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公开(公告)号：KR1020110050206A
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020090107086
申请日：2009-11-06
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: C09K11/7774 , C09K11/7792 , H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , Y02B20/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: An oxynitride phosphor is provided to ensure excellent color rendering property and color reproducibility when applied to a white light emitting device. CONSTITUTION: An oxynitride phosphor is represented by chemical formula 1: M^1_(a-x)M^2_(x-y)Ce_ySi_(b-z)Al_zO_(c-x)N_x. In chemical formula 1, M^1 is at least one metal selected from Ca, Sr, Ba, Mg, Zn and Eu; M^2 is at least one metal selected from Sc, Y, Lu, La, Pr, Sm, Gd, Tb, Yb, and Dy; and 1.7
Abstract translation: 目的：提供氧氮化物荧光体，以确保当应用于白色发光器件时优异的显色性和色彩再现性。 构成：氧化氮磷光体由化学式1表示：M ^ 1_（a-x）M ^ 2_（x-y）Ce_ySi_（b-z）Al_zO_（c-x）N_x。 在化学式1中，M ^ 1是选自Ca，Sr，Ba，Mg，Zn和Eu中的至少一种金属; M ^ 2是选自Sc，Y，Lu，La，Pr，Sm，Gd，Tb，Yb和Dy中的至少一种金属; 和1.7 <= a <= 2.3,0.7 <= b <= 1.3,3.5 <= c <= 4.5,0
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公开(公告)号：KR1020100115100A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：KR1020090033645
申请日：2009-04-17
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: PURPOSE: A gas sensor which can measure the concentration of nitric oxide gas in a short time at high precision is provided to guide efficient gas flow by controlling the pumping amount of each gas pumping unit. CONSTITUTION: A gas sensor comprises a sensor body, a sensitive member(104) and an electrode(105). The sensor body comprises a gas inlet(101), a gas pumping area and a gas passage. The sensitive member is arranged in the gas passage. The electrode is connected to the sensitive member. The gas pumping area discharges gas to outside. The sensitive member is formed in a cross section of the gas passage. Multiple sensitive members are formed in the gas passage. The sensitive member chemically combines with measurement target gas. The electrode measures the electrical feature of sensitive member. The gas pumping area is arranged between multiple sensitive members.
Abstract translation: 目的：提供可以在短时间内以高精度测量一氧化氮气体浓度的气体传感器，以通过控制每个气体抽吸单元的泵送量来指导有效的气体流量。 构成：气体传感器包括传感器主体，敏感部件（104）和电极（105）。 传感器主体包括气体入口（101），气体抽吸区域和气体通道。 敏感部件布置在气体通道中。 电极连接到敏感元件。 气体抽吸区域将气体排放到外部。 敏感部件形成在气体通道的横截面中。 在气体通道中形成多个敏感部件。 敏感部件与测量目标气体化学结合。 电极测量敏感元件的电气特性。 气体抽吸区域布置在多个敏感部件之间。
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公开(公告)号：KR1020100115099A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：KR1020090033644
申请日：2009-04-17
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: PURPOSE: A gas sensor which can prevent the degrading of measurement precision is provided to measure nitric oxide gas of low concentration. CONSTITUTION: A gas sensor comprises a sensor body, a sensitive member(104) and an electrode(105). The sensor body comprises a gas inlet(101), a gas pumping area and a gas passage. The sensitive member is arranged in the gas passage. The electrode is connected to the sensitive member. The gas pumping area discharges gas to outside. The sensitive member is formed in a cross section of the gas passage.
Abstract translation: 目的：提供一种能够防止测量精度降低的气体传感器，用于测量低浓度的一氧化氮气体。 构成：气体传感器包括传感器主体，敏感部件（104）和电极（105）。 传感器主体包括气体入口（101），气体抽吸区域和气体通道。 敏感部件布置在气体通道中。 电极连接到敏感元件。 气体抽吸区域将气体排放到外部。 敏感部件形成在气体通道的横截面中。
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公开(公告)号：KR1020100101876A
公开(公告)日：2010-09-20
申请号：KR1020090020292
申请日：2009-03-10
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: PURPOSE: A gas sensor and a gas concentration measuring method are provided to enable minute measurement by high responsivity on measured objects and to increase durability. CONSTITUTION: A gas sensor comprises a gas accumulating unit(101) and a sensor unit(102). The gas accumulating unit is chemically combined with gas to be measured. The gas accumulating unit absorbs the gas to be measured. The gas accumulating unit releases the gas to be measured at fixed temperature or greater. The sensor unit measures the concentration of the gas emitted from the gas accumulating unit. The gas is made of nitric oxide gas.
