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公开(公告)号：KR1020160056811A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020150157097
申请日：2015-11-10
IPC: H02N1/08
Abstract: 본발명에따른전하펌프기반의인공번개발전기제조방법은 (a) 준비된기판에제2 전극을형성시키는단계; (b) 제2 전극의하부에스펀지구조의음전하대전체를형성시키는단계; (c) 음전하대전체에서톨루엔(toluene)용액을이용하여폴리머구형입자를제거하는단계; (d) 음전하대전체내부에금속입자르침투시키는단계 (e) 전하생성을위해음전하대전체하부로소정거리만큼이격된위치에양전하대전체를형성시키는단계; (f) 양전하대전체표면을나노구조화하는단계; (g) 나노구조화된양전하대전체표면을제2 금속입자로코팅하는단계; (h) 양전하대전체의일측하방으로일정거리유지하여전하분리를위한접지층을형성시키는단계; 및 (i) 양전하대전체하부로일정거리만큼이격된위치에전하의축적을위한제1 전극을형성시키는단계;를포함하여소형화가가능하고, 바람, 진동, 소리와같은미세한에너지에의해고출력에너지생산이가능하고, 에너지수집에따른비용발생을현저하게절감시킬수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的用于制造基于电荷泵的人造闪电发生器的方法包括以下步骤：（a）在制备的基板上形成第二电极; （b）在第二电极下形成具有海绵结构的带负电荷体; （c）使用甲苯溶液从负电荷体中除去球形聚合物颗粒; （d）允许金属颗粒渗透到带负电荷的体内; （e）在位于负电荷体下方预定距离处分离的位置上形成带正电荷体以产生电荷; （f）对带正电体的表面进行纳米结构化; （g）用第二金属颗粒涂覆带正电荷体的纳米结构表面; （h）形成用于电荷分离的接地层，同时保持从带正电体的一侧向下方向的恒定距离; 以及（i）在位于带正电荷体下方的预定距离处分离的位置形成用于电荷累积的第一电极。 因此，本发明可以小型化，可以从诸如风，振动或声音的微小能量产生高输出能量，并且可以显着降低根据能量收集而产生的成本。
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公开(公告)号：KR101564285B1
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020140090263
申请日：2014-07-17
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 본발명에따른메타구조기반광전극은기판; 기판상에전자선증착, 스퍼터또는스프레이방식으로증착된투명한전도성의투명전극; 투명전극에증착된제2 금속층; 제2 금속층에적층된반도체층혹은광촉매층; 반도체층혹은광촉매층상에적층된제1 금속층; 및제1 금속층, 반도체층혹은광촉매층및 제2 금속층으로구성된메타물질의표면에흡착되어형성된전기촉매;를포함하여, 3차원구조의금속반도체메타물질을형성하여광촉매와금속과의플라즈몬현상과광트랩효과를상승시켜가시광에서의동작효율을향상시키는효과가있고, 또한, 상술한효과를통해기존의물질의한계에서뛰어넘는광전극계발을가능하게하는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基于元结构的光电极，其包括：基板; 通过电子束沉积法，溅射法或喷涂法沉积在衬底上的导电透明电极; 沉积在透明电极上的第二金属层; 层叠在所述第二金属层上的半导体层或光催化剂层; 层叠在所述半导体层或所述光催化剂层上的第一金属层; 以及吸附在由第一金属层，半导体层或光催化剂层和第二金属层构成的超材料上的电催化剂。 根据本发明，形成三维金属 - 半导体超材料以促进在光催化剂和金属之间发生的等离子体现象和光阱效应，从而提高可见光的操作效率。 此外，通过上述效果，可以开发超过常规材料极限的光电极。
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公开(公告)号：KR101542805B1
公开(公告)日：2015-08-10
申请号：KR1020130153836
申请日：2013-12-11
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본발명에따른광터널링에의한광추출효율이향상된발광다이오드는, 발광다이오드, 발광다이오드상에광터널링이가능한소정의두께를가지는투명전극, 및투명전극상에적층되며, 굴절률이반도체와같거나높은비반사구조체를포함하되, 투명전극의두께는 50nm 미만이고, 비반사구조체는두께가 10nm 내지 1μm이고, 길이가 100nm 내지 10μm인막대구조이거나, 50um~1000um 크기의구멍을가지는다공성구조이거나, 투명전극위에각각상이한굴절율을가지는다층의물질이적층된구조로이루어져, 광터널링효과에의한발광다이오드의광추출효과가있고, 또한부도체로구성된비반사구조를사용하여도소자의전기적특성저하를막을수 있으며발광특성을향상시킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020150090958A
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：KR1020140011468
申请日：2014-01-29
Applicant: 울산과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은가지형나노와이어를구비한발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른발광다이오드는, 반도체의출광면상에형성되는나노구조체를포함하고, 상기나노구조체는상기출광면상에형성되며상부로갈수록직경이줄어드는복수의제1 나노와이어와, 상기제1 나노와이어의표면에특정방향으로배향되어돌출형성된복수의제2 나노와이어를포함하는발광다이오드.
