네비게이션 시스템에서 경로 이탈지로부터 이탈 전경로까지의 멀티패스를 계산하는 리-라우팅 장치 및 방법
    51.
    发明授权
    네비게이션 시스템에서 경로 이탈지로부터 이탈 전경로까지의 멀티패스를 계산하는 리-라우팅 장치 및 방법 有权
    用于从导航系统中的原始路径中找到从原点路径移除原始路径的多路径的再路由装置和方法

    公开(公告)号:KR100689512B1

    公开(公告)日:2007-03-02

    申请号:KR1020040046994

    申请日:2004-06-23

    Abstract: 본 발명은 지도데이터를 구비한 네비게이션 시스템(Navigation System)의 리-라우팅(Re-Routing) 장치에 있어서, 네비게이션 시스템으로부터 제공된 소정 정상경로를 주행하던 이동체가 그 경로를 이탈한 경우 상기 지도데이터로부터 그 이탈지 링크정보를 검출하는 이탈정보 검출부와, 상기 이탈지 링크의 인접링크들을 검출하여 검출된 하나 이상의 인접링크들을 시작링크로 각각 설정하는 시작링크 설정부와, 상기 각각의 시작링크로부터 정상경로까지의 적어도 하나 이상의 복귀 경로를 각각 계산하는 경로계산부와, 상기 계산된 하나 이상의 경로를 디스플레이하는 표시부를 포함함을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 이동체가 네비게이션 시스템에서 제공된 소정 정상경로를 주행할 때 정상경로를 이탈할 경우 그 다음 교차로에서 어느 방향으로 주행하더라도 재이탈 처리를 하지 않고 이동체에게 정상경로로 복귀할 수 있는 다양한 경로를 제시할 수 있다. 또한 본 발명은 이동체에게 다양한 복귀경로를 제시함으로써 이동체의 운전자가 새로운 경로로 진입하기 위해 무리한 차선변경을 시도하는 경우를 줄일 수 있는 효과가 있다.
    네비게이션, 경로탐색

    피피피오이 네트워크 시스템 및 이 시스템의 접속 방법
    52.
    发明授权
    피피피오이 네트워크 시스템 및 이 시스템의 접속 방법 失效
    PPPoE网络系统及其连接方法

    公开(公告)号:KR100542361B1

    公开(公告)日:2006-01-10

    申请号:KR1020030008925

    申请日:2003-02-12

    Inventor: 김진원

    CPC classification number: H04L12/6402 H04L67/42

    Abstract: A PPPoE (Point-to-Point Protocol over Ethernet) network system and connection method thereof. The connection method includes the steps of: if a connection attempt is made, transmitting a PADI (PPPoE Active Discovery Initiation) packet to a plurality of servers by performing a discovery stage; after transmitting the PADI packet, deciding whether a packet being transmitted from a server is transmitted in a session packet in a PPP session stage or a PADO (PPPoE Active Discovery Offer) packet; and if the packet being transmitted from the server is the session packet, terminating connection between a client and an already-connected server by performing a discovery stage for terminating the connection, and then reestablishing the connection by performing a discovery stage for connection. Therefore, even though the connection between the client and the server is unproperly disconnected due to errors on the client side, the connection can be reestablished faster and more effectively.

    에이.지.피.에스 기능을 갖는 텔레매틱스 서비스 제공 장치 및 방법
    53.
    发明公开
    에이.지.피.에스 기능을 갖는 텔레매틱스 서비스 제공 장치 및 방법 有权
    用于提供具有AGPS功能的电话服务的装置

    公开(公告)号:KR1020050029290A

    公开(公告)日:2005-03-24

    申请号:KR1020030065400

    申请日:2003-09-20

    CPC classification number: G01S19/05 G01S19/14

    Abstract: An apparatus for providing telematics service having an AGPS(Assisted GPS) function is provided to enable rapid telematics by reducing an initial position measurement time of a telematics system. A position determination entity(PDE) server(400) collects AGPS information including orbit information and correction information of a satellite and then stores it. A telematics terminal(100) receives the AGPS information from the positioning server, and measures the present position of a moving object using the AGPS information, and requests telematics service using the present position information. And a telematics server(200) receives the AGPS information from the positioning server in response to the AGPS request of the telematics terminal, and then transfers the AGPS information to the telematics terminal, and provides service corresponding to the service request using the present position information of the telematics terminal to the telematics terminal.

