公开(公告)号：KR100669854B1

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050059958

申请日：2005-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임한진 ,  이정현 ,  조규호 ,  이진일 ,  박성호

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

Abstract: A unit cell structure in a non-volatile semiconductor device includes a lower electrode. The variable resistor is formed on the lower electrode and includes a first insulation thin film, a third insulation thin film, and a second insulation thin film located between the first and third insulation thin films. A breakdown voltage of the second insulation thin film is lower than respective breakdown voltages of the first and third insulation thin films. An upper electrode is formed on the variable resistor.

公开(公告)号：KR1020060012852A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040061532

申请日：2004-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  이정현 ,  조규호 ,  서범석 ,  박성호 ,  임한진 ,  임재순 ,  유차영

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/324 ,  H01L2924/01057

Abstract: 란탄계 원소로 도핑된 티타늄 산화막을 형성하는 방법을 제공한다. 이 방법은 금속 패턴을 포함하는 반도체 기판에 원료 기체 및 산화 가스를 공급하여 유전막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 원료 기체는 티타늄을 함유하는 기체와 란탄계 원소를 함유하는 기체의 혼합 가스를 사용한다.
란탄계 원소, 혼합 가스, 유전막