公开(公告)号：KR1020170038730A

公开(公告)日：2017-04-07

申请号：KR1020160125825

申请日：2016-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기히로노리 ,  나루시마겐사쿠 ,  마츠야마아츠나리

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52

Abstract: 본발명의과제는고체원료를기화한가스를포함하는원료가스를성막처리부에공급할때, 기화된원료공급량을안정시키는기술을제공하는것이다. 해결수단으로서, 원료용기(14)에캐리어가스를공급하기위한캐리어가스공급로(12)에 MFC(1)를마련하고, 원료가스공급로(32)에 MFM(3)을마련하고있다. 또한, 원료가스공급로(32)에희석가스를공급하기위한희석가스공급로(22)에 MFC(2)를마련하고있다. 그리고, MFM(3)의측정값으로부터의 MFC(1) 측정값과 MFC(2)의측정값의합계값을뺀 오프셋값을구하고, MFM(3)의측정값으로부터 MFC(1)의측정값및 MFC(2)의측정값의합계값을뺀 값에서, 오프셋값을빼서원료유량의실측값을구하고있다. 그리고, 원료유량의실측값과원료의목표값의차분에따라, MFC(1)의설정값을조정하고캐리어가스의유량을조정하여, 원료가스에포함되는원료의양을조정한다.

Abstract translation: 本发明要解决的问题是提供一种技术，用于在将包含固体原料的气化气体的原料气体供应至成膜部件时稳定气化的原料的供给量。 在用于向原料容器14供给运载气体的运载气体供给路径12中设置有MFC 1，在原料气体供给路径32中设置有MFM 3。 此外，MFC2设置在用于向原料气体供给路径32供给稀释气体的稀释气体供给路径22中。 获得通过从MFM 3的测量值和MFC（2）的测量值中减去MFC（1）测量值而获得的偏移值，并且MFC（1）的测量值 并且从原料流量的测量值中减去MFC（2）的测量值。 并且，根据原料流量的实际测量值与原料的目标值，通过调整MFC（1）的设定值并调节运载气体的流速，以调节包含在原料气体中的材料的量之间的差。

公开(公告)号：KR101302819B1

公开(公告)日：2013-09-02

申请号：KR1020097022392

申请日：2008-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  젠코데츠

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: Ti막의 성막 방법은 탑재대에 Si 부분을 갖는 피 처리 기판을 배치하는 것과, 피 처리 기판을 가열하는 것과, 챔버 내를 소정의 압력으로 하는 것과, 챔버 내로 TiCl
4 가스 및 환원 가스를 포함하는 처리 가스를 도입하는 것과, 고주파 전계 형성 수단에 의해 고주파 전계를 형성하는 것에 의해 처리 가스를 플라즈마화하는 것과, 피 처리 기판의 표면에서 상기 TiCl
4 가스 및 환원 가스에 의한 반응을 생기게 하는 것을 포함하고, 그 반응에 의해 피 처리 기판의 Si 부분에 Ti막을 성막할 때에 피 처리 기판의 Si 부분에서의 TiSi의 생성 반응이 억제되도록 챔버 내 압력 및 인가되는 고주파 전력의 파워를 제어한다.

公开(公告)号：KR100934511B1

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：KR1020070018558

申请日：2007-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C8/36 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/56

Abstract: A Ti film is formed on a surface of a wafer W placed inside a chamber 31, while injecting a process gas containing TiCl4 gas into the chamber 31 from a showerhead 40 made of an Ni-containing material at least at a surface. The method includes performing formation of a Ti film on a predetermined number of wafers W while setting the showerhead 40 at a temperature of 300° C. or more and less than 450° C., and setting TiCl4 gas at a flow rate of 1 to 12 mL/min (sccm) or setting TiCl4 gas at a partial pressure of 0.1 to 2.5 Pa, and then, performing cleaning inside the chamber 31, while setting the showerhead 40 at a temperature of 200 to 300° C., and supplying ClF3 gas into the chamber 31.

