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公开(公告)号：KR1020070083377A
公开(公告)日：2007-08-24
申请号：KR1020060016665
申请日：2006-02-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y20/00 , H01L33/18 , Y10S438/962 , Y10S977/773 , Y10S977/774
Abstract: A semiconductor light emitting device using silicon nano dots is provided to improve contact force and an electrical characteristic between an electron injection layer and a transparent conductive electrode by forming a metal layer including a metal nano dot between the electron injection layer and the transparent conductive electrode. A light emitting layer(20) emits light. A hole injection layer(10) is formed in the light emitting layer. An electron injection layer(30) is formed in the light emitting layer to confront the hole injection layer. A metal layer(40) includes metal nano dots formed in the electron injection layer. A transparent conductive electrode(50) is formed in the metal layer. The light emitting layer can include an amorphous silicon nitride including silicon nano dots.
Abstract translation: 提供使用硅纳米点的半导体发光器件，通过在电子注入层和透明导电电极之间形成包括金属纳米点的金属层，来提高电子注入层和透明导电电极之间的接触力和电特性。 发光层（20）发光。 在发光层中形成空穴注入层（10）。 在发光层中形成电子注入层（30），以面对空穴注入层。 金属层（40）包括在电子注入层中形成的金属纳米点。 在金属层中形成透明导电电极（50）。 发光层可以包括包含硅纳米点的非晶氮化硅。
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公开(公告)号：KR1020060064477A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050052859
申请日：2005-06-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L51/52 , H01L51/5206
Abstract: 본 발명은 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 발광 소자에서 무기 발광 소자는 투명 전극과 접촉되는 상부 도핑층에 산화막, 질화막 또는 금속막을 형성시킨 후 플라즈마 처리하여 플라즈마 식각층을 형성하여 투명 전극과 상부 도핑층과의 접촉력을 향상시킨 것이고, 또한, 본 발명에 따른 발광 소자에서 유기 발광 소자는 투명 전극이 접촉되는 기판, 특히 플라스틱 기판 상부에 산화막, 질화막 또는 금속막을 형성시킨 후 플라즈마 처리하여 플라즈마 식각층을 형성하여 기판과 투명 전극과의 접촉력을 향상시킨 것이다. 이와 같이 본 발명에 따른 발광 소자는 투명 전극의 접촉력을 개선시킴으로써 층분리를 방지하여 발광 소자의 효율을 개선시키면서 동시에 생산 수율을 향상시킨다.
발광, 소자, 플라즈마, 접촉력-
公开(公告)号：KR1020060064460A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050037623
申请日：2005-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/465 , H01L33/34 , H01L33/38
Abstract: DBR (Distributed Bragg Reflector)과 n형 도핑층, p형 기판 구조물을 채용한 고효율의 실리콘 발광 소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 발광 소자는 메사(mesa)형 p형 기판 구조물이 형성된 기판을 구비한다. 기판상에는 활성층이 형성된다. 활성층은 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가진다. 활성층의 제1 면에는 제1 반사층이 대향하고 있다. 활성층의 제2 면에는 제2 반사층이 대향하고 있다. 제2 반사층은 p형 기판 구조물을 사이에 두고 그 양측에 위치되어 있다. 활성층과 제1 반사층과의 사이에는 n형 도핑층이 개재되어 있다. 제1 전극이 n형 도핑층에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다. 그리고, 제2 전극이 p형 기판 구조물에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다.
실리콘 발광 소자, DBR, n형 도핑층, p형 기판 구조물, 실리콘 나노점-
公开(公告)号：KR1020060014476A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：KR1020040063025
申请日：2004-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘계 또는 질화물계 발광소자에 있어서 발광층 또는 상부 도핑층의 상부면에 복수개의 상부전극을 형성하고, 기판 또는 하부 도핑층의 상부면에 적어도 하나의 하부전극을 형성하여 전극들로 인가되는 전류 퍼짐 특성을 향상시킴으로써, 발광층의 발광 면적을 최대화시킬 수 있을 뿐만 아니라 발광층 전면에서 균일한 세기를 가지는 발광을 유도하여 발광소자의 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 발광소자, 발광층, 상부 도핑층, 하부 도핑층, 상부전극, 하부전극-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100319739B1
公开(公告)日：2002-02-19
申请号：KR1019980049844
申请日：1998-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 +4가 크롬 이온 또는 +3가 바나듐 이온을 능동 매질로 사용하는 단결정, 다결정 또는 비정질 재료에 +3가 이터븀 이온이 공동 첨가된 복합 광재료 및 이의 사용방법에 관한 것이다. 이 재료가 레이저, 광섬유 증폭기 등에 사용될 때, +4가 크롬 이온에서 여기상태흡수가 발생하는 600~800 nm 파장대를 피하고 +3가 이터븀 이온에서 흡수가 강하게 발생하는 980 nm 파장대로 여기하면 에너지는 이터븀 이온에서 크롬 이온으로 전달되고 방출되어 1200~1600 nm 대역의 형광을 발생하게 된다. 따라서, 본 발명은 +4가 크롬 이온의 짧은 형광 수명, 여기상태흡수로 인한 효율 저하 등의 문제를 해결하고 형광 방출의 효율을 향상시키는 것이다.
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57.发明公开
公开(公告)号：KR1020000033139A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980049844
申请日：1998-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
CPC classification number: H01S3/16 , H01S3/06716 , H01S3/1618 , H01S3/1623
Abstract: PURPOSE: A composite optical material wherein Yb3+ is added into a single crystal, polycrystalline or amorphous material using Cr4+ or V3+ as an active medium, and a handling method thereof are provided. CONSTITUTION: When a composite optical material is used for a laser or optical fiber amplifier, if it avoids a wavelength of 600 to 800nm where an excited state absorption occurs in Cr4+ and is excited at a wavelength of 980nm where absorption seriously occurs in Yb3+, energy is transmitted and discharged from Yb3+ to Cr4+, thereby generating fluorescence of a band of 1200 to 1600nm. As a result, a life span of Cr4+ is increased, low efficiency by the excited state absorption is overcome and fluorescent discharge is efficiently performed.
Abstract translation: 目的：提供使用Cr4 +或V3 +作为活性介质将Yb3 +添加到单晶，多晶或非晶材料中的复合光学材料及其处理方法。 构成：当将复合光学材料用于激光或光纤放大器时，如果避免在Cr4 +中发生激发态吸收的600至800nm的波长，并且在Yb3 +中发生吸收严重的波长980nm处被激发，则能量 从Yb3 +传输至Cr4 +，从而产生1200〜1600nm的荧光。 结果，Cr4 +的寿命增加，克服了激发态吸收的低效率，有效地进行荧光放电。
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公开(公告)号：KR101777598B1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：KR1020110106020
申请日：2011-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의제조방법이제공된다. 그의제조방법은기판상에하부전극을형성하는단계; 상기하부전극상에광 흡수층을형성하는단계; 상기광 흡수층 상에버퍼층을형성하는단계; 상기버퍼층 상에서로다른전기적특성을갖는진성층과투명전극을포함하는윈도우층을형성하는단계를포함한다. 여기서, 상기진성층과투명전극은불순물로도핑된금속산화물로이루어진단일타깃을사용하는스퍼터링공정에의해형성될수 있다.
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