公开(公告)号：KR101979676B1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：KR1020170081248

申请日：2017-06-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 백승현 ,  김성웅 ,  김예지 ,  파셀라케이.피

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/02

公开(公告)号：KR1020170055082A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020150157671

申请日：2015-11-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  강세황 ,  이규형

IPC: H01J61/067 ,  C01G27/06 ,  H05B33/14

Abstract: 본발명은 Hf 및 S를포함하는전자방출물질및 그제조방법에대한것이다. 본발명의전자방출물질은낮은일함수특성으로낮은구동전압에서방출전류를크게할 수있어 FED 및형광관에유용하게사용될수 있다. 본발명에서제공되는 HfS의일함수는 x에크게의존하지않으며약 2.7 eV의값을나타낸다. 이는상용전자방출소재인 Mo 및카본의 4 eV 수준의일함수와비교하여 30% 이상낮은특성으로, FED 및형광관에적용하면기존디바이스구조의변경없이낮은구동전압에서큰 방출전류를얻을수 있다.

Abstract translation: 包含Hf和S的电子发射材料及其制造方法本发明涉及包含Hf和S的电子发射材料及其制造方法。 本发明的电子发射材料具有低功函数并且可以在低驱动电压下增加发射电流，因此可以有效地用于FED和荧光管。 本发明提供的HfS的功能不依赖于x因子并且显示约2.7eV的值。 这比商业电子发射材料Mo和碳的4eV的功函数低30％。当应用于FED和荧光管时，在低驱动电压下可以获得大的发射电流而不改变现有的器件结构。

公开(公告)号：KR1020150136431A

公开(公告)日：2015-12-07

申请号：KR1020140064010

申请日：2014-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이기문 ,  김은성 ,  김성웅 ,  손윤철 ,  박희정 ,  최재영 ,  한인택

IPC: C23C14/06 ,  C23C16/30 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C14/28 ,  C01B19/007 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0623 ,  H01B1/06

Abstract: HfTe를포함하는박막의원료를얻는단계; HfTe를포함하는박막의형성을위한표면을가진결정성재료를얻는단계; 및상기원료로부터상기결정성재료의상기표면상에 HfTe를포함하는박막을형성하는단계를포함한 HfTe를포함하는박막의제조방법이제공되며, 이때, 상기결정성재료는구성하는원자들의규칙적배열을포함하는결정구조를가지고, 상기규칙적배열내에규칙적으로반복하는임의의다각형또는다면체가그려질수 있으며, HfTe의격자상수에대한, 상기다각형또는다면체의한 변의길이와상기격자상수간의최소차이의비율이 5% 이하이다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造含有Hf_3Te_2的薄膜的方法，包括：获得含有Hf_3Te_2的薄膜的原料的步骤; 获得具有表面以形成包含Hf_3Te_2的薄膜的结晶材料的步骤; 以及从原料在结晶材料的表面上形成含有Hf_3Te_2的薄膜的工序。 在这段时间内，结晶材料具有包括组成原子的规则排列的晶体结构，在正被排列的规则排列中规则地重复的随机多边形或多面体以及多边形的一侧的长度之间的最小差的比率 多面体和相对于Hf_3Te_2的晶格常数的晶格常数为5％以下。