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    헤르페스 심플렉스 바이러스 타입1의 싸이미딘키나제를 생산하는 재조합 아데노바이러스 및 이를 항암치료에 사용하는용도
    4.
    发明公开
    헤르페스 심플렉스 바이러스 타입1의 싸이미딘키나제를 생산하는 재조합 아데노바이러스 및 이를 항암치료에 사용하는용도 失效
    产生单纯疱疹病毒1型胞苷激酶的重组腺病毒及其在化疗中的用途

    公开(公告)号：KR1019990032869A

    公开(公告)日：1999-05-15

    申请号：KR1019970054048

    申请日：1997-10-21

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 최시영 ,  김상현 ,  임동수 ,  성영림

    IPC: C12N15/86 ,  C12N15/33

    Abstract: 본 발명은 헤르페스 심플렉스 바이러스 타입 1 (herpes simplex virus-1: 이하 "HSV-1" 으로 약칭함)의 싸이미딘 키나제 (thymidine kinase : 이하 "TK" 로 약칭함)를 세포내에서 생산할 수 있는 재조합 아데노바이러스 및 이를 항암 치료에 사용하는 용도에 관한 것이다.
    구체적으로, 본 발명은 세포를 갠사이크로비르(gancyclovir : 이하 "GCV"로 약함)에 민감하게 하는 HSV-1 TK 유전자를 포함하는 아데노바이러스 제조용 발현 벡터, 이를 이용하여 얻은 세포내에서 HSV-1 TK 를 생산하는 재조합 아데노바이러스 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 재조합 아데노바이러스는 감염된 세포를 DNA 중합반응을 종결시키는 것에 관련된 GCV 에 민감하게 함으로 간암, 자궁암, 폐암 등을 포함한 다양한 항암 치료에 유용하게 사용될 수 있다.

    변형된 저마늄을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자
    7.
    发明授权
    변형된 저마늄을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 有权

    公开(公告)号：KR101889352B1

    公开(公告)日：2018-08-20

    申请号：KR1020160118034

    申请日：2016-09-13

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김형준 ,  김상현 ,  심재필 ,  김연수 ,  임희정

    IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

    CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16

    Abstract: 반도체소자의제조방법은, 제1 기판상에, 저마늄(Ge)과비교하여격자상수의차이가미리설정된문턱값이하인물질로이루어진희생층을형성하는단계; 상기희생층상에저마늄(Ge) 층을형성하는단계; 제2 기판상에절연층을형성하는단계; 상기저마늄(Ge) 층을상기절연층상에접합하는단계; 및상기저마늄(Ge) 층이상기절연층에접합된상태에서, 상기희생층을식각함으로써상기희생층및 상기제1 기판을제거하는단계를포함한다. 상기반도체소자의제조방법에의하면, 에피택셜리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO) 기법에의하여다양한표면방향을가진절연체상저마늄(Germanium-on-Insulator; GeOI) 구조를형성할수 있고, 희생층의격자상수를이용하여저마늄(Ge) 층에변형(strain)이가해지도록할 수있다. 또한, 상기반도체소자의제조방법에의할경우저마늄(Ge) 층의표면거칠기가낮아추가적인연마(polishing) 과정을필요로하지않으며, 저마늄(Ge) 층의두께를수 내지수십 nm 이하의얇은두께로제조할수 있고, 희생층성장에사용된기판은분리하여재사용할수 있다.

    열적 습식 산화 공법을 이용한 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
    8.
    发明授权
    열적 습식 산화 공법을 이용한 양자 우물의 밴드갭 제어 방법 有权

    公开(公告)号：KR101860020B1

    公开(公告)日：2018-05-23

    申请号：KR1020160091353

    申请日：2016-07-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 최원준 ,  김상현 ,  윤예슬

    IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

    Abstract: 양자우물(quantum well)의밴드갭(bandgap) 제어방법은, 갈륨비소(GaAs)층및 인듐갈륨비소(InGaAs)층을포함하는양자우물구조상에산화막을형성하는단계; 상기산화막상에유전체박막을형성하는단계; 및상기유전체박막을형성하는단계후에, 상기양자우물구조, 상기산화막및 상기유전체박막을열처리하는단계를포함한다. 상기양자우물의밴드갭제어방법에서는, 산화막위에서양자우물혼합(quantum well intermixing)을위한유전체의증착및 열처리가수행되므로, 실리콘(Si) 불순물이생성되거나양자우물에응력이가해지는기존의문제를해결할수 있으며, 산화막생성온도를변화시키는것에의하여밴드갭의변화정도를조절할수 있다.

    열적 습식 산화 공법을 이용한 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
    9.
    发明公开
    열적 습식 산화 공법을 이용한 양자 우물의 밴드갭 제어 방법 有权
    利用湿热氧化来控制量子阱带的方法

    公开(公告)号：KR1020180009545A

    公开(公告)日：2018-01-29

    申请号：KR1020160091353

    申请日：2016-07-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 최원준 ,  김상현 ,  윤예슬

    IPC: H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

    CPC classification number: H01L29/122 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/324 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035209 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337

    Abstract: 양자우물(quantum well)의밴드갭(bandgap) 제어방법은, 갈륨비소(GaAs)층및 인듐갈륨비소(InGaAs)층을포함하는양자우물구조상에산화막을형성하는단계; 상기산화막상에유전체박막을형성하는단계; 및상기유전체박막을형성하는단계후에, 상기양자우물구조, 상기산화막및 상기유전체박막을열처리하는단계를포함한다. 상기양자우물의밴드갭제어방법에서는, 산화막위에서양자우물혼합(quantum well intermixing)을위한유전체의증착및 열처리가수행되므로, 실리콘(Si) 불순물이생성되거나양자우물에응력이가해지는기존의문제를해결할수 있으며, 산화막생성온도를변화시키는것에의하여밴드갭의변화정도를조절할수 있다.

    Abstract translation: 一种控制量子阱的带隙的方法包括：在包括砷化镓（GaAs）层和砷化铟镓（InGaAs）层的量子阱结构上形成氧化物膜; 在氧化膜上形成电介质薄膜; 并且在形成电介质薄膜的步骤之后热处理量子阱结构，氧化物膜和电介质薄膜。 在控制量子阱的带隙的方法中，在氧化物膜上执行用于量子阱混合的电介质的沉积和热处理，从而在量子阱中产生硅（Si）杂质或应力的传统问题 并且可以通过改变氧化膜形成温度来调整带隙的变化程度。

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