Abstract translation: 目的：提供气体传感器和气体浓度测量方法，以便对被测物体进行高响应度的微小测量并提高耐久性。 构成：气体传感器包括气体积聚单元（101）和传感器单元（102）。 气体积聚单元与要测量的气体化学结合。 气体积聚单元吸收要测量的气体。 气体积聚单元在固定温度或更高温度下释放要测量的气体。 传感器单元测量从气体积聚单元排出的气体的浓度。 气体由一氧化氮气体制成。
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公开(公告)号：KR1020090085877A
公开(公告)日：2009-08-10
申请号：KR1020080011776
申请日：2008-02-05
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: A manufacturing method of a vertical semiconductor light emitting device is provided to easily form an uneven structure of a desired shape and size on a light emitting surface without collapse of crystallinity of a single crystal. An etch stop layer(12) is formed on a substrate for growing a semiconductor single crystal. The etch stop layer has an opening part. An n-type nitride semiconductor layer(13), an active layer(14), and a p-type nitride semiconductor layer(15) are successively grown on the etch stop layer and the substrate for growing the semiconductor single crystal through the opening part. A conductive substrate(16) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The substrate for growing the semiconductor single crystal is removed from the n-type nitride semiconductor layer. An uneven structure(P) is formed by etching the n-type nitride semiconductor layer exposed through the opening part of the etch stop layer. An n-type electrode is electrically connected to the n-type nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 提供了垂直半导体发光器件的制造方法，以容易地在发光表面上形成期望的形状和尺寸的不均匀结构，而不会使单晶的结晶度崩溃。 在用于生长半导体单晶的衬底上形成蚀刻停止层（12）。 蚀刻停止层具有开口部。 在蚀刻停止层和用于通过开口部分生长半导体单晶的衬底上依次生长n型氮化物半导体层（13），有源层（14）和p型氮化物半导体层（15） 。 在p型氮化物半导体层上形成导电性基板（16）。 用于生长半导体单晶的衬底从n型氮化物半导体层去除。 通过蚀刻通过蚀刻停止层的开口部暴露的n型氮化物半导体层来形成不均匀结构（P）。 n型电极与n型氮化物半导体层电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090051667A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070118161
申请日：2007-11-19
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, n형 전극과, 상기 n형 전극 하면에 형성된 n형 질화갈륨층과, 상기 n형 질화갈륨층 하면에 형성된 활성층과, 상기 활성층 하면에 형성된 p형 질화갈륨층과, 상기 p형 질화갈륨층 하면에 p형 전극 및 상기 p형 전극 하면에 형성된 구조지지층을 포함하되, 상기 p형 전극과 접하는 상기 p형 질화갈륨층의 표면 중 상기 n형 전극과 대응하는 영역의 표면은 그 외의 표면보다 낮은 농도로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
수직구조, 발광다이오드, 전류확산-
公开(公告)号：KR100888440B1
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070120260
申请日：2007-11-23
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/44
Abstract: A manufacturing method of vertical type light emitting diode is provided to prevent damage of a light emitting structure due to impact of laser in an LLO(Laser Lift-Off) process by progressing the LLO process prior to a device separation process. A sapphire substrate is prepared. A light emitting structure(110) is formed on the sapphire substrate. The light emitting structure comprises an n-type nitride semiconductor layer(112), an active layer(114), and a p-type nitride semiconductor layer(115). A buffer film is formed on a surface corresponding to a device separation region among surfaces of the p-type nitride semiconductor layer. A p-type electrode is formed on the buffer film. The structure supporting layer(160) is formed on the p-type electrode. The sapphire substrate is removed through an LLO process. The light emitting structure is separated into size of unit LED device through a device separation process. An n-type electrode(170) is formed on the n-type nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 提供垂直型发光二极管的制造方法，以防止在器件分离过程之前通过进行LLO工艺在LLO（激光剥离）工艺中由于激光的冲击而损坏发光结构。 制备蓝宝石衬底。 在蓝宝石衬底上形成发光结构（110）。 发光结构包括n型氮化物半导体层（112），有源层（114）和p型氮化物半导体层（115）。 在对应于p型氮化物半导体层的表面之间的器件分离区域的表面上形成缓冲膜。 在缓冲膜上形成p型电极。 结构支撑层（160）形成在p型电极上。 通过LLO工艺去除蓝宝石衬底。 通过器件分离过程将发光结构分离为单位LED器件的尺寸。 n型电极（170）形成在n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：KR100856287B1
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020070020304
申请日：2007-02-28
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은, HVPE 공정을 이용한 특정 도전형을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 제조방법에 관한 것으로서, 반응챔버의 소스공급영역 및 성장영역에 기판과 적어도 하나의 Ⅲ족 금속소스을 각각 배치하는 단계와, 상기 기판과 상기 적어도 하나의 Ⅲ족 금속소스를 각각 가열하고, 상기 가열과정에서 상기 Ⅲ족 금속소스 중 적어도 하나를 용융시키는 단계와, 상기 용융된 Ⅲ족 금속소스 내에 특정 도전형을 부여하기 위한 불순물 금속원소를 공급하는 단계와, 상기 소스공급영역에 염화물 반응가스를 주입함으로써 불순물 금속원소가 함유된 Ⅲ족 금속 염화물을 형성하는 단계와, 상기 불순물 금속원소가 함유된 Ⅲ족 금속 염화물과 상기 Ⅴ족 원소를 함유한 가스를 상기 성장영역에 공급하는 단계와, 상기 불순물 금속원소가 함유된 Ⅲ족 금속 염화물과 상기 � ��족 원소를 함유한 가스를 반응시킴으로써 상기 기판 상에 특정 도전형을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 성장시키는 단계를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 제조방법을 제공한다.
