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公开(公告)号:KR1020000003023A
公开(公告)日:2000-01-15
申请号:KR1019980024100
申请日:1998-06-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01R33/00
Abstract: PURPOSE: A measuring apparatus and method of a hysteresis loop are described, which can correctly measure the ferroelectric hysteresis loop by using one period power. CONSTITUTION: The measuring apparatus comprises alternative signal generator generating an alternative signal having a period of several or decades of seconds, a signal processor processing an output signal of the generator to generate measuring voltage in which at least one section is direct voltage and other sections are alternative voltage, a measuring circuit of which power is an output of the processor, and a signal measurer plotting a dielectric hysteresis is loop of a test bar mounted in the circuit.
Abstract translation: 目的:描述一种磁滞回线的测量装置和方法,可以通过使用一个周期功率来正确测量铁电滞后回路。 构成:测量装置包括产生具有数十或几十秒的周期的替代信号的替代信号发生器,信号处理器处理发生器的输出信号以产生测量电压,其中至少一个部分是直流电压,而其它部分是 替代电压,其功率是处理器的输出的测量电路,以及绘制介电滞后的信号测量器是安装在电路中的测试条的环路。
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公开(公告)号:KR100234009B1
公开(公告)日:1999-12-15
申请号:KR1019970025449
申请日:1997-06-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01C7/10
Abstract: 본 발명은 바리스터의 전극설계에 관한 것이며, 특히 저전압용 ZnO, SrTiO
3 계 바리스터 제조를 위한 전극설계에 관한 것이다. 본 발명은 디스크 형상의 바리스터 상하표면에 각각 동일 면적의 양단 전극을 형성하는 종래의 기술과는 달리, 바리스터 디스크시편 상하면중 일면에 부착된 전극의 일부분을 타면까지 연장하여 그 타면의 일부에 부착하고, 그 타측면의 나머지 부분에는 상기 연장 부착된 전극과 소정의 간격을 가지는 전극을 부착하여 양단 전극을 형성하므로서, 본래의 유전율을 유지하는 동시에 비직선계수값이 크며 저전압에서 항복전압(breakdown voltage)을 나타내는 저전압용 ZnO, SrTiO
3 계 바리스터의 제조방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号:KR100225881B1
公开(公告)日:1999-10-15
申请号:KR1019970008514
申请日:1997-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/12
Abstract: 본 발명은 1050~1150℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도 보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속 산화물 원료만을 구성된 조성을 갖는 온도 보상용 마이크로파 유전체를 제공하기 위하여, 산화아연 및 산화티탄이 화학양론적으로 조합되는 ZnTiO
3 중의 Zn이 Zn양 1에 대하여 0.175 내지 0.25의 양으로 Mg와, Zn 양 1에 대하여 0 보다 크고 0.15 이하의 양으로 Ni, Cu, Ba, Sr 및 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 치환되는 고주파용 유전체 세라믹 조성물을 제공한다.-
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公开(公告)号:KR100178328B1
公开(公告)日:1999-03-20
申请号:KR1019960082445
申请日:1996-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/465
Abstract: 본 발명에 따라(Zn
-1-x MG
x )Ti
2 O
5 (단, x는 0.10∼0.50 임)의 조성을 갖는 마이크로파용 유전체 세라믹 조성물이 제공된다. 본 발명에 따른 조성물은, 1100∼1500℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조에 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 가질 뿐 아니라 비교적 저렴한 금속산화물 원료만으로 구성된다는 특징을 갖는다.-
公开(公告)号:KR100141401B1
公开(公告)日:1998-06-01
申请号:KR1019950028995
申请日:1995-09-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/49
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/462
Abstract: 본 발명은 고주파용 유존체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 고주파 유전체 조성은 소결온도가 적어도 1300∼1600℃의 고온일 뿐 아니라, 소결조제(sintering aids)를 첨가하지 않고는 소자로서 사용될 수 있는 충분한 기계적 강도와 유전특성을 가진 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다.