Abstract translation: 本发明涉及具有支化纳米线的发光二极管。 根据本发明的发光二极管包括：形成在半导体的发光平面上的纳米结构; 形成在发光平面上的多个第一纳米线，其直径从底部到顶部逐渐变窄; 以及在第一纳米线的表面上沿特定方向取向并形成突出的多个第二纳米线。
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公开(公告)号：KR1020150090939A
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：KR1020140011105
申请日：2014-01-29
Applicant: 울산과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 본발명에따른삼차원나뭇가지형태의이종접합체구조를갖는발광다이오드제조방법은 (a) 실리콘웨이퍼기판위에질화물갈륨계발광다이오드에픽박막을성장시키는단계; (b)에피박막을떼어내는과정을거쳐발광다이오드를완성하는단계; (c) 발광다이오드의상부전극에 ZnO 나노선성장방지를위해포토레지스트로막을형성시키는단계; 및 (d) ZnO 나노선성장방지를위한포토레지스트로막이형성된, 발광다이오드소자표면에이종접합체나노선구조를형성시키키는단계;를포함하여발광다이오드의광 추출효유을향상기키는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造具有三维分支形状的纳米线异质结构的发光二极管的方法包括：（a）在硅晶片上生长氮化镓发光二极管外延薄膜的步骤; （b）通过分离外延薄膜的过程完成发光二极管的步骤; （c）用光致抗蚀剂形成层以防止ZnO纳米线在发光二极管的上电极上生长的步骤; 和（d）在发光二极管的表面上形成纳米线异质结构的步骤，该步骤包括由用于防止ZnO纳米线生长的光致抗蚀剂形成的层。 该方法提高了发光二极管的光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150068529A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020130153836
申请日：2013-12-11
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본발명에따른광터널링에의한광추출효율이향상된발광다이오드는, 발광다이오드, 발광다이오드상에광터널링이가능한소정의두께를가지는투명전극, 및투명전극상에적층되며, 굴절률이반도체와같거나높은비반사구조체를포함하되, 투명전극의두께는 50nm 미만이고, 비반사구조체는두께가 10nm 내지 1μm이고, 길이가 100nm 내지 10μm인막대구조이거나, 50um~1000um 크기의구멍을가지는다공성구조이거나, 투명전극위에각각상이한굴절율을가지는다층의물질이적층된구조로이루어져, 광터널링효과에의한발광다이오드의광추출효과가있고, 또한부도체로구성된비반사구조를사용하여도소자의전기적특성저하를막을수 있으며발광특성을향상시킬수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的由于光隧穿而具有改进的光提取效率的发光二极管包括：发光二极管; 透明电极，其具有适于在发光二极管上的光隧穿的厚度; 以及堆叠在透明电极上并且具有与半导体相同的反射指数或更高的非反射结构。 透明电极的厚度小于50nm。 非反射结构是具有10nm至1μm的厚度和100nm至10μm的长度的棒状结构，具有50μm至1000μm的孔的多孔结构或多层结构 在透明电极上由具有不同反射指数的材料制成的结构。 因此，由于光隧道效应，存在发光二极管的光提取效果。 此外，通过使用由绝缘体制成的非反射结构，可以防止电性能的劣化。 发光性能可以提高。
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公开(公告)号：KR101363990B1
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020120138728
申请日：2012-12-03
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: A method for forming an antireflection coating layer of a solar cell according to the present invention includes: a titanium dioxide layer forming step (S210) of forming a titanium dioxide layer (120) for controlling a first refractive index on the top of a solar cell (110); a zinc oxide forming step (S230) of forming a zinc oxide layer (130) for controlling a second refractive index on the top of the titanium dioxide layer; a zinc oxide nanorod forming step (S250) of growing and forming a zinc oxide nanorod (130) for controlling a lengthwise refractive index on the top of the zinc oxide layer; and a magnesium oxide (140) forming step (S270) of forming a magnesium oxide layer (140) on the surface of the zinc oxide nanorod. [Reference numerals] (S210) Step of forming a titanium dioxide layer; (S230) Step of forming a zinc oxide layer; (S250) Step of forming a zinc oxide nanorod; (S270) Step of forming a magnesium oxide layer
