公开(公告)号：KR101817970B1

公开(公告)日：2018-01-15

申请号：KR1020100097361

申请日：2010-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  김범석 ,  탁용석 ,  조규호 ,  이승환 ,  권오성 ,  최근규

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L24/32 ,  H01L28/90 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/8385

Abstract: 기판상에다수의금속패턴들이배치된다. 상기금속패턴들사이에지지구조가제공된다. 상기지지구조는서포터(supporter) 및접착막(glue layer)을갖는다. 상기금속패턴들의각각은상기기판상의수직길이가수평길이보다크다. 상기서포터는 4.5 eV 이상의밴드갭 에너지(band gap energy)를갖는다. 상기접착막은상기금속패턴들에접촉된다. 상기서포터및 상기접착막은서로다른물질막이다.

Abstract translation: 多个金属图案设置在基板上。 在金属图案之间提供支撑结构。 支撑结构具有支撑件和胶合层。 每个金属图案在衬底上的垂直长度大于水平长度。 支撑体具有4.5eV以上的带隙能量。 粘合剂膜与金属图案接触。 支撑物和粘合剂膜是不同的材料膜。

公开(公告)号：KR101790097B1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：KR1020110035878

申请日：2011-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구봉진 ,  이종철 ,  탁용석 ,  유영섭 ,  조규호 ,  임종성

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/90

Abstract: 커패시터형성방법에서, 기판상에비정질실리콘, 도핑된비정질실리콘, 폴리실리콘혹은도핑된폴리실리콘을사용하여몰드막을형성한다. 상기몰드막을관통하여상기기판일부를노출시키는개구를형성한다. 상기개구의측벽상에배리어막패턴을형성한다. 상기노출된기판및 상기배리어막패턴상에하부전극을형성한다. 상기몰드막및 상기배리어막패턴을제거한다. 상기하부전극상에유전막및 상부전극을순차적으로형성한다. 상기커패시터는높은종횡비를가지며우수한특성을갖는다.

Abstract translation: 在用于形成电容器的方法中，使用非晶硅，掺杂非晶硅，多晶硅或掺杂多晶硅在衬底上形成模塑膜。 并且通过模塑膜形成开口以暴露部分衬底。 阻挡膜图案形成在开口的侧壁上。 在暴露的衬底和阻挡膜图案上形成下电极。 模具膜和阻挡膜图案被去除。 在下电极上依次形成电介质层和上电极。 电容器具有高长宽比，并具有优异的特性。

公开(公告)号：KR101607263B1

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：KR1020090009875

申请日：2009-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  최재형 ,  조규호 ,  김완돈 ,  임재순 ,  강상열

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 본발명의반도체소자는반도체기판의상부에순차적으로형성된하부금속층, 유전층및 상부금속층을포함한다. 하부금속층과유전층사이의제1 부분, 유전층과상부금속층사이의제2 부분, 또는제1 및제2 부분모두에형성된삽입층을포함한다. 유전층은금속산화막으로이루어지고, 삽입층은금속물질막으로이루어진다. 삽입층을구성하는금속물질막의금속은상기유전층을구성하는금속산화막의금속과동일할수 있다.

公开(公告)号：KR101576033B1

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：KR1020090076213

申请日：2009-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조윤정 ,  김윤수 ,  조규호 ,  이정호 ,  최재형 ,  류승민

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L28/60

Abstract: 반도체장치의제조에이용될수 있는박막형성용전구체조성물, 박막형성방법, 게이트구조물제조방법및 커패시터의제조방법에서, 박막형성방법은전구체와전자공여화합물을접촉시켜안정화된전구체를기판상에제공한후, 전구체와결합을형성할수 있는반응물질을기판상에도입하여박막을형성한다. 전자공여화합물에의해안정화된전구체는열적안정성이우수하여스텝커버리지가우수한박막을형성할수 있다. 반도체제조공정의안정성, 효율성및 신뢰성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020120035683A

公开(公告)日：2012-04-16

申请号：KR1020100097361

申请日：2010-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  김범석 ,  탁용석 ,  조규호 ,  이승환 ,  권오성 ,  최근규

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L24/32 ,  H01L28/90 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/8385 ,  H01L27/10808 ,  H01L2924/19041

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to prevent the collapse of lower electrodes by providing a supporting structure between the lower electrodes. CONSTITUTION: A supporting structure includes a supporter(33S) and a glue layer(41) between metal patterns. The metal pattern has a vertical length longer than a horizontal length on a substrate. The supporter has band gap energy of 4.5eV or greater. The glue layer is touched with the metal patterns. The supporter and the glue layer are made of different film materials.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件以通过在下电极之间提供支撑结构来防止下电极的塌陷。 构成：支撑结构包括金属图案之间的支撑件（33S）和胶层（41）。 金属图案具有比基板上的水平长度更长的垂直长度。 支架具有4.5eV或更大的带隙能量。 胶层与金属图案接触。 支撑体和胶层由不同的膜材料制成。

公开(公告)号：KR1020100090534A

公开(公告)日：2010-08-16

申请号：KR1020090009875

申请日：2009-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  최재형 ,  조규호 ,  김완돈 ,  임재순 ,  강상열

