ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
    51.
    发明公开
    ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템 失效
    用于制作大面积ZNO NANOWIRE的系统

    公开(公告)号:KR1020110131394A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:KR1020100050812

    申请日:2010-05-31

    Abstract: PURPOSE: A system for growing large area zinc oxide nano-wires is provided to grow zinc oxide nano-wires electrode devices of uniform densities, lengths, and diameters based on a circulated double-jacket type bath. CONSTITUTION: A system(10) for growing large area zinc oxide nano-wires includes a zinc oxide growing bath(100) and a circulated double-jacket type bath(200). A substrate holder is arranged in the zinc oxide growing bath, and a growing solution is introduced into the zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath surrounds the zinc oxide growing bath and uniformly applies heat to the entire zinc oxide growing bath. The circulated double-jacket type bath includes oil and a heat insulating material. The oil transfers heat to the entire zinc oxide growing bath using a water bath mode. The heat insulating material is arranged at the external side of the bath.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于生长大面积氧化锌纳米线的系统,用于生长基于循环双层套管的均匀密度,长度和直径的氧化锌纳米线电极器件。 构成:用于生长大面积氧化锌纳米线的系统(10)包括氧化锌生长浴(100)和循环双层套管(200)。 在氧化锌生长槽中设置衬底保持器,并且将生长溶液引入氧化锌生长浴中。 循环的双层套管围绕氧化锌生长浴,并对整个氧化锌生长浴均匀地加热。 循环的双层套管包括油和绝热材料。 油使用水浴模式将热量传递到整个氧化锌生长槽。 绝热材料布置在浴槽的外侧。

    무전원 정전식 공기청정 필터 및 그 제조방법
    53.
    发明授权
    무전원 정전식 공기청정 필터 및 그 제조방법 有权
    无电源的电容式空气净化过滤器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101618173B1

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:KR1020140195123

    申请日:2014-12-31

    CPC classification number: B03C3/28 B01D39/00 B01D46/00

    Abstract: 본발명은금속산화물을포함하는섬유로이루어진 branch 형상의지지체; 및상기지지체상에형성되는시드로부터성장된탄소구조체를포함하는무전원정전식공기필터와, 고분자물질, 금속산화물전구체및 금속촉매를포함하는혼합물을제조하는단계; 상기혼합물을전기방사하여금속산화물섬유를제조하는단계; 상기금속산화물섬유를열처리하여지지체를형성하는단계; 및상기지지체에탄소구조체를성장시키는단계;를포함하는무전원정전식공기필터의제조방법에관한발명으로서, 전원의공급없이정전방식으로공기속의미세한부유물질을포함하는오염원을제거하도록하는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种没有电源的电容式空气过滤器,包括:具有含金属氧化物的纤维的分支状支撑体; 以及从形成在所述支撑体上的种子生长的碳结构体和具有无电源的电容式空气过滤器的制造方法,其特征在于,包括:制造含有高分子材料,金属氧化物前体和金属催化剂的混合物的工序; 通过在所述混合物上进行电纺丝来生产金属氧化物纤维的步骤; 通过对所述金属氧化物纤维进行热处理而形成支撑体的工序; 以及使碳结构在支撑体中生长的步骤。 根据本发明,在空气中含有微细浮动物质的污染源可以以电容方式被去除,而不需要电力供应。

    산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법
    56.
    发明公开
    산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법 有权
    ZNO NANOWIRE压电薄膜及其方法

    公开(公告)号:KR1020140141084A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:KR1020130062377

    申请日:2013-05-31

    Abstract: 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법은 유연기판; 유연기판 상에 마련되는 하부전극; 하부전극 상에 수직 성장되는 산화아연 나노와이어; 및 산화아연 나노와이어를 캐핑(capping)시키는 캐핑 레이어를 포함하고, 캐핑 레이어는 폴리실라잔, 실세스퀴옥산 및 실란 화합물을 포함하는 코팅액으로 형성된다.

    Abstract translation: 公开了一种ZnO纳米线压电膜及其制造方法。 根据本发明的ZnO纳米线压电膜包括柔性基板,形成在柔性基板上的底部电极,在底部电极上垂直生长的ZnO纳米线,以及封装ZnO纳米线的封盖层。 在根据本发明的制造方法中,覆盖层由包含聚硅烷,倍半硅氧烷和硅烷化合物的涂布溶液形成。

    모세관 현상을 이용한 광전극 제조방법
    57.
    发明授权
    모세관 현상을 이용한 광전극 제조방법 有权
    使用毛细管驱动制备照片电极的方法

    公开(公告)号:KR101468164B1

    公开(公告)日:2014-12-08

    申请号:KR1020130165788

    申请日:2013-12-27

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04 H01L31/0224 H01L31/18

    Abstract: 모세관 현상을 이용한 광전극 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광전극 제조방법은 투명전극인 제1 기재 상부에 제1 크기를 갖는 금속 산화물 입자와, 제1 크기보다 작은 나노급의 제2 크기를 갖는 나노 입자를 어레이하되, 금속 산화물 입자 사이의 공극에 나노 입자가 충전된 형태의 구조체를 형성하는 1단계; 구조체 상부에 제2 기재를 배치하여 구조체가 상기 제1,2 기재 사이에 위치되도록 하는 2단계; 및 제1,2 기재 및 구조체를 금속 산화물 전구체가 분산되어 있는 용액에 침지하여, 금속 산화물 전구체 용액이 제1,2 기재의 간격 및 표면장력에 따른 모세관 현상으로 인하여 구조체에 존재하는 공극에 충전되도록 하는 3단계를 포함한다.

