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公开(公告)号：KR1020120120771A
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020110038531
申请日：2011-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A memory controller, a memory system including the same, and an operating method thereof are provided to prevent a busy time out by additionally securing a time for processing the same data. CONSTITUTION: An error check module(113) generates an error check signal by checking an error of data received from a host. If there is the error in the received data, a retransmission requesting unit requests the retransmission of the data to the host in response to the error check signal. If there is not the error in the data, the retransmission requesting unit requests the retransmission of the data according to the control of a CPU. If there is not the error in the data, the CPU determines the request for the retransmission of the data.
Abstract translation: 目的：提供存储器控制器，包括其的存储器系统及其操作方法，以通过另外确保处理相同数据的时间来防止忙时超时。 构成：错误检查模块（113）通过检查从主机接收的数据的错误来生成错误检查信号。 如果接收到的数据存在错误，则重传请求单元响应于错误检查信号向主机请求重发数据。 如果数据中没有错误，则重传请求单元根据CPU的控制请求数据的重传。 如果数据没有错误，则CPU确定数据重发的请求。
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公开(公告)号：KR1020070037872A
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020050093011
申请日：2005-10-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/26
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 읽기 방법에 관한 것이다. 상기 반도체 메모리 장치는 셀 어레이와 페이지 버퍼를 포함하는 낸드 플래시 메모리; 및 호스트의 클록 신호에 응답하여 데이터를 독출하는 데이터 램을 포함한다. 상기 반도체 메모리 장치의 읽기 방법은, 상기 셀 어레이로부터 상기 페이지 버퍼로 한 페이지의 데이터를 센싱하는 단계; 상기 페이지 버퍼에 센싱된 데이터를 복수 회에 걸쳐 상기 데이터 램으로 전송하는 단계; 및 상기 클록 신호에 응답하여 상기 데이터 램에 전송된 데이터를 상기 호스트로 독출하는 단계를 포함하되, 상기 독출 단계는 상기 전송 단계의 복수 회 중에서 어느 한 회부터 시작한다. 본 발명에 의하면, 호스트로부터 제공된 클록 신호의 주파수가 빨라지면, 반도체 메모리 장치의 읽기 속도도 빨라진다.
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55.发明授权퓨즈프리 회로, 퓨즈프리 반도체 집적회로 및 퓨즈프리불휘발성 메모리 장치, 그리고 퓨즈프리 방법 失效FUSE_FREE电路，FUSE_FREE半导体IC和非易失性存储器件以及FUSE_FREE方法
公开(公告)号：KR100634439B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020040085753
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C7/00 , G11C16/00 , G11C16/06 , G11C11/413
CPC classification number: G11C29/789 , G11C16/20 , G11C2216/26
Abstract: 본 발명은 퓨즈프리 회로, 퓨즈프리 반도체 집적회로 및 퓨즈프리 불휘발성 메모리 장치, 그리고 퓨즈프리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 퓨즈프리 회로는 불휘발성 메모리 셀에 저장된 값에 따라서 온 또는 오프 되도록 구성된 스위치를 포함한다. 본 발명에 따른 퓨즈프리 반도체 집적회로는 불휘발성 메모리 장치에 저장된 퓨즈정보에 따라서 전기적으로 온 또는 오프 되도록 구성된 스위치, 그리고 상기 스위치의 온 또는 오프에 따라서 퓨즈를 연결 또는 절단할 때와 동일한 동작을 수행하는 조절회로를 포함한다. 본 발명에 따른 퓨즈프리 불휘발성 메모리 장치는 메모리 셀 어레이에 저장된 퓨즈정보에 따라서 전기적으로 온 또는 오프 되도록 구성된 스위치, 그리고 상기 스위치의 온 또는 오프에 따라서 퓨즈를 연결 또는 절단할 때와 동일한 동작을 수행하는 내부 조절회로를 포함한다.
본 발명에 의하면, 반도체 집적회로 또는 불휘발성 메모리 장치 내에 퓨즈를 사용할 때 발생되는 문제점들을 해소할 수 있다.-
Patent Agency Ranking56.发明公开
公开(公告)号：KR1020060036684A
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020040085753
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C7/00 , G11C16/00 , G11C16/06 , G11C11/413
CPC classification number: G11C29/789 , G11C16/20 , G11C2216/26 , G11C16/06 , G11C7/20
Abstract: A switch (120) reacts to fusible cutout information with a conductive connection if data is stored with a logical value of 1 in a non-volatile Not-And (NAND) flash memory cell (110). If the logical value is 0, then the switch has a blocking connection. A circuit has the same effect as when a fusible cutout is severed or not severed. Independent claims are also included for the following: (A) A semiconductor memory component; and (B) a method for operating a circuit with an open fusible cutout.
