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公开(公告)号：WO2013165127A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003621
申请日：2013-04-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울옵토디바이스주식회사 , 주식회사 포스코엘이디
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 도전형 기저층; 상기 제1 도전형 기저층 상에 구비되며, 복 수개 구비되고, 적어도 두 종류의 크기로 구비된 개구부를 포함하는 마스크층; 상기 마스크층 상에 구비되며, 상기 개구부들을 통해 성장된 복수의 제1 도전형 구조체; 상기 제1 도전형 구조체의 표면 상에 구비된 활성층; 및 상기 마스크층과 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드 소자가 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及发光二极管元件及其制造方法。 根据本发明，提供了一种发光二极管元件，包括：基板; 设置在所述基板上的第一导电性基底层; 掩模层，其设置在多个第一导电基底层的顶部上，并且包括以至少两种尺寸设置的开口; 多个第一导电结构，设置在掩模层上并从开口生长; 设置在所述第一导电结构的表面上的有源层; 以及覆盖掩模层和有源层的第二导电半导体层。
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公开(公告)号：KR101600362B1
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020140011468
申请日：2014-01-29
Applicant: 울산과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은가지형나노와이어를구비한발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른발광다이오드는, 반도체의출광면상에형성되는나노구조체를포함하고, 상기나노구조체는상기출광면상에형성되며상부로갈수록직경이줄어드는복수의제1 나노와이어와, 상기제1 나노와이어의표면에특정방향으로배향되어돌출형성된복수의제2 나노와이어를포함하는발광다이오드.
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公开(公告)号：KR101614094B1
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140011105
申请日：2014-01-29
Applicant: 울산과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 본발명에따른삼차원나뭇가지형태의이종접합체구조를갖는발광다이오드제조방법은 (a) 실리콘웨이퍼기판위에질화물갈륨계발광다이오드에픽박막을성장시키는단계; (b)에피박막을떼어내는과정을거쳐발광다이오드를완성하는단계; (c) 발광다이오드의상부전극에 ZnO 나노선성장방지를위해포토레지스트로막을형성시키는단계; 및 (d) ZnO 나노선성장방지를위한포토레지스트로막이형성된, 발광다이오드소자표면에이종접합체나노선구조를형성시키키는단계;를포함하여발광다이오드의광 추출효유을향상기키는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020150090958A
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：KR1020140011468
申请日：2014-01-29
Applicant: 울산과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은가지형나노와이어를구비한발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른발광다이오드는, 반도체의출광면상에형성되는나노구조체를포함하고, 상기나노구조체는상기출광면상에형성되며상부로갈수록직경이줄어드는복수의제1 나노와이어와, 상기제1 나노와이어의표면에특정방향으로배향되어돌출형성된복수의제2 나노와이어를포함하는발광다이오드.
Abstract translation: 本发明涉及具有支化纳米线的发光二极管。 根据本发明的发光二极管包括：形成在半导体的发光平面上的纳米结构; 形成在发光平面上的多个第一纳米线，其直径从底部到顶部逐渐变窄; 以及在第一纳米线的表面上沿特定方向取向并形成突出的多个第二纳米线。
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公开(公告)号：KR1020150090939A
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：KR1020140011105
申请日：2014-01-29
Applicant: 울산과학기술원 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 본발명에따른삼차원나뭇가지형태의이종접합체구조를갖는발광다이오드제조방법은 (a) 실리콘웨이퍼기판위에질화물갈륨계발광다이오드에픽박막을성장시키는단계; (b)에피박막을떼어내는과정을거쳐발광다이오드를완성하는단계; (c) 발광다이오드의상부전극에 ZnO 나노선성장방지를위해포토레지스트로막을형성시키는단계; 및 (d) ZnO 나노선성장방지를위한포토레지스트로막이형성된, 발광다이오드소자표면에이종접합체나노선구조를형성시키키는단계;를포함하여발광다이오드의광 추출효유을향상기키는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造具有三维分支形状的纳米线异质结构的发光二极管的方法包括：（a）在硅晶片上生长氮化镓发光二极管外延薄膜的步骤; （b）通过分离外延薄膜的过程完成发光二极管的步骤; （c）用光致抗蚀剂形成层以防止ZnO纳米线在发光二极管的上电极上生长的步骤; 和（d）在发光二极管的表面上形成纳米线异质结构的步骤，该步骤包括由用于防止ZnO纳米线生长的光致抗蚀剂形成的层。 该方法提高了发光二极管的光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016076621A2
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/KR2015/012094
申请日：2015-11-11
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H02N1/08
CPC classification number: H02N1/08
Abstract: 본 발명에 따른 전하펌프 기반의 인공 번개 발전기 제조방법은 (a) 준비된 기판에 제2 전극을 형성시키는 단계; (b) 제2 전극의 하부에 스펀지 구조의 음전하 대전체를 형성시키는 단계; (c) 음전하 대전체에서 톨루엔(toluene)용액을 이용하여 폴리머 구형 입자를 제거하는 단계; (d) 음전하 대전체 내부에 금속입자르 침투시키는 단계 (e) 전하 생성을 위해 음전하 대전체 하부로 소정 거리만큼 이격된 위치에 양전하 대전체를 형성시키는 단계; (f) 양전하 대전체 표면을 나노 구조화 하는 단계; (g) 나노 구조화된 양전하 대전체 표면을 제2 금속입자로 코팅하는 단계; (h) 양전하 대전체의 일측 하방으로 일정 거리 유지하여 전하분리를 위한 접지층을 형성시키는 단계; 및 (i) 양전하 대전체 하부로 일정거리만큼 이격된 위치에 전하의 축적을 위한 제1 전극을 형성시키는 단계;를 포함하여 소형화가 가능하고, 바람, 진동, 소리와 같은 미세한 에너지에 의해 고출력 에너지 생산이 가능하고, 에너지 수집에 따른 비용발생을 현저하게 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation:
