Abstract:
PURPOSE: A system for growing large area zinc oxide nano-wires is provided to grow zinc oxide nano-wires electrode devices of uniform densities, lengths, and diameters based on a circulated double-jacket type bath. CONSTITUTION: A system(10) for growing large area zinc oxide nano-wires includes a zinc oxide growing bath(100) and a circulated double-jacket type bath(200). A substrate holder is arranged in the zinc oxide growing bath, and a growing solution is introduced into the zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath surrounds the zinc oxide growing bath and uniformly applies heat to the entire zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath includes oil and a heat insulating material. The oil transfers heat to the entire zinc oxide growing bath using a water bath mode. The heat insulating material is arranged at the external side of the bath.
Abstract:
산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법은 유연기판; 유연기판 상에 마련되는 하부전극; 하부전극 상에 수직 성장되는 산화아연 나노와이어; 및 산화아연 나노와이어를 캐핑(capping)시키는 캐핑 레이어를 포함하고, 캐핑 레이어는 폴리실라잔, 실세스퀴옥산 및 실란 화합물을 포함하는 코팅액으로 형성된다.
Abstract:
모세관 현상을 이용한 광전극 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광전극 제조방법은 투명전극인 제1 기재 상부에 제1 크기를 갖는 금속 산화물 입자와, 제1 크기보다 작은 나노급의 제2 크기를 갖는 나노 입자를 어레이하되, 금속 산화물 입자 사이의 공극에 나노 입자가 충전된 형태의 구조체를 형성하는 1단계; 구조체 상부에 제2 기재를 배치하여 구조체가 상기 제1,2 기재 사이에 위치되도록 하는 2단계; 및 제1,2 기재 및 구조체를 금속 산화물 전구체가 분산되어 있는 용액에 침지하여, 금속 산화물 전구체 용액이 제1,2 기재의 간격 및 표면장력에 따른 모세관 현상으로 인하여 구조체에 존재하는 공극에 충전되도록 하는 3단계를 포함한다.
Abstract:
The present invention relates to a planar heating element using zinc oxide nanoplates and a manufacturing method thereof. The planar heating element according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; a heat emitting layer which is made of ZnO nanoplates on the substrate; and a protection layer which is formed on the top of the heat emitting layer. The present invention can provide the planar heating element configured to ensure even temperature distribution over the entire surface.
Abstract:
본 발명은 산화아연(ZnO) 나노와이어에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 Zinc nitrate hexahydrate와 Hexamethylenetetramine 및 ammonium chloride가 혼합된 성장 용액을 마련하는 단계, 촉매층이 형성된 기판을 상기 성장 용액에 일정 시간 동안 침수시키는 단계를 포함하는 롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법과, 상기 롱타입 ZnO 나노와이어를 추출하여 기타 혼합물에 혼합하여 박막의 필름 형태로 나노 발전기를 제조하는 방법 및 이 방법들을 기반으로 제조된 나노 발전기 및 상술한 나노 발전기 제조를 위한 시스템의 구성을 개시한다.
Abstract:
An insulation coating method of a contact finger for testing a semiconductor using a liquid process is disclosed. According to an embodiment of the present invention, an insulation coating method of a contact finger for testing a semiconductor includes a first step for forming a coating part at one end and the center of a contact finger by partially dipping the contact finer with a central bent part into a coating liquid inside a coating liquid container for dip-coating; and a second step for removing the coating part from one end of the contact finger by dipping one end of the contact finger into an etching liquid.