Abstract translation: 本发明涉及预熔断器电路，自由熔丝的半导体集成电路和一个自由熔丝的非易失性存储器装置，和一个自由熔丝的方法。 本发明的无熔丝电路包括被配置为开启或关闭根据存储在非易失性存储单元中的值的开关。 自由熔丝半导体根据本发明的集成电路，所述开关被配置为根据存储在所述非易失性存储装置中的熔丝信息或关闭电接通，并执行相同的操作的连接或与该开关的OFF切断熔断器的根据时作为 Lt。 根据本发明的熔丝 - 自由非易失性存储器装置执行的开关，并且相同的操作连接或切断熔丝根据开关的OFF时如被配置为根据存储在存储器单元阵列中的熔丝信息被电接通或断开 Lt。
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公开(公告)号：KR1020040062298A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：KR1020030000101
申请日：2003-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/762
Abstract: PURPOSE: A method for forming a trench structure of a semiconductor device is provided to form the trench structure by using a spin-on glass solution including perhydro silazene. CONSTITUTION: The first layer is formed on a substrate(10). The first layer pattern is formed by patterning the first layer. A field region of the substrate is exposed by forming the first layer pattern. A trench is formed on the substrate by etching the exposed part. An SOG layer for burying the trench is formed by coating an SOG solution including perhydro silazene on the substrate. The first layer pattern is exposed by planarizing the SOG layer. Ions are implanted into the SOG layer by using the first layer pattern as an ion mask. The SOG layer is formed as a silicon oxide layer(18a) by performing a thermal process for the substrate including the SOG layer. The first layer pattern is etched by using an etch ratio of the first layer pattern and the silicon oxide layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的沟槽结构的方法，以通过使用包括全氢硅氮烷的旋涂玻璃溶液形成沟槽结构。 构成：第一层形成在基底（10）上。 通过图案化第一层形成第一层图案。 通过形成第一层图案来暴露基板的场区域。 通过蚀刻暴露部分在衬底上形成沟槽。 通过在衬底上涂覆包括全氢硅氮烷的SOG溶液来形成用于掩埋沟槽的SOG层。 通过平坦化SOG层来暴露第一层图案。 通过使用第一层图案作为离子掩模将离子注入到SOG层中。 通过对包括SOG层的基板进行热处理，形成SOG层作为氧化硅层（18a）。 通过使用第一层图案和氧化硅层的蚀刻比来蚀刻第一层图案。
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公开(公告)号：KR100188914B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019920021230
申请日：1992-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조현덕
IPC: H03M1/44
Abstract: 본 발명은 듀어바이너리신호를 바이너리신호로 복호하는 회로에 관한 것으로, 종래의 아날로그방식에 비해 복호의 신뢰도를 높이고 전송에러를 정정해주는 기능을 부가한 것이다.
본 발명은, 저역필터와 A/D변환기를 이용하여 아날로그형태의 듀오바이너리신호를 디지탈신호로 바꾸어준 후 일정한 비교기준값을 제공하는 기준값공급부의 기준값과 상기 디지탈신호의 크기를 비교함으로써 바이너리신호를 추출하는 디지탈 방식의 듀오바이너리신호 복호기이다. 상기의 수단에 신호지연 특성을 갖는 두 개의 플립플롭과 입력되는 세 개의 바이너리값중 다수를 차지하는 값을 선택하여 출력하는 다수결판정부로 이루어지는 오류정정수단을 부가하면 복호의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
본 발명은 일반적으로 듀오바이너리신호의 바이너리신호로의 변환이 필요한 분야에 적용될 수 있으며, 특히 MAC(Multiplexed Analog Component)방식 TV시스템이나 VCR에 적용이 가능하다.-
公开(公告)号：KR100171819B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019910005098
申请日：1991-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조현덕
IPC: H04N5/38
Abstract: 비데오 신호 엔코딩시 입력 정지 및 운동 비데오 신호를 서브 샘플링하고, 입력 비디오 신호로부터 운동벡터를 검출하며, 상기 운동부 서브 샘플링 신호로부터 운동 영역을 감지하여 상기 정지/운동부 서브 샘플링된 신호를 합성한다.
상기 합성출력 신호를 MXN으로 분할하여 DCT처리에 의해 압축한다.
상기 DCT 처리에 의해 출력된 것을 지그재그 주사에 의해 스캔하고, 상기 지그잭 주사선 출력을 호프만 코딩 변환하고 이를 다시 런-랭스 코딩 변화하여 합성한다.
상기 엔코딩 신호를 런-랭스로 디코딩하고 상기 디코딩 데이타를 호프만 방식으로 디코딩하여 원상태로 포맷팅한다.
상기 포맷팅된 출력을 역 DCT화하여 분리되기 이전의 상태로 재구성하고 상기 수신 엔코딩 신호로부터 운동벡터를 추출하여 정지 및 동화 신호를 보간한다.
상기 운동벡터 추출 출력에 따라 운동영역을 감지하고, 상기 운동영역 감지 출력에 따라 상기 정지부 보간 및 운동부 보간된 출력을 합성한다.-
公开(公告)号：KR100155698B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019920011378
申请日：1992-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조현덕
IPC: H04N7/24
Abstract: 이 발명은 별도의 제품화된 그레이 디코더를 사용하지 않고도 그레이 엔코딩된 신호를 디코딩시키도록 된 채널식별기의 그레이 디코더 장치에 관한 것으로서, 서픽스 발생기를 이용하여 입력되는 어드레스에 대해 서픽스를 발생시키고 이 서픽스와 입력되는 데이터를 어드레스 비교기에 의해 비교하여 일정수 이하의 에러인가를 에러감지기에 의해 감지하도록 하여 데이터를 패스시키는 스위치회로를 제어하도록 하였다.
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