-
公开(公告)号：KR1020060103660A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050025482
申请日：2005-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1463
Abstract: 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 이미지 센서는 제1 도전형의 반도체 기판, 기판의 소정 깊이에 형성되어 반도체 기판을 제1 도전형의 상부 기판 영역 및 하부 기판 영역으로 분리하는 제2 도전형의 깊은 웰, 다수의 단위 화소들로, 각 단위 화소는 입사광에 대응하여 전하를 축적하며 각 단위 화소별로 분리된 제1 도전형의 이온 주입 영역을 각각 포함하고, 적어도 하나의 단위 화소는 제1 도전형의 이온 주입 영역 하부에 위치하고 제1 도전형의 이온 주입 영역 외측으로 연장되며 인접화소의 제1 도전형의 이온 주입 영역과 전기적으로 분리된 제1 도전형의 상부 기판 영역을 포함한다. 또한, 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다.
이미지 센서, 크로스토크, 분리웰, 입사광, 장파장-
公开(公告)号：KR100630707B1
公开(公告)日：2006-10-02
申请号：KR1020040084866
申请日：2004-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정현
CPC classification number: H04N5/367
Abstract: 온도 의존성을 갖는 암시 결함을 보정할 수 있는 이미지 소자 및 이를 이용한 결함 보정방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이미지 소자는, 외부 이미지를 감지하는 다수의 단위 화소들로 구성되는 화소 어레이부와, 상기 화소 어레이부의 주변에 설치되며, 온도에 따라 출력 신호가 증대되도록 설계된 다수의 의도 결함 소자를 포함하는 암시 결함 판정부를 포함한다. 또한, 이미지 소자는 상기 화소 어레이부의 출력 아날로그 신호 및 상기 암시 결함 판정부의 출력 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환시키는 A/D 컨버터, 상기 화소 어레이부의 출력 신호를 보정하기 위한 보정부 및 상기 A/D 컨버터로부터 입력된 상기 암시 결함 판정부의 출력 신호에 의하여 상기 보정부의 구동 여부를 결정하는 제어부를 포함한다.
암시 결함, 온도, 의도 결함-
公开(公告)号：KR1020060062334A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101140
申请日：2004-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정현
IPC: H04N5/3745 , H04N5/357 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/37457
Abstract: 고정 패턴 잡음과 엘리어싱 잡음이 최소화된 CMOS 이미지 센서가 제공된다. 본 발명의 CMOS 이미지 센서는, 출력회로를 공유하는 제1 수광부/제2 수광부 쌍과 제3 수광부/제4 수광부 쌍이 제1 방향을 따라 각기 복수개 배열되며, 이들이 제2 방향으로 복수개 배열되어 이루어진 제1 수광부/제2 수광부 어레이 및 제3 수광부/제4 수광부 어레이를 포함하며, 상기 제1 내지 제4 수광부는 하나의 색조합 단위를 이루도록 각 수광부 상에는 칼라필터들이 형성되며, 상기 색조합 단위에서 동일한 색상의 칼러필터가 형성되는 수광부들에서 발생되는 전하는 동일한 방향으로 전달되는 것을 특징으로 하며, 동일한 색상의 칼러필터가 배치되는 화소영역들은 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 한다.
고정패턴잡음, 엘리어싱 잡음, CMOS 이미지 센서, 출력회로,-
公开(公告)号：KR1020060040344A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040089905
申请日：2004-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정현
IPC: H04N5/376 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H04N5/361
Abstract: CMOS 이미지 센서(CMOS image sensor) 및 그 구동 방법이 제공된다. CMOS 이미지 센서는 광전자 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부에 전송하는 전하 전송부를 포함하는 단위 화소가 메트릭스 형태로 배열된 화소 배열부, 광전자 변환부의 전하 축적 기간 중 일부 기간동안 전하 전송부의 전위가 음이 되는 전압을 전하 전송부에 공급하는 행 구동부를 포함한다.
CMOS 이미지 센서, 커플링부, 전하 전송부-
公开(公告)号：KR1020060035391A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020040084866
申请日：2004-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정현
CPC classification number: H04N5/367
Abstract: 온도 의존성을 갖는 암시 결함을 보정할 수 있는 이미지 소자 및 이를 이용한 결함 보정방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이미지 소자는, 외부 이미지를 감지하는 다수의 단위 화소들로 구성되는 화소 어레이부와, 상기 화소 어레이부의 주변에 설치되며, 온도에 따라 출력 신호가 증대되도록 설계된 다수의 의도 결함 소자를 포함하는 암시 결함 판정부를 포함한다. 또한, 이미지 소자는 상기 화소 어레이부의 출력 아날로그 신호 및 상기 암시 결함 판정부의 출력 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환시키는 A/D 컨버터, 상기 화소 어레이부의 출력 신호를 보정하기 위한 보정부 및 상기 A/D 컨버터로부터 입력된 상기 암시 결함 판정부의 출력 신호에 의하여 상기 보정부의 구동 여부를 결정하는 제어부를 포함한다.