Abstract translation: 在设置于腔室31内的晶片W的表面上，至少在表面上从含Ni材料的喷头40向腔室31内喷射包含TiCl 4气体的处理气体，同时形成Ti膜。 该方法包括在预定数量的晶片W上形成Ti膜，同时将喷头40设置在300℃的温度下; C.或多于并少于450℃; 以1〜12mL / min（sccm）的流量设置TiCl 4气体，或者以0.1〜2.5Pa的分压设定TiCl 4气体，一边设置喷头40一边在腔室31内进行清洗 在200至300℃的温度下， 并且将ClF 3气体供应到腔室31中。

公开(公告)号：KR1020090067187A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：KR1020097008000

申请日：2007-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다카야마다카미츠

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: A Ti film forming method includes a step (step (1)) of cleaning inside a chamber by introducing a cleaning gas containing fluorine into the chamber in a state where a wafer (W) is not on a susceptor; a step (step 2) of heating the susceptor in the state where the wafer (W) is not on the susceptor, jetting a processing gas containing Ti from a shower head into the chamber and forming a pre-coat film at least on the surface of the shower head; and a step (step (3)) of placing the wafer (W) on the susceptor (2) in a state where the susceptor is heated, supplying a processing gas into the chamber (1) and forming a Ti film on the wafer (W). The pre-coat film forming step is performed at a temperature lower than that in the film forming step.

Abstract translation: Ti膜形成方法包括：在晶片（W）不在感受体上的状态下，通过将含有氟的清洗气体引入室内的方法，在室内进行清洗的工序（工序（1））; 在晶片（W）不在基座上的状态下加热基座的步骤（步骤2），将含有Ti的处理气体从喷头喷射到室中，并至少在表面上形成预涂膜 的淋浴头; 以及在基座被加热的状态下将晶片（W）放置在基座（2）上的步骤（步骤（3）），将处理气体供应到腔室（1）中并在晶片上形成Ti膜 W）。 在低于成膜步骤的温度下进行预涂膜形成步骤。

公开(公告)号：KR100887446B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020077014796

申请日：2006-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/36 ,  C23C8/38 ,  C23C14/00 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  G11B5/84

Abstract: 피처리 기판을 수용하는 챔버와, 챔버 내에 배치되는 샤워 헤드와, 챔버 내에 NH
3 가스 및 H
2 가스를 포함하는 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 구비하고, 챔버의 피복층 및 샤워 헤드가 니켈(Ni)을 포함하는 가스 처리 장치를 사용하여 NH
3 가스 및 H
2 가스를 포함하는 가스에 의해 피처리체(W)에 대하여 가스 처리를 행하는 데 있어서, H
2 /NH
3 유량비 및 온도를 제어하여 챔버의 피복층 및 샤워 헤드에 포함되는 니켈의 반응을 억제한다.

公开(公告)号：KR100884852B1

公开(公告)日：2009-02-23

申请号：KR1020077023634

申请日：2004-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56

Abstract: Si 웨이퍼(1)상에 티탄 실리사이드막(4)을 성막한다. 이 때문에, 먼저, Si 웨이퍼(1)를 고주파를 이용한 플라즈마에 의해 처리한다. 다음에, 플라즈마에 의한 처리가 실시된 Si 함유 부분상에 Ti 함유 원료 가스를 공급하여, 플라즈마를 생성하여 Ti막을 성막하고, 그 때의 Ti막과 Si 함유 부분의 Si와의 반응에 의해 티탄 실리사이드막(4)을 형성한다. Si 웨이퍼(1)의 플라즈마에 의한 처리는, Si 웨이퍼(1)에 절대값이 200V 이상의 DC 바이어스 전압(Vdc)을 인가하면서 실행한다.

公开(公告)号：KR1020110131220A

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020117022152

申请日：2010-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  가키모토아키노부 ,  홋타다카노부

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28562 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 챔버내에 피처리 기판인 웨이퍼를 반입하고, 챔버내를 진공으로 유지한 상태로 하고, 웨이퍼를 가열하면서, 챔버내에 TiCl
4 가스와 MMH 가스를 교대로 공급하여 웨이퍼 상에 TiN막을 성막한다.