    Abstract translation: 提供一种用于提供具有AGPS(辅助GPS)功能的远程信息处理服务的装置,以通过减少远程信息处理系统的初始位置测量时间来实现快速远程信息处理。 位置确定实体(PDE)服务器(400)收集包括卫星的轨道信息和校正信息的AGPS信息,然后存储它。 远程信息通信终端(100)从定位服务器接收AGPS信息,并使用AGPS信息测量移动物体的当前位置,并使用当前位置信息请求远程信息处理服务。 并且远程信息处理服务器(200)响应于远程信息处理终端的AGPS请求从定位服务器接收AGPS信息,然后将AGPS信息传送到远程信息处理终端,并使用当前位置信息提供对应于服务请求的服务 的远程信息处理终端到远程信息处理终端。

    반도체장치의트랜치형소자분리막형성방법

    公开(公告)号:KR100468692B1

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:KR1019970048062

    申请日:1997-09-22

    Inventor: 김진원

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a trench-type isolation layer of a semiconductor device is provided to prevent a gate oxide layer from being decreased in quality and avoid a lifting phenomenon in a high temperature treatment by using an HDP(high density plasma) insulation layer as an etch stop layer in a process for planarizing an isolating insulation layer. CONSTITUTION: A mask pattern is formed on a semiconductor substrate(40). A trench(46) is formed in the semiconductor substrate by using the mask pattern as an etch mask. An isolating insulation layer for filling the trench is formed on the front surface of the mask pattern. The insulation layer is planarized until the interface of the mask pattern is exposed. The mask pattern is eliminated. A pad oxide layer and the first insulation layer are sequentially formed and patterned to form the mask pattern. The first insulation layer is one of an HDP-Sin layer, an HDP CVD(chemical vapor deposition) SiN layer or an HDP SiON layer.

    피피피오이 네트워크 시스템 및 이 시스템의 접속 방법
    55.
    发明公开
    피피피오이 네트워크 시스템 및 이 시스템의 접속 방법 失效
    PPPOE网络系统和系统的连接方法

    公开(公告)号:KR1020040072444A

    公开(公告)日:2004-08-18

    申请号:KR1020030008925

    申请日:2003-02-12

    Inventor: 김진원

    CPC classification number: H04L12/6402 H04L67/42

    Abstract: PURPOSE: A PPPoE(Point-to-Point over Ethernet) network system, and a connection method of the system are provided to promptly connect a client with a server even if the client is disconnected with the server due to an error of the client. CONSTITUTION: A client judges whether connection trial exists. The client transmits PADI(PPPoE Active Discovery Initiation) packet to a sever. The client judges the receipt of PADO packet(PPPoE Active Discovery Offer). The client extracts a client MAC address from a client MAC address field of session packets, and extracts a session identifier from a session identifier field. The client loads the session identifier on the session identifier field of PADT(PPPoE Active Discovery Termination) packet to transmit the session identifier. The client judges the receipt of PADT packet. If receiving the PADO packet, the client transmits PADR(PPPoE Active Discovery Request) packet in response to the PADO packet. The client judges the receipt of PADS(PPPoE Active Discovery Session-confirmation) packet.

    Abstract translation: 目的:提供PPPoE(点对点以太网)网络系统,并提供系统的连接方法,即使客户端与客户端由于客户端的错误而与​​服务器断开连接,也可以将客户端与服务器及时连接。 规定:客户判断连接审判是否存在。 客户端向服务器发送PADI(PPPoE Active Discovery Initiation)数据包。 客户端判断收到PADO包(PPPoE Active Discovery Offer)。 客户端从会话分组的客户端MAC地址字段提取客户端MAC地址,并从会话标识符字段提取会话标识符。 客户端加载PA​​DT(PPPoE Active Discovery Termination)分组的会话标识符字段的会话标识符,以发送会话标识符。 客户端判断接收到PADT包。 如果接收到PADO数据包,则客户机响应于PADO数据包发送PADR(PPPoE Active Discovery Request)数据包。 客户端判断接收到PADS(PPPoE Active Discovery会话确认)数据包。