암시 결함, 온도, 의도 결함-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990042163A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062885
申请日：1997-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/02
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 정보를 저장하기 위한 복수 개의 메모리 셀들을 가지며, 행들과 열들로 배열된 복수 개의 셀 어레이 블럭들 및; 번-인과 같은, 내부 전위에 비해서 상대적으로 높은 전위가 요구되는 동작을 수행하기 위해서 상기 셀 어레이 블럭들에 상기 높은 전위에 대응하는 외부 인가 전위를 공급하기 위한 적어도 2 개의 전위 인가 패드들을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR100170297B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950034010
申请日：1995-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정현
IPC: H01L27/146
Abstract: 고체촬영장치에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판에 형성되고 수광부를 통해 입사된 빛을 신호전하로 변환시켜 축적하는 광 다이오드와; 상기 기판에 형성되고, 상기 광 다이오드에 축적된 신호전하를 전송영역을 통해 전달받아 출력부로 전송하는 전하결합소자(CCD) 채널과; 상기 전하결합소자 채널 상부에 형성되고 상기 전하결합소자 채널과는 절연층으로 분리된 전하결합소자 게이트와; 상기 전하결합소자 게이트 상부 및 상기 전송영역 상부까지 확장되어 형성되어 광 다이오드의 상부 전부를 수광부로 노출시키는 광차단막을 구비하는 고체촬영장치에 있어서, 상기 광차단막은 상기 전하결합소자 게이트 상부에서 분리되도록 형성되고, 이 분리된 틈으로 빛이 조사되는 것을 막기 위하여 상기 광차단막과 소정두께의 절연층으로 분리되는 금속층을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 광감도를 증가시킬 수 있고, 선출원된 발명에 비하여 기생용량을 절반 정도로 줄일수 있다.
-
公开(公告)号：KR100165326B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950062180
申请日：1995-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정현
IPC: H01L27/148 , H01L29/762
CPC classification number: H01L29/42396 , H01L27/14812 , H01L29/76841
Abstract: 전하전송소자 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 제1 게이트전극, 제1 게이트전극의 일단과 그 일단이 부분적으로 중첩되는 제2 게이트전극 및 제1 게이트 전극의 타단과 그 일단이 부분적으로 중첩되고 제2 게이트전극의 타단과 그 타단이 부분적으로 중첩되는 제3 게이트전극으로 구성되는 전송전극부, 제2 게이트전극 하부의 반도체기판에 형성된 제1 전위장벽 영역과 제3 게이트전극 하부의 반도체기판에 형성된 제2 전위장벽 영역으로 구성되는 전하전송부 및 제1 게이트전극과 제3 게이트전극에 동시에 연결되어 있는 제1 클럭단 및 제2 게이트전극에 연결되어 있는 제2 클럭단으로 구성되는 클럭부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 정렬오차에 의해 발생하는 불필요한 국소 전위 장벽 또는 국소 전위우물 생성을 방지할 수 있어, 전하전송 효율을 개선한다.
-
公开(公告)号：KR1019970054304A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950062180
申请日：1995-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정현
IPC: H01L27/148 , H01L29/762
Abstract: 전하전송소자 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 제1 게이트전극, 제1 게이트전극의 일단과 그 일단이 부분적으로 중첩되는 제2 게이트전극 및 제1 게이트 전극의 타단과 그 일단이 부분적으로 중첩되고 제2 게이트전극의 타단과 그 타단이 부분적으로 중첩되는 제3 게이트전극으로 구성되는 전송전극부, 제2 게이트전극 하부의 반도체기판에 형성된 제1 전위장벽 영역과 제3 게이트전극 하부의 반도체기판에 형성된 제2 전위장벽 영역으로 구성되는 전하전송부 및 제1 게이트전극과 제3 게이트전극에 동시에 연결되어 있는 제1 클럭단 및 제2 게이트전극에 연결되어 있는 제2 클럭단으로 구성되는 클럭부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 정렬오차에 의해 발생하는 불필요한 국소 전위 장벽 또는 국소 전위우물 생성을 방지할 수 있어, 전하전송 효율을 개선한다.
-
公开(公告)号：KR1019970024252A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950038742
申请日：1995-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남정현
IPC: H01L27/148
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야:
아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하기 위한 전자 결합 소자의 아날로그 디지탈 변환기에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제:
외부의 고속 아날로그 디지털 변환기를 CCD형 촬영 소자내에서 구현하기 위한 CCD형 아날로그 디지탈 변환기를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지:
단일 칩안에서 전하 전송 기술을 이용하여 아날로그 신호를 계수화 하기 위한 변환기의 구성에 있어서, 입사되는 빛은 수신하여 상기 빛에 의해 발생되는 광 여기 전자를 축적 및 소정 시간의 간격으로 전송하기 위한 복수개의 제 1수단과, 상기 제 1수단과 수직으로 연결되며 상기 광 여기 전자를 전송하기 위한 복수개의 제 2수단과, 상기 제 2수단의 출력단과 수직으로 연결되고 상기 광 여기 전자의 진행 방향으로 복수개의 전위 장벽 영역을 구비하고, 상기 광 여기 전자를 상기 전위 장벽 사이에 소정의 양을 차례로 축적하여 계수화시켜 수평 전송시키기 위한 제 3수단과, 상기 제 3수단과 연결되고 계수화된 출력신호를 감지 증폭하기 위한 제 4수단과, 상기 제 4수단과 연결되고 상기 계수화된 출력신호를 이진 코드로 변환시켜 출력시키기 위한 제 5 단으로 이루어지는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도:
CCD형 촬영소자의 아날로그 디지탈 변환기에 적합하다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
80
records
(took 0.021 seconds)
