公开(公告)号：KR1020080057094A

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：KR1020060130442

申请日：2006-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최혁순 ,  허지현 ,  강윤호 ,  이효석 ,  신재광 ,  오재준

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  Y10T29/49002 ,  G11C13/0004

Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing and operating the same are provided to decrease the reset current by inserting an insulating layer into a phase change layers, and by controlling a relative location between a lower part electrode contact layer and the insulating layer. A first and a second impurity regions(12,14) are formed separately on a substrate(10). A gate stack(20) is formed between the impurity regions. A channel region(16) is formed under the gate stack. The gate stack comprises a gate insulating layer(18) and a gate electrode(19). The substrate and the gate stack configure a transistor. A first interlayer dielectric(22) covering the transistor is formed on the substrate. A first contact hole(h1) exposing the second impurity region is formed at the first interlayer dielectric. The first contact hole is filled with a conductive plug(24). A bottom electrode(30) covering the exposed portion of the bottom electrode is formed on the first interlayer dielectric. A second interlayer dielectric(32) is stacked on the first interlayer dielectric. A second contact hole(h2) is formed on the second interlayer dielectric. The second contact hole is filled with a lower electrode contact layer(34). The bottom electrode and the bottom electrode contact layer configure a lower part stack. A phase change layer(36) is formed on the second interlayer dielectric.

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造和操作方法，以通过将绝缘层插入相变层中并通过控制下部电极接触层和绝缘层之间的相对位置来减小复位电流。 在基板（10）上分别形成第一和第二杂质区（12,14）。 在杂质区之间形成栅叠层（20）。 沟道区（16）形成在栅叠层下方。 栅极堆叠包括栅极绝缘层（18）和栅极电极（19）。 衬底和栅极堆叠配置晶体管。 在衬底上形成覆盖晶体管的第一层间电介质（22）。 在第一层间电介质处形成露出第二杂质区的第一接触孔（h1）。 第一接触孔填充有导电插塞（24）。 覆盖底部电极的暴露部分的底部电极（30）形成在第一层间电介质上。 第二层间电介质（32）堆叠在第一层间电介质上。 第二接触孔（h2）形成在第二层间电介质上。 第二接触孔填充有下电极接触层（34）。 底部电极和底部电极接触层构成下部叠层。 在第二层间电介质上形成相变层（36）。

公开(公告)号：KR1020080052906A

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：KR1020060124668

申请日：2006-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유재준 ,  곽창훈 ,  김병주 ,  김장섭 ,  강윤호 ,  권성규 ,  심이섭 ,  이광호

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/01 ,  B41J2/015

CPC classification number: B41J2/14 ,  B41J2/21

Abstract: An inkjet head is provided to jet plural colors of ink with one inkjet head by changing ink quickly and accurately. An inkjet head comprises a frame, a nozzle(410), a plurality of nozzle flow paths and ink feed tubes(611,612,613). The frame has a plurality of inner chambers(420) for storing ink. The nozzle is formed on the lower part of the inner chambers. The nozzle flow paths are formed on the upper part of the inner chambers. The ink feed tubes are connected to the nozzle flow paths.

Abstract translation: 提供一种喷墨头，用于通过快速，准确地改变墨水，用一个喷墨头喷射多种颜色的墨水。 喷墨头包括框架，喷嘴（410），多个喷嘴流动路径和供墨管（611,612,613）。 框架具有用于储存油墨的多个内室（420）。 喷嘴形成在内腔的下部。 喷嘴流路形成在内腔的上部。 供墨管连接到喷嘴流动路径。

公开(公告)号：KR1020080051794A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020060123462

申请日：2006-12-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽창훈 ,  김병주 ,  김장섭 ,  강윤호 ,  권성규 ,  심이섭 ,  이광호 ,  유재준

IPC: B41J2/165 ,  B41J2/135

CPC classification number: B41J2/16535 ,  B41J2/16526 ,  B41J2002/16567 ,  B41J2002/16582

Abstract: A maintenance apparatus of a print head and a maintenance method using the same are provided to clean the print head using an ultrasonic cleaning unit so that the nozzles of the print head eject uniform amount of ink. A maintenance apparatus(200) of a print head(300) comprises an ultrasonic cleaning unit(210) and a wiping unit(220). The ultrasonic wave cleaning unit cleans foreign matters around nozzles of the print head including ink discharge nozzles by using ultrasonic waves. The wiping unit makes contact with the print head, having a wiper rubbing the print head.

