公开(公告)号：KR102034175B1

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：KR1020170066818

申请日：2017-05-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김형준 ,  김상현 ,  심재필

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR101889352B1

公开(公告)日：2018-08-20

申请号：KR1020160118034

申请日：2016-09-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김형준 ,  김상현 ,  심재필 ,  김연수 ,  임희정

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16

Abstract: 반도체소자의제조방법은, 제1 기판상에, 저마늄(Ge)과비교하여격자상수의차이가미리설정된문턱값이하인물질로이루어진희생층을형성하는단계; 상기희생층상에저마늄(Ge) 층을형성하는단계; 제2 기판상에절연층을형성하는단계; 상기저마늄(Ge) 층을상기절연층상에접합하는단계; 및상기저마늄(Ge) 층이상기절연층에접합된상태에서, 상기희생층을식각함으로써상기희생층및 상기제1 기판을제거하는단계를포함한다. 상기반도체소자의제조방법에의하면, 에피택셜리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO) 기법에의하여다양한표면방향을가진절연체상저마늄(Germanium-on-Insulator; GeOI) 구조를형성할수 있고, 희생층의격자상수를이용하여저마늄(Ge) 층에변형(strain)이가해지도록할 수있다. 또한, 상기반도체소자의제조방법에의할경우저마늄(Ge) 층의표면거칠기가낮아추가적인연마(polishing) 과정을필요로하지않으며, 저마늄(Ge) 층의두께를수 내지수십 nm 이하의얇은두께로제조할수 있고, 희생층성장에사용된기판은분리하여재사용할수 있다.

公开(公告)号：KR101938230B1

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：KR1020160124630

申请日：2016-09-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  김형준 ,  김성광 ,  심재필 ,  최원준

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306

公开(公告)号：KR1020180031981A

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：KR1020160120538

申请日：2016-09-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  김형준 ,  심재필 ,  김성광

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/34 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/30604 ,  H01L33/30 ,  H01L33/34 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

Abstract: 에피택셜리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO)에의한반도체소자의제조방법은, 제1 기판상에 III-V족화합물을포함하는희생층을형성하는단계; 상기희생층상에소자층을형성하는단계; 상기희생층및 상기소자층을, 상기희생층의상기 III-V족화합물의결정면방향에기초하여결정되는제1 방향을따라연장되는부분을가지는형상으로패터닝하는단계; 패터닝된상기소자층을제2 기판상에접합하는단계; 및상기희생층및 상기제1 기판을제거하기위하여, 상기소자층이상기제2 기판상에접합된상태에서식각용액을이용하여상기희생층을식각하는단계를포함한다. 상기반도체소자의제조방법은, ELO 공정에있어서 III-V족화합물의고유특성인결정방향(cystal orientation)에따른식각속도의차이를이용하여공정수율을향상시키고공정속도를빠르게할 수있다.

Abstract translation: 一种通过外延剥离（ELO）制造半导体器件的方法包括：在第一衬底上形成包含III-V族化合物的牺牲层; 在牺牲层上形成元件层; 将牺牲层和器件层图案化成具有沿着基于牺牲层的III-V族化合物的晶面方向确定的第一方向的部分的形状; 将图案化的元件层接合到第二基板上; 并且，为了去除牺牲层和第一基板，在蚀刻溶液的状态下使用蚀刻液对元件层异常基体2的基板进行蚀刻来进行牺牲层的蚀刻。 制造半导体器件的方法可以通过使用根据晶体取向的蚀刻速率差异来提高工艺合格率并加快处理速度，这是ELO工艺中III-V族化合物的固有性质。

公开(公告)号：KR102019205B1

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：KR1020170061649

申请日：2017-05-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  심재필 ,  김형준

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

公开(公告)号：KR101873255B1

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：KR1020160120538

申请日：2016-09-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  김형준 ,  심재필 ,  김성광

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/34 ,  H01L21/306

Abstract: 에피택셜리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO)에의한반도체소자의제조방법은, 제1 기판상에 III-V족화합물을포함하는희생층을형성하는단계; 상기희생층상에소자층을형성하는단계; 상기희생층및 상기소자층을, 상기희생층의상기 III-V족화합물의결정면방향에기초하여결정되는제1 방향을따라연장되는부분을가지는형상으로패터닝하는단계; 패터닝된상기소자층을제2 기판상에접합하는단계; 및상기희생층및 상기제1 기판을제거하기위하여, 상기소자층이상기제2 기판상에접합된상태에서식각용액을이용하여상기희생층을식각하는단계를포함한다. 상기반도체소자의제조방법은, ELO 공정에있어서 III-V족화합물의고유특성인결정방향(cystal orientation)에따른식각속도의차이를이용하여공정수율을향상시키고공정속도를빠르게할 수있다.

公开(公告)号：KR20180034878A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：KR20160124630

申请日：2016-09-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  김형준 ,  김성광 ,  심재필 ,  최원준

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768

Abstract: 에피택셜리프트오프에의한반도체소자의제조방법은, 식각용액에의해제거될수 있는희생층및 상기희생층을포함하는대상체를제공하는단계; 및상기대상체를식각용액에노출시켜상기대상체에포함된상기희생층을제거하는단계를포함하되, 상기희생층을제거하는단계는상기대상체가양의극성을띠도록전압을인가하는단계를포함한다. 상기방법에의하면, 식각용액에의해제거될수 있는희생층을포함하는대상체와상기식각용액에일정전압을인가하여용액내에 [HF2-] 또는 [H2F3-] 이온들을생성할수 있고, 이경우상기희생층의내부결합구조가분해되는속도가빨라지므로, 결과적으로 ELO 공정에소요되는시간이줄어든다. 따라서, 오랜공정시간으로인하여기판표면이식각액에의해손상되는등의문제를해결할수 있다.

Abstract translation: 一种通过外延剥离制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供可以通过蚀刻溶液去除的牺牲层;以及牺牲层; 通过将对象暴露于蚀刻溶液来去除包含在对象中的牺牲层。去除牺牲层的步骤包括施加电压以使对象极化。 根据该方法，可以通过对物体施加恒定电压并在溶液中产生[HF 2 - ]或[H 2 F 3 - ]离子以及可以通过蚀刻溶液去除的牺牲层， 内部键合结构分解的速度加快，因此，ELO工艺所需的时间减少。 因此，可以解决由于处理时间长导致基板表面被蚀刻剂损坏的问题。