Abstract translation: 根据本发明的太阳能电池防反射涂层的形成方法包括：形成用于控制太阳能电池顶部的第一折射率的二氧化钛层（120）的二氧化钛层形成工序（S210） （110）; 形成用于控制二氧化钛层顶部的第二折射率的氧化锌层（130）的氧化锌形成工序（S230） 生长并形成氧化锌纳米棒（130）的氧化锌纳米棒形成步骤（S250），用于控制氧化锌层顶部的纵向折射率; 和形成在氧化锌纳米棒表面上形成氧化镁层（140）的步骤（S270）的氧化镁（140）。 （参考号）（S210）形成二氧化钛层的工序; （S230）形成氧化锌层的工序; （S250）形成氧化锌纳米棒的工序; （S270）形成氧化镁层的工序
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公开(公告)号：KR1020130050487A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：KR1020110115572
申请日：2011-11-08
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
CPC classification number: C01B21/0632 , B82Y40/00 , C01G15/00 , C01P2004/32 , C01P2004/64
Abstract: PURPOSE: A gallium nitride nanostructure forming method using nanospheres is provided to form the gallium nitride nanostructure having a 3-dimentional shape in a short period of time by arraigning a plurality of nanoshperes on a top surface of a substrate and forming a nanopattern. CONSTITUTION: A galluim nitride nanostructure forming method using nanospheres comprises the steps of: (S110) arranging a plurality of nanospheres on a top surface of a substrate at a single layer; (S120) forming a nanopattern having multiple hemispherical grooves on the top surface of the substrate by allowing a silicasol solution to be permeated through gaps between the plurality of nanospheres; (S130) removing the plurality of nanosphers by using a chemical dissolving method or a combustion method; (S140) heating the nanopattern removed with the nanospheres at a constant temperature to crystallize the nanopattern; (S150) forming a zinc oxide nanostructure having a rod shape inside each of the hemispherical grooves of the crystallized nanopattern; and (S160) heterobinding gallium nitride(GaN) on an outer surface of the zinc oxide nanostructure to form a gallium nitride nanostructure. [Reference numerals] (S110) Step of arranging nanospheres; (S120) Step of forming a nanopattern; (S130) Step of removing the nanospheres; (S140) Step of heat-treating; (S150) Step of forming a ZnO nanostructure; (S160) Step of forming a rod-type GaN nanostructure; (S170) Step of forming a pyramid type GaN nanostructure
Abstract translation: 目的：提供使用纳米球的氮化镓纳米结构形成方法，以在短时间内形成具有3维形状的氮化镓纳米结构，通过在衬底的顶表面上形成多个纳秒并形成纳米图案。 构成：使用纳米球的聚酰亚胺氮化物纳米结构形成方法包括以下步骤：（S110）在单层上在衬底的顶表面上排列多个纳米球; （S120），通过使硅溶胶透过多个纳米球之间的间隙，形成在基板的顶面上具有多个半球槽的纳米图案; （S130），通过使用化学溶解法或燃烧法除去多个纳滤器; （S140）在恒定温度下加热纳米球去除的纳米图案以使纳米图案结晶; （S150），在所述结晶的纳米图案的所述半球形凹槽的内部形成具有棒状的氧化锌纳米结构体; 和（S160）在氧化锌纳米结构的外表面上的异质结氮化镓（GaN），以形成氮化镓纳米结构。 （参考号）（S110）纳米球的配置工序; （S120）形成纳米图案的工序; （S130）去除纳米球的步骤; （S140）热处理工序; （S150）形成ZnO纳米结构的工序; （S160）形成棒状GaN纳米结构的工序; （S170）形成棱锥型GaN纳米结构的工序
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公开(公告)号：KR102264229B1
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：KR1020190099838
申请日：2019-08-14
Applicant: 울산과학기술원
IPC: G01N27/407 , G01N27/406 , G01N27/27 , G01N27/30
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