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公开(公告)号：KR1019960013040B1
公开(公告)日：1996-09-25
申请号：KR1019930013152
申请日：1993-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신영민
IPC: H03B5/30
Abstract: a delaying unit(20) for delaying a sine wave oscillating output; a comparator(22) for compensating the duty change of an offset voltage before processing a signal to stabilize the oscillator output by using the sine wave oscillator output and a delaying unit output as two input signals of the comparator when the offset voltage of the oscillator output is changed.
Abstract translation: 延迟单元（20），用于延迟正弦波振荡输出; 比较器（22），用于在振荡器输出的偏置电压之前，通过使用正弦波振荡器输出和延迟单元输出作为比较器的两个输入信号来补偿处理信号之前的偏移电压的占空比变化以稳定振荡器输出 改变了
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公开(公告)号：KR1019930011180B1
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019910000963
申请日：1991-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04M1/00
Abstract: This circuit supplies a base voltage to produce fixed hysterisis value according to enable signals so that a ringer part generates the stable ringer signals. The N-bias circuit (2) generates a bias voltage (VNB) and outputs the start control signal (VSC), a level detector (1) detects the electric source (B+) and generates the detecting voltage (VSB), and a comparator (3) outputs the enable signal, such that the transistor (M8) changes the level of the base voltage (VREF) according to the comparator outputs.
Abstract translation: 该电路提供基极电压以根据使能信号产生固定的滞后值，使得振铃器部分产生稳定的振铃信号。 N偏置电路（2）产生偏置电压（VNB）并输出起始控制信号（VSC），电平检测器（1）检测电源（B +）并产生检测电压（VSB），比较器 （3）输出使能信号，使得晶体管（M8）根据比较器输出改变基极电压（VREF）的电平。
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Patent Agency Ranking56.发明公开고속 멀티플렉서, 상기 고속 멀티플렉서를 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 전자 장치 无效高速多路复用器，具有高速多路复用器的半导体器件，以及具有半导体器件的电子器件
公开(公告)号：KR1020100020896A
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：KR1020090043352
申请日：2009-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03K17/693
CPC classification number: H03K17/693 , H03K17/005 , H03K19/0013 , H03K19/1737 , H03K2217/0036
Abstract: PURPOSE: A fast multiplexer, a semiconductor device including the same, and an electronic device including the semiconductor device are provided to process data with low power and high speed using separated data pathes. CONSTITUTION: A first path circuit(13) transmits one of a plurality of input signals as a first transmission signal using a plurality of first type pass transistors. A second path circuit(15) transmits one of the plurality of input signals as a second transmission signal using a plurality of second type pass transistors. An output circuit(17) outputs one of two voltages as an output signal in response to the first and second transmission signals. The first and second type pass transistors are respectively comprised of NMOSFET or PMOSFET.
Abstract translation: 目的：提供一种快速多路复用器，包括该半导体器件的半导体器件和包括该半导体器件的电子器件，以使用分离的数据裸片来处理低功率和高速度的数据。 构成：第一路径电路（13）使用多个第一类型的通过晶体管将多个输入信号中的一个作为第一发送信号发送。 第二路径电路（15）使用多个第二类型的通过晶体管将多个输入信号中的一个作为第二发送信号发送。 输出电路（17）响应于第一和第二传输信号而输出两个电压中的一个作为输出信号。 第一和第二类型传输晶体管分别由NMOSFET或PMOSFET组成。
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公开(公告)号：KR1020060134313A
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：KR1020050053904
申请日：2005-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K3/35613
Abstract: A level shifter having a mode selection function and a level shifting method are provided to operate some function blocks which are driven by using an output of the level shifter in a normal mode and a power down mode. A level shifter includes a level shifting unit(510) generating plural internal voltages, shifting voltage levels of plural input signals and outputting an output signal based on the internal voltages, and a mode control unit(520) controlling the voltage levels of the internal voltages in response to a mode selection signal. The input signals comprise a first signal with a first phase and a second signal with a second phase, the first and second phases not being the same. The mode selection signal indicates either of a normal mode and a power down mode.
Abstract translation: 提供具有模式选择功能和电平移位方法的电平移位器来操作通过在正常模式和掉电模式下使用电平移位器的输出来驱动的一些功能块。 电平移位器包括产生多个内部电压的电平移位单元（510），移位多个输入信号的电压电平并基于内部电压输出输出信号;以及模式控制单元（520），其控制内部电压的电压电平 响应于模式选择信号。 输入信号包括具有第一相位的第一信号和具有第二相位的第二信号，第一和第二相位不相同。 模式选择信号指示正常模式和掉电模式。
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公开(公告)号：KR100604777B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1019990001765
申请日：1999-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신영민
IPC: H03K19/0175
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 입출력 회로에 관한 것으로서, 소정의 기준 전압이 인가되는 제1 패드, 외부 신호가 인가되는 제2 패드, 상기 제1 패드 및 제2 패드에 입력단이 연결되고 선택 신호에 제어단이 연결되며 상기 선택 신호에 응답하여 상기 기준 전압과 외부 신호의 전압 레벨을 비교하는 전압 비교기, 상기 제2 패드에 연결되며 상기 선택 신호에 응답하여 상기 외부 신호를 버퍼링(buffering)하는 버퍼, 및 상기 선택 신호에 응답하여 상기 전압 비교기의 출력과 상기 버퍼의 출력 중 하나를 출력하는 스위칭 회로를 구비함으로써 반도체 장치의 전력 소모가 감소된다.
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公开(公告)号：KR100399355B1
公开(公告)日：2003-09-26
申请号：KR1020010012604
申请日：2001-03-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신영민
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G01R31/318577
Abstract: A semiconductor integrated circuit includes a boundary scan register and a plurality of local monitor circuits. The local monitor circuits are arranged individually about peripheral circuit regions of a semiconductor integrated circuit, being spaced from the boundary scan register, in order to measure and predict operation speeds in accordance with local on-chip process variations at a plurality of locations on the peripheral circuit regions. The operational speed of the semiconductor integrated circuit is determined by taking correlations into account between an overall signal delay time measured by the boundary scan register and local signal delay times measured by the respective local monitor circuits.
Abstract translation: 一种半导体集成电路包括边界扫描寄存器和多个本地监视器电路。 本地监视器电路分别关于半导体集成电路的外围电路区域布置，与边界扫描寄存器间隔开，以便根据外设上多个位置处的局部芯片上工艺变化来测量和预测工作速度 电路区域。 半导体集成电路的操作速度通过考虑由边界扫描寄存器测量的整体信号延迟时间和由各个本地监视器电路测量的本地信号延迟时间之间的相关性来确定。
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公开(公告)号：KR100182003B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950046463
申请日：1995-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/30
Abstract: 본 발명은 3.3V/5V에서 모두 동작할 수 있는 인터페이스회로를 갖는 CCD용 수직 드라이버회로에 관한 것으로서, 특히 고전압원과 저전압원의 공통적으로 기준신호와 입력된 입력신호를 비교하여 비교 결과를 출력하는 인터페이스회로부; 인터페이스회로부의 출력신호를 레벨 변환하는 레벨 쉬프터부; 및 레벨 변환된 신호를 CCD용 수직 구동신호로 출력하는 게이트부를 구비하여 된 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 5V의 고전압원으로 구동되는 입력신호와 3.3V의 저잔압원으로 구동되는 입력신호에 대해 공통적인 1.8V의 기준전압을 사용하기 때문에 입력신호의 전압원에 관계없이 겸용하여 사용가능하다.
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