하이드라이드 기상 에피택시법(Hydride Vapor Phase Epitaxy), 질화물(nitride),-
公开(公告)号：KR100593927B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040084698
申请日：2004-10-22
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 김태형
Abstract: 본 발명은 휴대단말기의 하우징내에 구비된 안테나를 외부로 인출하고 내부로 인입하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 휴대단말기의 하우징에 구비되는 안테나를 자동 또는 수동으로 상기 하우징내부로 인입하거나 하우징외부로 인출하는 장치에 있어서, 상기 안테나의 외부면에 외주면이 외접하도록 상기 안테나와 원통몸체가 직교하도록 배치되는 구동롤러; 상기 구동롤러를 정,역방향으로 회전시키도록 상기 하우징에 구비되어 회전구동력을 제공하는 구동모터; 상기 안테나의 외부면과 상부면에 상기 구동롤러의 원통몸체내로 삽입되는 조립공을 관통형성하여 상기 원통몸체에 활주이동가능하게 조립되는 안테나지지판;및 상기 안테나지지판의 하부면과 상기 구동롤러의 후단사이에 구비되어 상기 안테나지지판의 상부면과 상기 안테나의 외부면이 접하도록 안테나지지판을 상기 안테나측으로 탄력지지하는 탄성부재;를 포함하여 구성된다.
본 발명에 의하면, 안테나와 롤러간의 마찰력을 증대시켜 안테나의 직선왕복운동을 자동및 수동모드에 관계없이 안정적으로 수행하고, 롤러의 사용수명을 연장할 수 있다.
안테나, 구동롤러, 구동모터, 안테나지지판, 탄성부재, 마찰력-
公开(公告)号：KR1020060030669A
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：KR1020040079526
申请日：2004-10-06
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 김태형
IPC: H04B1/38
CPC classification number: H04M1/0264 , H04M1/0214 , H04M2250/20 , H04N5/2254 , H04N5/2257
Abstract: 본 발명은 개선된 축 이동식 카메라 모듈을 갖는 휴대폰및 이에 사용되어지는 카메라 모듈에 관한 것이다.
본 발명은, 마이크를 포함하는 송신부와 키패드를 구비한 본체부; 상기 본체부에 힌지부를 통하여 회전가능하도록 연결되고, 스피커를 포함하는 수신부와 액정표시부를 구비한 폴더부;및 상기 힌지부상에서 상기 카메라 모듈을 기어드 모터의 회전축에 연결하는 축이음 수단;을 포함하고, 상기 축이음 수단은 수동모드에서 카메라 모듈의 회전시, 상기 기어드 모터의 축방향으로 변위되어 그 길이가 조절됨으로써 상기 카메라 모듈측으로 부터 상기 기어드 모터측으로 향한 회전작동을 차단하고, 자동모드에서 상기 기어드 모터의 구동시 그 길이가 유지되어 상기 기어드 모터의 회전력을 카메라 모듈에 전달하도록 구성된 개선된 축 이동식 카메라 모듈을 갖는 휴대폰및 이에 사용되는 카메라 모듈을 제공한다.
본 발명에 의하면, 구조적인 측면에서 간단한 구조를 갖춤으로써 휴대폰내에 장착이 용이하고, 수동작동시 회전 소음을 발생시키지 않아 사용상 편리함을 느끼며, 부품을 손상시키지 않음으로써 내구성을 크게 향상시키는 효과가 얻어진다.
카메라 모듈(Camera Module), 화상카메라, 카메라폰, 휴대폰, 기어드 모터
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