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公开(公告)号：KR102076512B1
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：KR1020190022982
申请日：2019-02-27
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Inventor： 한정훈
IPC: H01L21/02
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公开(公告)号：KR101982254B1
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：KR1020180163058
申请日：2018-12-17
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
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公开(公告)号：KR101929405B1
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：KR1020170148022
申请日：2017-11-08
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
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公开(公告)号：KR101954758B1
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：KR1020120006951
申请日：2012-01-20
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Inventor： 한정훈
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/509 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR101946312B1
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：KR1020180129689
申请日：2018-10-29
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101938267B1
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：KR1020180023641
申请日：2018-02-27
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/67
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公开(公告)号：KR101929481B1
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：KR1020120030555
申请日：2012-03-26
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/02
Abstract: 본 발명은 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리해 기판에 분사하여 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 일정한 간격으로 삽입 설치되어 기판 상에 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간; 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간; 및 상기 제 2 가스 분사 공간에 설치되어 상기 제 1 가스 분사 공간으로부터 분사되는 상기 제 1 가스가 상기 제 2 가스 분사 공간으로 흐르는 것을 방지하는 가스 홀 패턴 부재를 포함하여 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101924843B1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：KR1020180071653
申请日：2018-06-21
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/02
Abstract: 본 발명은 기판의 패시베이션층 또는 절연층 증착장치 및 증착방법에 관한 것으로서, 상세하게는 기판에 패시베이션층을 저온에서 증착할 수 있으며, 동시에 우수한 막질을 가지는 패시베이션층을 증착할 수 있는 기판의 패시베이션층 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR20180027459A
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR20180023641
申请日：2018-02-27
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/45536 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/67017
Abstract: 본발명은공정챔버에설치된기판지지부에적어도하나의기판을안착시키는단계; 상기기판이안착된기판지지부를회전시키는단계; 및상기공정챔버의상부를덮는챔버리드에방사형태로배치되고적어도하나의가스분사공간을가지는복수의가스분사모듈을통해상기가스분사공간에공급되는가스를상기기판지지부상에국부적으로분사하는단계를포함하며, 상기단계에서, 상기기판지지부가 1 회전하는 1 공정싸이클주기에상기복수의가스분사모듈중 일부의가스분사모듈은플라즈마화된가스분사를 1 공정싸이클주기단위로구동과비구동을반복하고, 상기복수의가스분사모듈중 일부의가스분사모듈은플라즈마화된가스분사를 1 공정싸이클주기단위로지속적으로구동하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 将至少一个衬底放置在设置在处理室中的衬底支撑件上; 旋转安装有衬底的衬底支撑件; 并且通过径向布置在腔室盖中的多个气体喷射模块局部喷射供应到气体喷射空间的气体，所述多个气体喷射模块覆盖处理腔室的上部并且在基板支撑件上具有至少一个气体注入空间， 其中，所述多个气体注入模块中的气体注入模块在一个循环周期内的一个循环周期内重复驱动和不驱动等离子体化气体注入，其中一个循环周期中基板支撑件旋转一次 并且多个气体喷射模块的一部分气体喷射模块以单位循环周期连续驱动等离子体化气体喷射。
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公开(公告)号：KR101397162B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020120092504
申请日：2012-08-23
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/50 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 본 발명은 기판에 증착되는 박막의 막질 특성을 균일하게 하고 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 마련하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하고 이동시키는 기판 지지부; 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 기판 지지부 상에 정의된 소스 가스 분사 영역에 소스 가스를 분사하는 소스 가스 분사부; 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 기판 지지부 상에 정의된 반응 가스 분사 영역에 반응 가스를 분사하는 반응 가스 분사부; 및 상기 챔버 리드에 마련되어 상기 소스 가스 분사 영역과 상기 반응 가스 분사 영역 사이에 정의된 퍼지 가스 분사 영역에 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 분사부를 포함하여 구성되며, 상기 퍼지 가스 분사부와 상기 기판 사이의 거리는 상기 소스 가스 분사부와 상기 반응 가스 분사부 각각과 상기 기판 사이의 거리보다 가까운 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，其可以均匀地沉积在衬底上，并促进薄膜的膜质量控制的薄膜的膜质量的特性，根据本发明的基板处理装置提供的处理空间的步骤 室; 一个覆盖处理室上部的室盖; 衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在处理室内以支撑和移动至少一个衬底; 源气体喷射部分，其设置在腔室盖中并将源气体喷射到限定在基板支撑部分上的源气体喷射区域; 反应气体喷射单元，所述反应气体喷射单元设置在所述腔室盖中并将反应气体喷射到限定在所述基板支撑单元上的反应气体喷射区域; 以及净化气体注入单元，其设置在腔室盖中并将净化气体注入到限定在源气体注入区域和反应气体注入区域之间的净化气体注入区域中， 并且距离比源气体注入部分和反应气体注入部分与衬底之间的距离短。
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