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公开(公告)号：KR100148067B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019950008890
申请日：1995-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 결정의존성 습식식각을 이용하여 제조된 실리콘 팁 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 특히 (110) 면지수를 갖는 단결정 실리콘 기판에 대해 결정의존성 식각을 행하여 기둥모양을 갖는 실리콘 구조물을 행하고, 이 기둥의 끝부분을 뾰족하게 함으로써 전계방출소자용 실리콘 팁 어레이의 제조에 응용할 수 있도록 한 것이다.
본 발명에 의한 실리콘 팁은 바늘(needle) 모양을 하고 있으며, 제조방법은 먼저 (110) 실리콘 기판상에 결정방향을 고려하여 평행사변형 또는 사각형의 식각마스크를 형성한 뒤, 이를 결정의존성 식각하고, 다음으로 샤프닝(sharpening) 공정을 통하여 팁을 제작하는 것으로, 팁의 밑 부분이 차지하는 면적이 작아지게 되므로, 고밀도 팁 어레이를 제작할 수 있으며, 아울러 팁의 종횡비를 매우 크게 할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970071984A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011383
申请日：1996-04-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명에 의한 전계방출표시소자(field emission display : FED) 및 그 제조방법은, 기판 상에 소정 패턴의 식각 마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 이용하여 기판을 식각하여, 기판의 중앙 부분에는 끝이 뾰족한 “V”형 모양의 홈이 형성되고, 그 좌/우측 부분에는 밑면이 평평한 “V”형 모양의 홈이 형성된 구조의 실리콘 모울드를 형성한 후, 식각마스크를 제거하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성 박막을 증착하여 모울드 내를 채우는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하여, 기능성 박막 재질의 기판 상에 스페이서와 마이크로-팁 어레이를 동시에 형성하는 공정으로 이루어져, 1) 스페이서 제조를 위한 별도의 공정이 불필요하고, 2) 실리콘 모울드의 깊이나 폭 등의 조절에 의해 스페이서의 높이나 폭 등을 임의로 조절할 수 있고, 3) 스페이서-팁 간의 거리를 최소화할 수 있어 소자의 패키징 밀도(packaging density)를 높일 수 있으며, 4) 형광층이 형상된 유리기판과의 접합을 통하여 용이하게 표시소자를 제작할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019970008842B1
公开(公告)日：1997-05-29
申请号：KR1019940009564
申请日：1994-04-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: Dielectric thin film for thin film electroluminescent display and method for the said dielectric thin film, whereby the dielectric thin film manufactures according to depositing the composite of Ba(1-x)Sr(x)TiO(3) on the glass substrate that deposite ITO for generating the transparent electrode, under the condition of heating the glass substrateat temperature of 25 - 550 deg. C.
Abstract translation: 用于薄膜电致发光显示的介电薄膜和用于所述电介质薄膜的方法，由此根据沉积ITO（1-x）Sr（x）TiO（3）的复合材料在玻璃基板上沉积ITO的方法制造电介质薄膜 在加热玻璃基板的温度为25-550度的条件下生成透明电极。 C。
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公开(公告)号：KR1019970017856A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950032843
申请日：1995-09-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것으로, 음극 기판과 양극 기판 사이에 절연박막 및 홈을 형성시키는 방법에 의해 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛이하로부터 수 백 ㎛에 이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절할 수 있도록 하여 전계방출부로부터의 전계 분포를 정확히 실측할 수 있을 뿐 아니라 전계방출 전압 및 방출 전류를 효과적으로 제어할 수 있으며, 아울러 전계방출표시소자는 물론 마이크로 팁을 이용한 터널링 센서 제조 등에도 응용 가능한 고신뢰성의 다이오드형 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960042850A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950012870
申请日：1995-05-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J17/48
Abstract: 본 발명은 전계방출표시소자(field emission display : FED) 및 그 제조방법에 관한 것으로 반도체 기판 내에 오목한 홈을 형성하고, 상기 홈 밑면에 에미터를 형성한 뒤, 발광층이 형성되어 있는 유리기판과 접합시켜 소자제조를 완료하므로써, 별도의 스페이서(spacer) 없이도 소자의 양극-음극간 거리 및 픽셀(pixel)의 면적이나 피치(pitch)등을 서브-마이크론(sub-micron) 수준의 정밀도를 가지도록 조절할 수 있고, 또한 픽셀이 물리적으로 격리되어서 전기-광학적인 크로스-토크 (cross-talking) 현상을 방지할 수 있으며, 두 기판이 접합에 의해 연결되므로 실장이 간단할 뿐 아니라 물리적인 내구성이 강한 장점을 가진다.
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公开(公告)号：KR1019960030746A
公开(公告)日：1996-08-17
申请号：KR1019950000922
申请日：1995-01-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 청색발광용 전계발광표시소자(electroluminescent display)에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO투명전극을 형성하는 공정과;RF 반응성 스퍼티링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 제1절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 다층구조(SrS와 SrS :Ce층을 두층 이상 연속교번하는 구조 예컨대, SrS-SrS:Ce-SrS 다층구조)를 갖는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 형성하는 공정 및; 상기 보호층 상에 열중착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프 공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 1) 일차전자의 발생 및 가속층과 발광이 일어나는 층을 공간적으로 분리하는 발광층 구조를 가지게 되어 종래의 단일 SrS:Ce 구조와 비교해볼 때, 동일한 두께의 발광층을 형성하는 경우 상대적으로 높은 휘도특성을 얻을 수 있으며, 2) 발광중심을 다층구조의 중간에 도핑하므로써 발광중심인 Ce가 안정화된 결정장내에 위치하게 되므로 발광색이 안정될 뿐 아니라 동작시간 경과에 따른 특성변화를 상대적으로 감소시킬 수 있는 고신뢰성의 전계발광소자를 구현할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019940008035A
公开(公告)日：1994-04-28
申请号：KR1019920016394
申请日：1992-09-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 비동방성 식각을 이용한 실리콘막의 제조시 식각용 액내에서 실리콘막의 두께를 비파괴적으로 관찰 및 조절하는 실리콘막의 두께 조절방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 회로부가 미리 형성된 실리콘 기판을 식각용액중에서 식각하여 실리콘막을 형성함에 있어 회로부가 식각용액으로부터 보호되도록 하는 한편 식각에 의해 형성된 실리콘막의 두께 관찰조절을 함에 따라 실리콘막에 대한 정밀한 두께 조절이 가능하다는 이점이 있다.
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