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公开(公告)号:KR101544488B1
公开(公告)日:2015-08-17
申请号:KR1020140052558
申请日:2014-04-30
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 반도체센서를표면실장하는실장기판및 그실장방법이개시된다. 금속패턴이형성된복수의기판의상면에홈이형성된실장기판을생성하는제1 공정단계, 상기홈에금속볼을안착하는제2 공정단계, 상기안착된금속볼을리플로우(reflow) 공정을통하여융해하는제3 공정단계및 상기융해된금속볼의상측에반도체를실장하는제4 공정단계를포함한다.
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公开(公告)号:KR1020150072316A
公开(公告)日:2015-06-29
申请号:KR1020140052558
申请日:2014-04-30
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L23/48 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 반도체센서를표면실장하는실장기판및 그실장방법이개시된다. 금속패턴이형성된복수의기판의상면에홈이형성된실장기판을생성하는제1 공정단계, 상기홈에금속볼을안착하는제2 공정단계, 상기안착된금속볼을리플로우(reflow) 공정을통하여융해하는제3 공정단계및 상기융해된금속볼의상측에반도체를실장하는제4 공정단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于在其表面上安装半导体传感器的安装板及其安装方法。 安装方法包括以金属图案在板的上侧产生具有凹槽的安装板的第一工艺,在槽中接收金属球的第二工艺,通过回流熔化所接收的金属球的第三工艺 工艺,以及将半导体安装在熔融金属球的上侧的第四工序。
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公开(公告)号:KR1020150034889A
公开(公告)日:2015-04-06
申请号:KR1020130114524
申请日:2013-09-26
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: 본발명에따른방사선검출센서의특성평가장치는, 방사선검출센서의특성을평가하기위한본체, 상기본체와전기적으로연결되는커넥터와, 상기커넥터의일단에형성되어상기방사선검출센서와접촉하는프로브핀을구비한프로브, 소정높이의측벽과, 상기측벽에상하로형성된가이드를구비한베이스, 상기가이드에의해안내되어이동가능한가동부와, 상기프로브핀이하향한상태에서상기커넥터가고정되도록상기가동부로부터연장형성된파지부를구비한커넥터지지부, 상기방사선검출센서의일 측면에방사선을조사하기위한방사선조사부, 상기가동부를상기베이스에위치고정하는고정수단및 상기파지부의하측에이격배치되는센서거치대를포함하여구성된다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例,用于评估放射线检测传感器的特性的装置和方法包括:用于评估辐射检测传感器的特性的主体; 电连接到主体的连接器; 形成在所述连接器的一端并具有与所述放射线检测传感器接触的探针的探针; 一个预定高度的侧壁; 具有形成在侧壁的上部和下部中的引导件的基部; 由引导件引导以移动的移动单元; 连接器支撑单元,其具有形成为从所述移动单元延伸的夹持单元,使得所述连接器可以在所述探针位于所述下方的同时被固定; 辐射照射单元,辐射到辐射检测传感器的一侧; 固定装置,将移动单元的位置固定在基座上; 以及分别放置在夹持单元的下侧的传感器保持架。
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公开(公告)号:KR101487710B1
公开(公告)日:2015-01-29
申请号:KR1020130086515
申请日:2013-07-23
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: G01T1/2928 , G01T1/2018 , H01L27/14659 , H01L31/085
Abstract: 상기한 본 발명의 방사선 영상 센서 및 그 제조 방법에 따르면, 화합물 반도체 기판상에 액상의 전극용 금속화합물을 분사하여 금속 치환 방식을 통해 도전층을 형성하도록 함으로써, 방사선 영상 센서의 제조 방법을 단순화시켜 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 효과를 갖는다.
