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公开(公告)号：CN1738007A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510074094.8
申请日：2005-05-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C23C18/1254 , C23C18/1216 , C23C18/1241
Abstract: 本发明提供利用液相法具有好的组成控制性且使铅等的金属成分的再利用成为可能的强电介质形成用的前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法以及使用了前驱体组合物的强电介质膜的制造方法。本发明中的前驱体组合物是含有用于形成强电介质的前驱体的前驱体组合物，所述强电介质用通式AB1－XCXO3表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一个构成，C元素由Nb和Ta中的至少一个构成，所述前驱体至少含有所述B元素和C元素，而且局部含有酯键。
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公开(公告)号：CN1691352A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067657.0
申请日：2005-04-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L21/28167 , H01L29/495 , H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明提供一种具有强电介质层的MFS型场效应晶体管及其制造方法，其中，MFS型场效应晶体管(100)包括：半导体层(10)；形成于半导体层(10)上的PZT系强电介质层(15)；形成于PZT系强电介质层(15)上的栅极(16)；形成于半导体层(10)上、且构成源极或者漏极的杂质层(14)。而且，PZT系强电介质层(15)，将Ti成分中的2.5摩尔％以上40摩尔％以下置换为Nb。由此，本发明很难引基于漏电流或者去极而引起保持损失。
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公开(公告)号：CN1691332A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510064948.4
申请日：2005-04-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L41/083 , B41J2/045 , B41J2/135
Abstract: 提供一种晶体缺陷少、具有良好特性的强电介质膜层叠体。本发明的强电介质膜层叠体，其中包括电极(102)、和在该电极上形成的PZT系强电介质膜(101)。 强电介质膜(101)，组成之中有2.5摩尔％以上40摩尔％以下置换成Nb，电极(102)几乎不含从强电介质膜扩散的氧。
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公开(公告)号：CN1675747A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03818766.3
申请日：2003-08-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供一种强电介质存储器的制造方法，在基板(10)上至少形成了强电介质电容器(105)的状态下，从强电介质电容器(105)的上方照射脉冲状的激光(70)。
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公开(公告)号：CN1534784A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410033223.4
申请日：2004-03-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/02356 , H01L21/3115 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种适于非破坏读出法的强电介质层及其制造方法。本发明的强电介质层(30)是一种含有空间电荷的强电介质层(30)，对所述强电介质层(30)的膜厚方向上，在上部或下部的至少任一方中，所述空间电荷具有空间电荷浓度峰值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1531033A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028749.3
申请日：2004-03-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/469 , C23C16/00 , H01L27/10
CPC classification number: H01L21/02197 , C23C16/409 , C30B25/02 , C30B29/32 , H01L21/02271 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种强电介质膜的形成方法，利用有机金属气相生长法，用来在由Pt构成的金属膜上形成由PZT系复合氧化物构成的强电介质膜，其中，首先开始供给Pb原料，在上述金属膜上形成Pb与Pt的合金膜；接着开始供给Ti原料，在上述合金膜上形成由PbTiO3构成的复合氧化物的初期结晶核；然后开始供给Zr原料，在上述初期结晶核的上部形成PZT系复合氧化物的结晶生长层。
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公开(公告)号：CN1516879A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03800304.X
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 滨田泰彰
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22 , G11C11/5657
Abstract: 本发明提供一种基本不用变更以往技术的电路便可以进行多值存储的强电介体存储器。由存储的值，通过改变施加写入脉冲的时间而进行多值存储。作为写入脉冲用的电压只要准备一个即可，只要将复位或读出用的电压与写入脉冲的电压作成一样，便可以提供仅以一个电源而具有多值存储功能的强电介体存储器。
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公开(公告)号：CN117835794A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311269427.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10N30/853 , H10N30/093
Abstract: 本发明提供一种能够抑制漏电流的产生的压电基板、压电元件以及压电元件应用器件。本发明的压电基板的特征在于，具备：基体；电极，其被成膜于所述基体上；压电体层，其被成膜于电极上，并包括钾、钠和铌，通过傅里叶变换红外光谱法来测量压电体层的表面时的峰2的积分强度IR2除以峰1的积分强度IR1而得到的值IR2/IR1小于0.086，其中，峰1为475～700cm‑1波数处检测到的峰中的最强峰的面积强度，峰2为1200～1645cm‑1波数处检测到的峰的面积强度之和。
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公开(公告)号：CN116890533A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310318683.4
申请日：2023-03-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明涉及液滴喷出头、打印机。提供即便在高频驱动时也能够抑制异常喷出的液滴喷出头。一种液滴喷出头，具备：喷嘴板，具有喷嘴；压力室形成基板，具有压力室；振动板；以及压电元件，包含钾、钠以及铌，并形成在振动板上。压电元件具有第一电极及第二电极和位于第一电极与第二电极之间的压电体层。压电体层、第一电极及第二电极的厚度的合计比振动板的厚度大。将绝对值25V的电压作为使振动板向压力室的容积膨胀的方向位移的电压施加到压电元件时的振动板的位移量的绝对值为将绝对值25V的电压作为使振动板向压力室的容积收缩的方向位移的电压施加到压电元件时的振动板的位移量的绝对值的2倍以上。
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公开(公告)号：CN116782744A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310237641.8
申请日：2023-03-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种对压电体层中的裂纹的产生进行抑制的压电元件。该压电元件(44)具备：紧贴层(445)，其被形成在振动板(36)上，并包含钛；下部电极(441)，其被形成在紧贴层(445)上；扩散抑制层(447)，其被形成在下部电极(441)上，并包含铱；种子层(442)，其被形成在扩散抑制层(447)上，并包含铋；压电体层(443)，其被形成在种子层(442)上，并包含钾、钠、铌；上部电极(444)，其被形成在压电体层(443)上。
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