    문자 메시지를 송수신하는 유선 전화 단말기에서 부재중수신된 정보를 외부 단말기로 송신하는 방법
    56.
    发明公开
    문자 메시지를 송수신하는 유선 전화 단말기에서 부재중수신된 정보를 외부 단말기로 송신하는 방법 失效
    将接收到的无效信息发送到电话终端收发文本消息的外部终端的方法

    公开(公告)号:KR1020030069731A

    公开(公告)日:2003-08-27

    申请号:KR1020020009671

    申请日:2002-02-22

    Inventor: 김진원

    Abstract: PURPOSE: A method for transmitting received absent information to an external terminal in a wire telephone terminal transceiving a text message is provided to transmit a received information text message informing a user that an absent call or a text message is received, to an external terminal preset by the user, thereby enabling the user to confirm the received call and the message by using the external terminal. CONSTITUTION: A received ring is detected(202). A local connector receives a CID, and applies the CID to a text message processor(204). A controller checks whether the CID is received from a PSMSC(PSTN Short Message Service Center)(206). If so, the controller forms a voice channel(208), and receives a text message(210). The controller cancels the voice channel(212), and stores the text message in a memory(214). The controller decides whether an absent setting is stored in the memory(220). If so, the text message processor creates a text message processing text message(222). The controller requests a call connection of a PSTN(224). A voice channel is formed between a receiving terminal and the PSMSC(226). The text message processor transmits the received information text message to the PSMSC(228). The voice channel is cancelled(230).

    Abstract translation: 目的:提供收发短消息的有线电话终端中的外部终端发送接收到的缺席信息的方法,以将接收到的信息文本消息通知给用户不存在呼叫或文本消息被接收到外部终端预设 从而使得用户能够通过使用外部终端来确认所接收的呼叫和消息。 构成:检测到接收到的振铃(202)。 本地连接器接收CID,并将CID应用于文本消息处理器(204)。 控制器检查是否从PSMSC(PSTN短消息服务中心)接收到CID(206)。 如果是,则控制器形成语音信道(208),并接收文本消息(210)。 控制器取消语音信道(212),并将文本消息存储在存储器(214)中。 控制器确定存储器(220)中是否存储不存在的设置。 如果是,则文本消息处理器创建文本消息处理文本消息(222)。 控制器请求PSTN(224)的呼叫连接。 在接收终端和PSMSC(226)之间形成话音信道。 文本消息处理器将所接收的信息文本消息发送到PSMSC(228)。 语音通道被取消(230)。

    반도체소자의 커패시터 및 그 제조방법
    57.
    发明授权
    반도체소자의 커패시터 및 그 제조방법 失效
    半导体器件的电容器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100319884B1

    公开(公告)日:2002-01-10

    申请号:KR1019990012769

    申请日:1999-04-12

    Inventor: 남상돈 김진원

    CPC classification number: H01L28/75 H01L28/55

    Abstract: 고유전체막을채택하는반도체소자의커패시터및 그제조방법이개시된다. 본발명은도전막및 열적으로안정한물질막을서로번갈아가면서형성한후 이들도전막및 열적으로안정한물질막을소정의형태로패터닝함으로써, 서로중첩되는적어도 2개의도전막패턴들로구성되는스토리지전극및 각도전막패턴들사이에개재된열적으로안정한물질막패턴을형성한다. 이에따라, 스토리지전극상에고유전체막을형성하기위한열처리공정또는후속의고온열처리공정시스토리지전극이변형되거나부러지는현상을억제시킬수 있다.