이에 1mol의 ZnO와 2mol의 TiO
2 를 조합으로 하는 ZnTi
2 O
5 에서 Zn
2+ 이온을 Ca
2+ , Ba
2+ , Sr
2+ 중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]Ti2O5 이때, x = 0.001∼0.90 mol인 고주파용 유전체 자기조성물 또는 1mol의 TiO₂대해 ZnO를 0.04∼1.00mol까지 첨가한 TiO
2 -x(ZnO)에서 Zn
2+ 이온을 Ca
2+ , Ba
2+ , Sr
2+ 중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]TiO₃이때, X = 0.01∼0.90 mol인 본 발명을 제공함으로써 900∼1250℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속산화를 원료만으로 구성된 3성분계 조성을 갖는 온도보상용 마이크로웨이브 유전체 조성을 제공하도록 한 것이다.-
公开(公告)号:KR1019970015538A
公开(公告)日:1997-04-28
申请号:KR1019950028995
申请日:1995-09-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/49
Abstract: 본 발명은 고주파용 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 고주파 유전체 조성은 소결온도가 적어도 1300~1600℃의 고온일 뿐 아니라, 소결조제(sintering aids)를 첨가하지 않고는 소자로서 사용될 수 있는 충분한 기계적 강도와 유전특징을 가진 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다.
이에 1㏖의 ZnO와 2㏖의 TiO
2 를 조합으로 하는 ZnTi
2 O
5 에서 Zn
2+ 이온을 Ca
2+ , Ba
2+ , Sr
2+ 중 선택된 하나의 이온으로 치환한 〔(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)〕Ti
2 O
5 이때, x=0.001~0.90㏖인 고주파용 유전체 자기조성물 또는 1㏖의 TiO
2 대해 ZnO를 0.04~1.00㏖까지 첨가한 TiO
2 -x(ZnO)에서 Zn
2+ 이온을 Ca
2+ , Ba
2+ , Sr
2+ 중 선택된 하나의 이온으로 치환한 〔(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)〕TiO
3 이때, x=0.001~0.90㏖인 본 발명을 제공함으로써 900~1250℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속산화물 원료만으로 구성된 3성분계 조성을 갖는 온도 보상용 마이크로웨이브 유전체 조성을 제공하도록 한 것이다.-
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公开(公告)号:KR1019960004286A
公开(公告)日:1996-02-23
申请号:KR1019940017416
申请日:1994-07-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/106
Abstract: 본 발명은 고주파영역에서 유전체 자기공진기 및 집적회로용 기판의 재료로 사용되는 ZrO
2 -TiO
2 -SnO
2 계 고주파 유전체 자기조성물에 관한 것이다. 본 발명의 유전체 자기조성물은, 산화지르코늄 38∼58중량%, 산화티탄 22∼43중량% 및 산화주석 9∼26중량%로 이루어진 기본조성물의 무게를 기준으로 산화아연 7중량% 미만, 산화니켈 10중량% 미만, 산화나이오븀 7중량% 미만 및 수화질화망간이 산화망간의 무게비로 환산하여 4중량% 미만 첨가되어 이루어진 조성으로서 1300∼1500℃의 산소분위기에서 소성함으로써 제조된다. 본 발명의 유전체 자기조성물은 8∼9GHz, 25℃에서 유전율 40이상, 품질계수 4000 이상, Q×f값이 40000 이상을 나타낸다.-
公开(公告)号:KR1019950029232A
公开(公告)日:1995-11-22
申请号:KR1019940008359
申请日:1994-04-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/71
Abstract: 본 발명은 티탄산 마그네슘(MgTiO
3 )을 주성분으로 하여 MgO의 첨가량을 조절함으로써 마이크로파 주파수 영역에서 낮은 손실값을 갖는 저유전손실 마이크로파 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 세라믹 유전체는 MgTiO
3 1몰(mole)에 MgO 3∼30몰%와 CaO 0.01∼5몰%를 첨가하고 1400℃이상의 온도에서 소결함으로써 제조된다. 본 발명의 마이크로파 유전체 세라믹 조성물은 종래의 유전체 조성에 비해 향상된 무부하 Q값을 나타낸다.
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