Abstract translation: 提供打印头的维护装置和使用其的维护方法以使用超声波清洗单元来清洁打印头，使得打印头的喷嘴喷射均匀的墨水量。 打印头（300）的维护装置（200）包括超声波清洗单元（210）和擦拭单元（220）。 超声波清洗装置利用超声波清洗包括喷墨嘴在内的打印头的喷嘴附近的异物。 擦拭单元与打印头接触，具有擦拭打印头的刮水器。

公开(公告)号：KR100763908B1

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020060001392

申请日：2006-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노진서 ,  김기준 ,  강윤호

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 상전이 물질, 이를 포함하는 상전이 메모리, 이의 동작 방법에 관해 개시한다. 개시된 상전이 메모리는: 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자에 연결된 상전이 물질이 내재된 스토리지 노드를 포함한다. 상기 스토리지 노드는: 제1전극; 상전이층; 및 제2 전극;을 구비하며, 상기 상전이층은, InSbTe 화합물에 Ge 가 도핑된 것을 특징으로 한다. 이에 따라 상전이 물질의 비정질화 온도 및 리세트 전류를 낮출 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070050685A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：KR1020050108194

申请日：2005-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장섭 ,  김병주 ,  강윤호 ,  권성규 ,  곽창훈 ,  이광호

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133512 ,  H01L21/306 ,  H01L29/786

Abstract: 잉크젯 장치를 이용한 컬러 필터 기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법를 제공한다. 컬러 필터 기판의 제조 방법은 기판 상에 각각의 화소 영역을 정의하는 차광 패턴을 형성하는 단계, 화소 영역을 분할하는 뱅크를 형성하는 단계, 분할된 화소 영역 중 일 영역을 착색 요소로 충진하여 제 1 두께의 컬러 필터를 형성하는 단계, 뱅크를 제거하는 단계 및 화소 영역을 착색 요소로 충진하여 제 1 두께보다 작은 제 2 두께의 컬러 필터를 형성하는 단계를 포함한다.
컬러 필터, 잉크젯 장치, 액정 표시 장치, 반투과형

公开(公告)号：KR100707182B1

公开(公告)日：2007-04-13

申请号：KR1020050013531

申请日：2005-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동석 ,  강윤호 ,  노진서 ,  바실리레니아신 ,  송미정

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1691 ,  Y10S977/754

Abstract: 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 기판에 형성된 트랜지스터; 상기 기판 상에서 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1전극; 상기 제1전극 상에 수직으로 형성된 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극;을 구비한다. 상기 상전이 물질막 및 상기 제2전극 사이의 콘택영역의 일 폭은 30 nm 이하로 형성된다.

公开(公告)号：KR100695162B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020050085250

申请日：2005-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상목 ,  강윤호 ,  노진서 ,  서동석

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

公开(公告)号：KR100682887B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020040006114

申请日：2004-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  최병룡

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B82Y30/00 ,  G03F1/50

Abstract: 표면 플라즈몬 공명(SPR; surface plasmon resonance)을 이용한 나노구조 형성방법이 개시된다. 개시된 방법은 반도체 기판 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 단계와, 포토 레지스트 층 상에 나노 구조체를 형성하는 단계와, 나노 구조체가 형성된 반도체 기판으로 빛을 조사하여 포토 레지스트 층을 감광하는 단계와, 감광된 포토 레지스트 층을 현상하는 단계 및 현상된 포토 레지스트 층을 이용하여 반도체 기판을 건식 식각함으로써 반도체 기판이 나노구조를 갖도록 하는 단계를 포함한다. 따라서, 미리 제조된 나노 구조체를 포토 레지스트 층에 형성한 후 SPR을 적용함으로써 기존의 반도체 공정에 손쉽게 적용할 수 있는 높은 효율의 공정으로 짧은 시간에 대면적의 기판에 나노 구조를 간단하게 형성할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100682886B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020030093168

申请日：2003-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/029 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/021

Abstract: 본 발명은 기상의 입자 제조방법에 의하여 10nm 내지 1000nm의 에어로졸 상태의 입자를 제조하고, 그 에어로졸 상태의 입자에 레이저 빔을 가하여 어블레이션(ablation)시킴으로써 나노입자를 제조하는 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020070004315A

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020050059818

申请日：2005-07-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광호 ,  강윤호 ,  김장섭 ,  권성규

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/1303 ,  G02F1/133514

Abstract: An apparatus for manufacturing color filters and a method for manufacturing the color filters are provided to make the evaporation speed of color resin uniform over a color resin layer, thereby minimizing the step difference of the color filter layer, by ejecting air within a chamber to the outside after dropping color resin on the substrate. A housing part(30) is disposed above a substrate, wherein the housing part surrounds the substrate and a black matrix. The housing part has a chamber(45) for blocking the black matrix from the outside. At least one vacuum line(40) is configured to eject air within the chamber. A sealing member(35) is positioned at the contact surface between the housing part and the substrate, and seals the chamber.

Abstract translation: 提供一种滤色器的制造装置和滤色片的制造方法，使彩色树脂的蒸发速度在着色树脂层上均匀，从而使滤色器层的台阶差最小化，将室内的空气喷射到 在基板上着色树脂滴下之后。 壳体部分（30）设置在基底之上，其中壳体部分围绕基底和黑矩阵。 壳体部分具有用于从外部阻挡黑色矩阵的腔室（45）。 至少一个真空管线（40）构造成喷射室内的空气。 密封构件（35）定位在壳体部分和基底之间的接触表面处，并且密封腔室。