Abstract translation: 辐射图像传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种放射线图像传感器及其制造方法,其通过将金属化合物喷射到化合物半导体基板上,通过金属取代法形成导电层,从而简化了放射线图像传感器的制造,降低了制造成本。
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公开(公告)号:KR101478737B1
公开(公告)日:2015-01-05
申请号:KR1020130027686
申请日:2013-03-15
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 시스템 및 계측방법에 관한 것으로, 반도체 센서, 상기 반도체 센서에 마련된 제1 및 제2 캐소드와 애노드에 각각 연결되는 제1 내지 제3 전치 증폭기, 상기 제1 내지 제3 전치 증폭기에 각각 연결되는 제1 내지 제3 후치 증폭기, 상기 제1 및 제2 캐소드에서 발생한 신호와 애노드의 신호를 이용해서 전위차 및 시간차를 계산하는 신호처리부 및 상기 신호처리부에서 계산된 결과에 기초하여 입사 방사선의 위치정보 및 에너지 정보를 판별하는 제어부를 포함하는 구성을 마련하여 대면적용 방사선 영상 시스템에 적용할 수 있으며, 방사선 영상 시스템의 부품수를 감소시키고, 제작비용을 절감할 수 있다는 효과가 얻어진다.
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公开(公告)号:KR1020140029745A
公开(公告)日:2014-03-11
申请号:KR1020120095298
申请日:2012-08-30
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: G01N23/201 , G01N23/04 , G01N23/06 , G01N23/083 , G01N23/087 , G01N23/20 , G01N23/202
Abstract: The present invention relates to a radiation imaging device capable of matter-element information acquisition and image dimension selection. The purpose of the present invention is to provide a radiation imaging device capable of matter-element information acquisition and image dimension selection by acquiring an image using both radiation and a matter interaction method to thereby improve image resolution and detection efficiency. Another purpose of the present invention is to provide a radiation imaging device capable of matter-element information acquisition and image dimension selection by particularly using a single-photon three-dimensional tracking technique to thereby acquire a three-dimensional image even with a single-energy radiation resource and distinguish an element of a subject. [Reference numerals] (AA) Radiation; (BB,DD,FF) Scattering radiation; (CC,EE,GG) Transmitted radiation
Abstract translation: 本发明涉及能够进行物质信息采集和图像尺寸选择的放射线成像装置。 本发明的目的是提供一种能够通过使用辐射和物质相互作用方法获取图像来进行物质信息获取和图像尺寸选择的辐射成像装置,从而提高图像分辨率和检测效率。 本发明的另一个目的是提供一种能够通过特别使用单光子三维跟踪技术进行物质信息获取和图像尺寸选择的辐射成像装置,从而即使采用单一能量来获取三维图像 辐射资源并区分主体的元素。 (附图标记)(AA)辐射; (BB,DD,FF)散射辐射; (CC,EE,GG)透射辐射
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公开(公告)号:KR101265256B1
公开(公告)日:2013-05-20
申请号:KR1020100138959
申请日:2010-12-30
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: G01T1/2985 , A61B6/037
Abstract: 방사선원의 3차원분포영상처리시스템및 이를이용한처리방법을개시한다. 상기방사선원의 3차원분포영상처리시스템은방사선원을측정하기위한다수개의위치민감형검출기들구비하며, 각각에고유채널을설정한후, 상기방사선원중심으로상기다수개의위치민감형검출기들이원형으로배치된영상측정부, 상기영상측정부로부터상기방사선원에너지크기및 상기방사선원발생위치신호각각을수신하여전기적신호로증폭시키는상기신호증폭처리부, 상기신호증폭처리부로부터생성된상기전기적신호를수신하여크기및 위치에따라검출모드들선택하여그에따른모드신호를출력하는모드선택부, 상기신호처리부로부터상기방사선원에너지크기및 상기방사선원발생위치신호, 상기모드선택부로부터전송된모드신호를일련의항목들로저장하는데이터저장부, 상기데이터저장부에저장된데이터를상호작용방식데이터로변환시키는데이터변환부, 상기변환된데이터를 3차원분포영상으로재구성하는영상재구성부및 상기재구성부로부터상기 3차원분포영상을디스플레이하는디스플레이부를포함한다. 상기신호로부터동시계수방식, 이중감마선단일추적방식, 동시계수방식/감마선추적방식, 및이중감마선동시추적방식으로운영하여효율을증대하는다양한모드를동시에구현하는것을포함한다.
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