公开(公告)号：KR1020060041306A

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020067002771

申请日：2004-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56

Abstract: A titanium silicide film (4) is formed on an Si wafer (1). First, an Si wafer (1) is processed by plasma using high frequency wave. Next, a Ti-containing material gas is supplied onto the plasma-processed Si-containing portion to generate plasma and form a Ti film, and a titanium silicide film (4) is formed by the reaction between the formed Ti film and Si in the Si-containing portion. The Si wafer (1) is plasma-processed while a DC bias voltage (Vdc) of at least 200 V in absolute value is being applied to the Si wafer (1).

Abstract translation: 在Si晶片（1）上形成硅化钛膜（4）。 首先，使用高频波等离子体处理Si晶片（1）。 接下来，将含Ti材料气体供给到等离子体处理的含Si部分上以产生等离子体并形成Ti膜，并且通过在形成的Ti膜和Si之间的反应形成硅化钛膜（4） 含Si部分。 将Si晶片（1）进行等离子体处理，同时将绝对值为至少200V的直流偏置电压（Vdc）施加到Si晶片（1）。