    Abstract translation: 公开了使用毛细管现象制造光电极的方法。 根据本发明的实施方案的方法包括:第一步骤,形成金属氧化物颗粒中的气隙填充有纳米颗粒的结构,同时排列具有第一尺寸的金属氧化物颗粒在第一基底的上部 透明电极和具有小于第一尺寸的第二纳米尺寸的纳米颗粒; 在所述结构的上部布置第二基座以将所述结构定位在所述第一和第二基座之间的第二步骤; 以及第三步骤,将第一和第二碱和该结构浸渍在其中分散有金属氧化物前体的溶液中,使得存在于结构中的气隙根据间隔和表面的毛细管现象被金属氧化物前体溶液填充 第一和第二碱的张力。

    산화아연 나노플레이트를 이용한 면상 발열체 및 그 제조방법
    58.
    发明授权
    산화아연 나노플레이트를 이용한 면상 발열체 및 그 제조방법 有权
    使用氧化锌纳米粒子的平面加热器及其方法

    公开(公告)号:KR101447079B1

    公开(公告)日:2014-10-06

    申请号:KR1020130081727

    申请日:2013-07-11

    CPC classification number: H05B3/141 H05B3/22 H05B2203/017 H05B2214/04

    Abstract: The present invention relates to a planar heating element using zinc oxide nanoplates and a manufacturing method thereof. The planar heating element according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; a heat emitting layer which is made of ZnO nanoplates on the substrate; and a protection layer which is formed on the top of the heat emitting layer. The present invention can provide the planar heating element configured to ensure even temperature distribution over the entire surface.

    Abstract translation: 本发明涉及使用氧化锌纳米板的平面加热元件及其制造方法。 根据本发明实施例的平面加热元件包括:基板; 在衬底上由ZnO纳米板制成的发热层; 以及形成在发热层顶部的保护层。 本发明可以提供构造成确保在整个表面上均匀温度分布的平面加热元件。

    롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법을 이용하는 나노 발전기 제조 방법과 시스템 및 제조된 나노 발전기
    59.
    发明授权
    롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법을 이용하는 나노 발전기 제조 방법과 시스템 및 제조된 나노 발전기 失效
    使用制造长型ZnO纳米线和制造系统的纳米发电机使用方法制造的同型号和纳米发电机

    公开(公告)号:KR101359958B1

    公开(公告)日:2014-02-11

    申请号:KR1020120013474

    申请日:2012-02-09

    Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO) 나노와이어에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 Zinc nitrate hexahydrate와 Hexamethylenetetramine 및 ammonium chloride가 혼합된 성장 용액을 마련하는 단계, 촉매층이 형성된 기판을 상기 성장 용액에 일정 시간 동안 침수시키는 단계를 포함하는 롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법과, 상기 롱타입 ZnO 나노와이어를 추출하여 기타 혼합물에 혼합하여 박막의 필름 형태로 나노 발전기를 제조하는 방법 및 이 방법들을 기반으로 제조된 나노 발전기 및 상술한 나노 발전기 제조를 위한 시스템의 구성을 개시한다.

    액상공정을 이용한 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법
    60.
    发明授权
    액상공정을 이용한 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법 有权
    使用液体过程测试半导体的接触指针绝缘涂层方法

    公开(公告)号:KR101359358B1

    公开(公告)日:2014-02-10

    申请号:KR1020120155779

    申请日:2012-12-28

    Abstract: An insulation coating method of a contact finger for testing a semiconductor using a liquid process is disclosed. According to an embodiment of the present invention, an insulation coating method of a contact finger for testing a semiconductor includes a first step for forming a coating part at one end and the center of a contact finger by partially dipping the contact finer with a central bent part into a coating liquid inside a coating liquid container for dip-coating; and a second step for removing the coating part from one end of the contact finger by dipping one end of the contact finger into an etching liquid.

    Abstract translation: 公开了一种使用液体工艺测试半导体的接触指针的绝缘涂覆方法。 根据本发明的实施例,用于测试半导体的接触指状物的绝缘涂覆方法包括:第一步骤,用于通过将接触细微部分地浸渍在中心弯曲部分中来形成接触指状物的一端和接触指中心处的涂覆部分 部分放入用于浸涂的涂布液容器内的涂布液; 以及通过将接触指针的一端浸入蚀刻液中而从接触指的一端去除涂布部分的第二步骤。

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