根据本发明的（a）形成所制备的基板上形成第二电极的基于电荷泵的人工闪电发生器的制造工艺; （b）在第二电极下方的海绵结构中形成负电荷收集器; （c）在整个负电荷载体中用甲苯溶液除去聚合物球形颗粒; （d）阴性用于形成用于以预定距离间隔开的作为一个整体的下负电荷内部至总量用于注入电荷产生在金属乐颗粒的步骤（e）的位置处的全正电荷; （f）纳米结构化正电荷载体的整个表面; （g）用第二金属颗粒涂覆纳米结构化正电荷载体的整个表面; （h）通过在整个正电荷存储层的一侧下方保持一定距离而形成用于电荷分离的接地层; 和（i）对于整个下部的预定距离，以形成用于电荷累积在第一电极在由间隔开的位置上的正电荷;在所述尺寸的减小，包括可能的，并且高功率能量由细能量，例如风能，振动，声音 有可能生产并显着降低能源收集成本。
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公开(公告)号：KR101322927B1
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：KR1020120046769
申请日：2012-05-03
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
IPC: H01L33/22
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode device and a method for fabricating the same are provided to emit light of multiple wavelengths by forming patterns of various shapes and sizes in one chip. CONSTITUTION: A first conductivity type base layer is formed on a substrate. A mask layer comprises at least two kinds of opening parts. A first kind of conductivity type structures (140) is grown through the opening parts. An active layer (150) is formed on the surface of the first type of conductivity type structures. A second conductivity type semiconductor layer (160) covers the mask layer and the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管器件及其制造方法，通过在一个芯片中形成各种形状和尺寸的图案来发射多个波长的光。 构成：在基板上形成第一导电型基底层。 掩模层包括至少两种开口部。 第一种导电型结构（140）通过开口部分生长。 在第一类型的导电类型结构的表面上形成有源层（150）。 第二导电类型半导体层（160）覆盖掩模层和有源层。
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公开(公告)号：KR1020150020418A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：KR1020130096330
申请日：2013-08-14
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: The present invention provides a light emitting device and a method for manufacturing the same. The light emitting device includes: a first conductive base layer; a mask layer which is located on the first conductive base layer and includes a plurality of opening units; a plurality of light emitting structures which is located on the opening units and is separated from each other; and a current leakage prevention layer which covers partially the upper side of the light emitting structures. Accordingly, the light emitting device minimizes the generation of the current leakage.
Abstract translation: 本发明提供一种发光器件及其制造方法。 发光器件包括：第一导电基底层; 掩模层，其位于所述第一导电性基底层上并且包括多个开口单元; 多个发光结构，其位于开口单元上并彼此分离; 以及部分覆盖发光结构的上侧的电流防漏层。 因此，发光器件使电流泄漏的产生最小化。
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公开(公告)号：KR20210020472A
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR20190099838
申请日：2019-08-14
Applicant: 울산과학기술원
IPC: G01N27/407 , G01N27/27 , G01N27/30 , G01N27/406
Abstract: 본발명은, 전기화학센서에서전하가이동할수 있는상대전극; 상기상대전극상에, 동일한층에나란히배치된, 제1 고체전해질과제2 고체전해질; 상기제1 고체전해질의상면과상기제2 고체전해질의상면에모두접촉하도록형성된제1 작업전극; 및상기제1 고체전해질의상면과상기제2 고체전해질의상면에모두접촉하도록형성되고상기제1 작업전극과구분되는제2 작업전극;을포함하는, 전기화학센서를제공한다.
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公开(公告)号：KR102206021B1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：KR1020190079698
申请日：2019-07-02
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명은, P형반도체층; 상기 P형반도체층의일 면에배치되는제1 전극; 상기 P형반도체층의반대면에배치되는제2 전극; 상기제1 전극에대하여상기 P형반도체층의반대편에배치되는유전체층; 상기유전체층에대하여상기제1 전극의반대편에, 상기유전체층과이격되도록배치되며, 상기유전체층에단속적으로접촉하는제3 전극;을포함하는, 열전발전소자를제공한다.
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