    커패시터의 전극 제조 방법
    58.
    发明授权
    커패시터의 전극 제조 방법 失效
    电容器电极的制造方法

    公开(公告)号:KR100311050B1

    公开(公告)日:2001-11-05

    申请号:KR1019990057626

    申请日:1999-12-14

    CPC classification number: H01L28/91 H01L21/31111 H01L21/31116 H01L21/31122

    Abstract: 반도체장치에사용되는커패시터전극제조방법을개시한다. 본발명의일 관점은, 반도체기판상에지지용절연막, 산화탄탈륨막을포함하는식각종료막및 몰드(mold)용희생절연막을순차적으로형성한다. 몰드용희생절연막, 식각종료막및 지지용절연막을순차적으로패터닝하여, 스토리지전극이 3차원적인형상을가지도록유도하는몰드를형성한다. 몰드상에몰드의내측면을덮는스토리지전극막을형성한후, 커패시터별로스토리지전극을분리한다. 잔류하는몰드용희생절연막을산화탄탈륨막을식각종료점으로선택적으로습식식각하여제거한다.

    반구형 그레인 커패시터 및 그 형성방법
    59.
    发明公开
    반구형 그레인 커패시터 및 그 형성방법 失效
    化学颗粒电容器及其方法

    公开(公告)号:KR1020000052343A

    公开(公告)日:2000-08-25

    申请号:KR1019990044301

    申请日:1999-10-13

    CPC classification number: H01L27/10852 H01L27/10817 H01L28/84

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a hemispherical grain(HSG) capacitor is provided to prevent a bridge between a lower electrodes, to solve an overlapping problem of the HSG caused by a decreased size of an inside diameter of a cylindrical lower electrode, and to make a uniform capacitance on an overall surface of a wafer, by controlling the size of the HSG. CONSTITUTION: A method for manufacturing a hemispherical grain(HSG) capacitor comprises the steps of: forming a cylindrical lower electrode on the substrate by evaporating at least two amorphous silicon layers having different doping density of impurities; growing HSG at least on a part of the lower electrode by moving a silicon atom of the cylindrical lower electrode; forming a dielectric layer on the lower electrode having the HSG; and forming an upper electrode on the dielectric layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造半球形晶粒(HSG)电容器的方法,以防止下部电极之间的桥接,以解决由圆筒形下部电极的内径尺寸减小引起的HSG的重叠问题,并且使 通过控制HSG的尺寸在晶片的整个表面上的均匀电容。 构成:制造半球形晶粒(HSG)电容器的方法包括以下步骤:通过蒸发具有不同杂质掺杂密度的至少两个非晶硅层,在衬底上形成圆柱形下电极; 通过移动圆柱形下电极的硅原子,至少在一部分下电极上生长HSG; 在具有HSG的下电极上形成电介质层; 以及在所述电介质层上形成上电极。

    오산화이탄탈륨 유전막을 갖는 반도체 장치의 커패시터 제조방법
    60.
    发明公开
    오산화이탄탈륨 유전막을 갖는 반도체 장치의 커패시터 제조방법 无效
    形成具有TA2O3介电层的半导体器件电容器的方法

    公开(公告)号:KR1020000001032A

    公开(公告)日:2000-01-15

    申请号:KR1019980021056

    申请日:1998-06-08

    Inventor: 김진원

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a capacitor of a semiconductor device having TA2O3 dielectric layer is provided to improve Cmin/Cmax by suppressing oxidation of a lower electrode decreasing capacitance and stopping realignment of impurity doped in the lower electrode. CONSTITUTION: The method for forming a capacitor of a semiconductor device having TA2O3 dielectric layer comprises: (a) a step to form a lower electrode(200) on a semiconductor substrate(100) and then form a silicon nitride layer(SiN)(300) on the lower electrode; (b) a step to oxidize the silicon nitride layer by using oxide plasma; (c) a step to form a TA2O3 dielectric layer(500) covering the oxidized silicon nitride layer; and (d) a step to form a upper electrode(400) on the dielectric layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于形成具有TA 2 O 3介电层的半导体器件的电容器的方法,以通过抑制下部电极的氧化降低电容并停止掺杂在下部电极中的杂质的重新排列来改善Cmin / Cmax。 构成:用于形成具有TA 2 O 3介电层的半导体器件的电容器的方法包括:(a)在半导体衬底(100)上形成下电极(200),然后形成氮化硅层(SiN)(300)的步骤 )在下电极上; (b)通过使用氧化物等离子体来氧化氮化硅层的步骤; (c)形成覆盖氧化氮化硅层的TA 2 O 3介电层(500)的工序; 和(d)在电介质层上形成上电极(400)的步骤。

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