:2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F216/12 , C08L55/00 , C08J5/00 , C08J7/04
CPC classification number: C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1804 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性,并且可具有必要时向其提供的多种所需功能。
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公开(公告)号:CN116491005A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202280006889.7
申请日:2022-03-28
IPC: H01M10/052
Abstract: 本发明涉及具有环状硫氧化物结构的化合物以及包含其的非水电解质溶液添加剂、非水电解质溶液和锂二次电池,其中本发明的锂二次电池可以在高温稳定性和气体产生方面实现改善的效果,同时能够长时间实现稳定性能。
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公开(公告)号:CN111295283B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201880070890.X
申请日:2018-11-07
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: B32B27/00 , C08L53/00 , C08F220/00 , C08F218/00 , C08F216/14
Abstract: 本申请涉及层合体。本申请可以在基底上形成高度配向的嵌段共聚物而没有取向缺陷、配位数缺陷、距离缺陷等,从而提供可以有效地应用于生产各种图案化基底的层合体以及用于使用其生产图案化基底的方法。
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公开(公告)号:CN110023384B
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN201780072491.2
申请日:2017-11-29
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本申请涉及嵌段共聚物及其用途。本申请可以提供层合体以及使用其生产图案化基底的方法,所述层合体能够在基底上形成高度取向的嵌段共聚物,并因此可以有效地应用于生产各种图案化基底。
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公开(公告)号:CN110023385B
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN201780074049.3
申请日:2017-11-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08J5/22 , H01L21/027 , H01L21/311 , G03F1/00 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F297/02 , C08F220/44 , C08F220/38
Abstract: 本申请涉及用于生产聚合物膜的方法。本申请是能够在基底上有效地形成包含高度对准的嵌段共聚物而没有取向缺陷、配位数缺陷、距离缺陷等的聚合物膜的生产方法,其可以提供用于生产能够有效地应用于生产各种图案化基底的聚合物膜的方法和使用该聚合物膜生产图案化基底的方法。
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公开(公告)号:CN109983043B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN201780071835.8
申请日:2017-11-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F293/00 , C08F230/08 , C08F212/14 , H01L21/027 , H01L21/311 , G03F1/00
Abstract: 本申请可以提供嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物可以具有优异的自组装特性或相分离特性和优异的蚀刻选择性,并且可以自由地赋予其所需的各种其他功能。
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