公开(公告)号：KR101061633B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020080080928

申请日：2008-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  구마가이아키라 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/20

Abstract: 질화 타이타늄막을 성막하는 공정만으로 실리사이드화 반응이 일어나기 쉽게 함으로써 스루풋을 비약적으로 향상시킨다.
웨이퍼 상에 타이타늄 화합물 가스와 환원 가스와 질소 가스를 공급하면서 플라즈마를 생성함으로써 웨이퍼 상에 질화 타이타늄막을 성막하는 공정을 갖고, 이 공정에서 질소 가스는 그 공급 개시부터 소정의 설정 유량에 이르기까지(시간 Ts), 그 공급 유량을 서서히 증가시키도록 공급함으로써, 실리콘 함유 표면에 타이타늄 실리사이드막을 형성하면서 웨이퍼 상에 질화 타이타늄막을 성막한다.

Abstract translation: 仅在形成氮化钛膜的步骤中容易引起硅化反应，从而显着提高生产量。

公开(公告)号：KR1020090069298A

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：KR1020097007662

申请日：2007-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  아마노후미타카 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843

Abstract: To enable a barrier layer including a titanium film of good quality to be efficiently formed even at a low temperature and enable a TiSix film to be self-conformably formed at the interface between the titanium film and the base. In the step of forming the TiSix film (507), the following steps are repeated two or more times without introducing argon gas into the treating chamber: a first step in which a titanium compound gas is introduced into the treating chamber to adsorb the titanium compound gas onto the silicon surface of a silicon substrate (502); a second step in which the introduction of the titanium compound gas into the treating chamber is stopped and the titanium compound gas remaining in the treating chamber is removed; and a third step in which a plasma is generated in the treating chamber while introducing hydrogen gas into the treating chamber to thereby reduce the titanium compound gas adsorbed on the silicon surface and react it with the silicon in the silicon surface to form the TiSix film (507).

Abstract translation: 为了能够即使在低温也能够有效地形成包含质量好的钛膜的阻挡层，能够使TiSix膜在钛膜与基材之间的界面处自形地形成。 在形成TiSix膜（507）的步骤中，重复两次以上的步骤而不向处理室中引入氩气：第一步骤，其中将钛化合物气体引入处理室以吸附钛化合物 气体到硅衬底（502）的硅表面上; 第二步骤是停止将钛化合物气体引入处理室，并且除去残留在处理室中的钛化合物气体; 以及第三步骤，其中在处理室中产生等离子体，同时将氢气引入处理室中，从而减少吸附在硅表面上的钛化合物气体，并与硅表面中的硅反应形成TiSix膜（ 507）。

公开(公告)号：KR1020090060198A

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：KR1020080123130

申请日：2008-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  구마가이아키라 ,  와카바야시사토시

IPC: C23C16/00

Abstract: A titanium layer deposition method and apparatus are provided to make the silicide phase uniform by restricting the crystallization of titanium silicide layer and deviation of composition in the process of silicidation of titanium, thereby improve uniformity of wafer surface. A titanium layer deposition apparatus(12) comprises a treatment chamber(14) capable of vacuum evacuation, a mounting table(38) which is installed within the treatment chamber to hold an object, a heating device(42) heating the object, a gas supply device for supplying a source gas including titanium, reductant gas and inactive gas into the treatment chamber, a plasma generator(28) forming plasma within the treatment chamber, and a controller(74) which controls in order to perform a deposition method.

Abstract translation: 提供钛层沉积方法和装置，通过限制钛硅化物层的结晶和钛的硅化过程中的组成偏差来使硅化物相均匀，从而提高晶片表面的均匀性。 钛层沉积设备（12）包括能够真空抽真空的处理室（14），安装在处理室内以保持物体的安装台（38），加热物体的加热装置（42） 供给装置，用于将包括钛，还原剂气体和惰性气体的源气体供应到处理室中;等离子体发生器（28），其在处理室内形成等离子体;以及控制器（74），其控制以执行沉积方法。