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to reduce a current leakage by forming an insertion layer between a dielectric layer and an upper metal layer. CONSTITUTION: A lower metal layer(14), a dielectric layer(18), and an upper metal layer are successively formed on the upper side of a semiconductor substrate. Insertion layers(16a) are formed in a first part between the lower metal layer and the dielectric layer, a second part between the dielectric layer and the upper metal layer, or both of the first part and the second part. The dielectric layer is composed of a metal oxide film. The insertion layers are composed of a metal material film.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，通过在电介质层和上金属层之间形成插入层来减少电流泄漏。 构成：在半导体衬底的上侧依次形成下金属层（14），电介质层（18）和上金属层。 插入层（16a）形成在下金属层和电介质层之间的第一部分，介电层和上金属层之间的第二部分，或第一部分和第二部分两者之间。 电介质层由金属氧化物膜构成。 插入层由金属材料膜构成。

公开(公告)号：KR1020100022441A

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：KR1020090076213

申请日：2009-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조윤정 ,  김윤수 ,  조규호 ,  이정호 ,  최재형 ,  류승민

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L28/60

Abstract: PURPOSE: A precursor composition, a method of forming a layer, a method of manufacturing a gate structure and a method of manufacturing a capacitor are provided to form an excellent step coverage by using a precursor having improved thermal stability. CONSTITUTION: A stabilized precursor is provided on a substrate through a thin film forming method(S120). The precursor and an covalent bond compound are contacted with each other. The precursor comprises a core metal and a ligand. The Ligand is combined with a core metal. A reactant is provided on the substrate(S130). The reactant is combined with the core metal of the precursor.

Abstract translation: 目的：提供前体组合物，形成层的方法，制造栅极结构的方法和制造电容器的方法，通过使用具有改善的热稳定性的前体形成优异的台阶覆盖。 构成：通过薄膜形成方法在基板上提供稳定的前体（S120）。 前体和共价键化合物彼此接触。 前体包含核心金属和配体。 配体与核心金属相结合。 在基板上设置反应物（S130）。 反应物与前体的核心金属组合。

公开(公告)号：KR1020090053312A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070120107

申请日：2007-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  탁용석 ,  김영선 ,  조규호 ,  백은경 ,  김완돈 ,  임재순

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621

Abstract: 컬러 필터 형성 방법 및 이를 이용한 이미지 센서 제조 방법에서, 상기 컬러 필터를 형성하기 위하여, 기판 상에 복수의 금속 산화막들 및 상기 금속 산화막들 사이에 개재되는 복수의 실리콘 산화막들이 적층된 예비 컬러 필터층을 형성한다. 상기 금속 산화막들과 상기 실리콘 산화막들 간의 굴절률 차이가 증가되도록 상기 예비 컬러 필터층을 열처리시켜 컬러 필터층을 형성한다. 상기 열처리를 통해 금속 산화막과 실리콘 산화막 간의 굴절률이 증가함으로써 높은 투과율을 갖고 혼색 및 감도가 개선된 컬러 필터를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090051634A

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：KR1020070118115

申请日：2007-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  최재형 ,  조규호 ,  정정희 ,  김진용 ,  탁용석

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/20 ,  H01L28/56 ,  H01L28/91

Abstract: 향상된 전기적 특성을 갖는 캐패시터 및 그 제조 방법이 개시된다. 캐패시터는 콘택 영역을 갖는 기판 상에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상에 형성된 유전체 구조물 및 유전체 구조물 상에 형성된 상부 전극을 포함한다. 유전체 구조물은 적어도 2개의 유전막 패턴들과 유전막 패턴들 사이에 개재되는 적어도 하나의 버퍼 유전막 패턴을 포함한다. 2 이상의 유전막 패턴들 사이에 개재된 버퍼 유전막 패턴을 구비하는 유전체 구조물을 통해 캐패시터의 유전율을 개선하면서 누설 전류를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090000491A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：KR1020070064594

申请日：2007-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  인하대학교 산학협력단

Inventor： 김윤수 ,  이익모 ,  조규호 ,  이동환 ,  박상언 ,  조민호 ,  김호섭

IPC: C07C257/10 ,  C07C257/02

Abstract: A method of synthesizing ligands for a BST precursor is provided to improve the yield and selectivity of a ligand for a barium strontium titanate precursor while reducing the reaction time. A method of synthesizing ligands for a BST precursor comprises (S1) a step for manufacturing a mixture including beta - die ketone indicated as the chemical formula 1 and a primary amine indicated as R3NH2; and (S2) a step for irradiating the microwave to the mixture. In the chemical formula 1, R1, R2 and R3 are C1-8 linear or branched alkyl group, alkyl fluoride group or aryl group.

Abstract translation: 提供一种合成BST前体配体的方法，以提高钛酸锶钡前体配位体的产率和选择性，同时减少反应时间。 合成BST前体的配体的方法包括（S1）制备包含表示为化学式1的β-酮的混合物的步骤和表示为R3NH2的伯胺; 和（S2）将微波照射到混合物的步骤。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3为C 1-8直链或支链烷基，烷基氟基团或芳基。