III-V족 화합물의 면방향 의존성을 이용한 에피택셜 리프트오프에 의한 반도체 소자의 제조 방법

    公开(公告)号:KR101873255B1

    公开(公告)日:2018-07-04

    申请号:KR1020160120538

    申请日:2016-09-21

    Abstract: 에피택셜리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO)에의한반도체소자의제조방법은, 제1 기판상에 III-V족화합물을포함하는희생층을형성하는단계; 상기희생층상에소자층을형성하는단계; 상기희생층및 상기소자층을, 상기희생층의상기 III-V족화합물의결정면방향에기초하여결정되는제1 방향을따라연장되는부분을가지는형상으로패터닝하는단계; 패터닝된상기소자층을제2 기판상에접합하는단계; 및상기희생층및 상기제1 기판을제거하기위하여, 상기소자층이상기제2 기판상에접합된상태에서식각용액을이용하여상기희생층을식각하는단계를포함한다. 상기반도체소자의제조방법은, ELO 공정에있어서 III-V족화합물의고유특성인결정방향(cystal orientation)에따른식각속도의차이를이용하여공정수율을향상시키고공정속도를빠르게할 수있다.

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